一种快速热退火装置制造方法及图纸

一种快速热退火装置，包括：硅片盒承载装置，用于承载待退火之晶圆；开放式传送机构，通过交换门与硅片盒承载装置连接；气体净化交换腔，接受经过开放式传送机构传送的晶圆；气体净化传送腔，在气体净化传送腔内传送进入气体净化交换腔内的晶圆；快速热退火工艺腔，接受来自气体净化传送腔的晶圆，并进行退火，且退火后便于气体净化交换腔内降温。本实用新型专利技术使得待退火和降温之晶圆在相对封闭的净化环境中进行工艺传送和退火、降温工艺，不仅有效的避免外界干扰条件因素对工艺生产的影响，降低工艺缺陷的发生，而且统一化工艺环境条件，改善晶圆之差异性，利于提高产品质量。

【技术实现步骤摘要】
一种快速热退火装置
本技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种快速热退火装置。
技术介绍
快速热退火作为常用的半导体工艺技术，是将硅片在一定的时间内置于所需温度和环境条件下，利用热能促使硅片内的原子进行晶格位置的重排，以降低晶格缺陷，激活掺杂元素。 在半导体技术不断发展的背景下，快速热退火工艺应用十分广泛。与此同时，半导体器件性能之飞速提升，亦对快速热退火工艺的要求大幅提高。在如今的芯片工艺流程中，均需要进行多次快速热退火工艺，势必要求在每次工艺过程中，对颗粒物污染严格管控，并尽可能的提闻热退火工艺的效率。 然而，现有的快速热退火装置的传送路径是以单片硅片形式直接从硅片盒搬送至快速退火工艺腔，传送环节效率过低，且整个传送与降温过程均在常规大气环境下进行，对于工艺过程中的各类颗粒污染物未能做到有效防范，并使得所述退火环境易于受到外界条件干扰，降低产品成品率。 故针对现有技术存在的问题，本案设计人凭借从事此行业多年的经验，积极研究改良，于是有了本技术一种快速热退火装置。
技术实现思路
本技术是针对现有技术中，所述传统的快速热退火装置的传送路径是以单片硅片形式直接从硅片盒搬送至快速退火工艺腔，传送环节效率过低，且整个传送与降温过程均在常规大气环境下进行，对于工艺过程中的各类颗粒污染物未能做到有效防范，并使得所述退火环境易于受到外界条件干扰，降低产品成品率等缺陷提供一种快速热退火装置。 为实现本技术之目的，本技术提供一种快速热退火装置，所述快速热退火装置，包括:硅片盒承载装置，用于承载待退火之晶圆；开放式传送机构，通过交换门与所述硅片盒承载装置连接；气体净化交换腔，用于净化腔室内气体，并接受经过所述开放式传送机构传送的所述待退火之晶圆；气体净化传送腔，用于净化腔室内气体，并在所述气体净化传送腔内传送进入气体净化交换腔内的待退火之晶圆；快速热退火工艺腔，接受来自所述气体净化传送腔的待退火之晶圆，并在预设温度和环境条件下对所述晶圆进行退火，且在所述晶圆完成退火后便于所述气体净化传送腔传送至所述气体净化交换腔内降温。 可选地，所述硅片盒承载装置内承载的晶圆盒数量为2个，每个晶圆盒装载的晶圆数量为25枚。 可选地，所述开放式传送机构的传送频率为5枚/次。 综上所述，本技术快速热退火装置通过依次设置硅片盒承载装置、开放式传送机构、气体净化交换腔、气体净化传送腔，以及快速热退火工艺腔，使得待退火和降温之晶圆在相对封闭的净化环境中进行工艺传送和退火、降温工艺，不仅有效的避免外界干扰条件因素对工艺生产的影响，降低工艺缺陷的发生，而且统一化工艺环境条件，改善晶圆之差异性，利于提高产品质量。 【附图说明】 图1所示为本技术快速热退火装置之框架结构示意图； 图2所示为本技术快速热退火装置之结构示意图； 图3所示为本技术快速热退火装置之快速退火流程图。 【具体实施方式】 为详细说明本技术创造的
技术实现思路
