【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种微机电系统复合牺牲层的处理方法,其特征在于包括如下步骤:(1)首先在硅片表面旋涂一层聚酰亚胺,在涂覆之前把电镀号传输线结构的硅片烘干;接着滴几滴聚酰亚胺在硅片的中央,使用匀胶机逐渐加速旋转使聚酰亚胺散开,均匀的覆盖在硅衬底上;在涂完聚酰亚胺,把聚酰亚胺放在密封的盒子里使其自然流平;(2)将步骤(1)所得硅片在80℃的温度下烘烤30min,然后在110℃的温度下烘烤1h进行预胺化;(3)预胺化后,涂覆一层正胶,将匀胶机转速确定为2500r/min,匀胶时间为5s,甩胶时间为20s得到厚度为2μm的正胶,之后在90℃温度下进行前烘,曝光45s,之后在质量分数为0.6%NaOH溶液里显影90s;(4)接着将硅片置于烘箱内烘干,温度为140℃,对正胶进行固化;(5)用质量分数为6%的NaOH的溶液浸泡,之后再用去离子水冲净,置于80℃的烘箱内使其水分挥发,之后与O2进行刻蚀处理。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:张俊,
申请(专利权)人:陕西易阳科技有限公司,
类型:发明
国别省市:陕西;61
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