、构造特征、所达成目的及功效，下面将结合实施例并配合附图予以详细说明。 请参阅图1，图1所示为本技术快速热退火装置之框架结构示意图。所述快速热退火装置1，包括:硅片盒承载装置11，所述硅片盒承载装置11用于承载待退火之晶圆2 ;开放式传送机构12，所述开放式传送机构12通过交换门13与所述硅片盒承载装置11连接；气体净化交换腔14，所述气体净化交换腔14用于净化腔室内气体，并接受经过所述开放式传送机构12传送的所述待退火之晶圆2 ;气体净化传送腔15，所述气体净化传送腔15用于净化腔室内气体，并在所述气体净化传送腔15内传送进入气体净化交换腔14内的待退火之晶圆2 ;快速热退火工艺腔16，所述快速热退火工艺腔16接受来自所述气体净化传送腔15的待退火之晶圆，并在预设温度和环境条件下对所述晶圆2进行退火，且在所述晶圆2完成退火后便于所述气体净化传送腔15传送至所述气体净化交换腔14内降温。 为了更直观的揭露本技术之技术方案，凸显本技术之有益效果，现结合具体的实施方式，对所述快速热退火装置之工作原理进行阐述，在所述【具体实施方式】中，所述各功能部件的数量、具体设置位置仅为描述方便，不应视为对本技术方案的限制。非限制性地，所述硅片盒承载装置I内承载的晶圆盒数量为2个，每个晶圆盒装载的晶圆数量为25枚。所述开放式传送机构12的传送频率为5枚/次。 请参阅图2?图3，并结合参阅图1，图2所示为本技术快速热退火装置之结构示意图。图3所示为本技术快速热退火装置之快速退火流程图。所述快速热退火装置I之快速退火，包括: 执行步骤S1:容置在硅片盒承载装置11内的待退火之晶圆2通过所述开放式传送机构12传送至气体净化交换腔14 ； 执行步骤S2:所述气体净化交换腔14进行气体净化； 执行步骤S3:所述气体净化传送腔15将所述气体净化交换腔14的第一、第二枚晶圆2分别传送至快速热退火工艺腔16 ； 执行步骤S4:在所述快速热退火工艺腔16内对所述第一、第二枚晶圆2退火完成后，经过所述气体净化传送腔15将所述晶圆2传送至气体净化交换腔14，并进行降温； 执行步骤S5:重复执行步骤SI?S4，完成剩余晶圆2之快速热退火和降温； 执行步骤S6:将经过快速热退火和降温的晶圆2从所述气体净化交换腔14经由所述开放式传送机构12返回至硅片盒承载装置11内。 明显地，本技术快速热退火装置I通过依次设置硅片盒承载装置11、开放式传送机构12、气体净化交换腔14、气体净化传送腔15，以及快速热退火工艺腔16，使得待退火和降温之晶圆2在相对封闭的净化环境中进行工艺传送和退火、降温工艺，不仅有效的避免外界干扰条件因素对工艺生产的影响，降低工艺缺陷的发生，而且统一化工艺环境条件，改善晶圆2之差异性，利于提高产品质量。 综上所述，本技术快速热退火装置通过依次设置硅片盒承载装置、开放式传送机构、气体净化交换腔、气体净化传送腔，以及快速热退火工艺腔，使得待退火和降温之晶圆在相对封闭的净化环境中进行工艺传送和退火、降温工艺，不仅有效的避免外界干扰条件因素对工艺生产的影响，降低工艺缺陷的发生，而且统一化工艺环境条件，改善晶圆之差异性，利于提高产品质量。 本领域技术人员均应了解，在不脱离本技术的精神或范围的情况下，可对本技术进行各种修改和变型。因而，如果任何修改或变型落入所附权利要求书及等同物的保护范围内时，认为本技术涵盖这些修改和变型。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种快速热退火装置，其特征在于，所述快速热退火装置包括：硅片盒承载装置，用于承载待退火之晶圆；开放式传送机构，通过交换门与所述硅片盒承载装置连接；气体净化交换腔，用于净化腔室内气体，并接受经过所述开放式传送机构传送的所述待退火之晶圆；气体净化传送腔，用于净化腔室内气体，并在所述气体净化传送腔内传送进入气体净化交换腔内的待退火之晶圆；快速热退火工艺腔，接受来自所述气体净化传送腔的待退火之晶圆，并在预设温度和环境条件下对所述晶圆进行退火，且在所述晶圆完成退火后便于所述气体净化传送腔传送至所述气体净化交换腔内降温。

【技术特征摘要】
1.一种快速热退火装置，其特征在于，所述快速热退火装置包括: 硅片盒承载装置，用于承载待退火之晶圆； 开放式传送机构，通过交换门与所述硅片盒承载装置连接； 气体净化交换腔,用于净化腔室内气体,并接受经过所述开放式传送机构传送的所述待退火之晶圆； 气体净化传送腔，用于净化腔室内气体，并在所述气体净化传送腔内传送进入气体净化交换腔内的待退火之晶圆； 快速热退火工艺腔，接...

【专利技术属性】
技术研发人员：李赟佳，赖朝荣，苏俊铭，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31