本实用新型专利技术提供了一种LED封装结构，包括LED芯片和散热器，所述LED芯片设于所述散热器上，所述散热器上还设有一凹槽，所述凹槽内设有镀银层。本实用新型专利技术省略了繁杂的中间环节，整体制作成本大幅下降，产品的一致性得到提高；热阻明显下降，相同功率下体积大大缩小，寿命得以延长，亮度得到提升，光衰速度变慢，有效的防止了硫化。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提供了一种LED封装结构，包括LED芯片和散热器，所述LED芯片设于所述散热器上，所述散热器上还设有一凹槽，所述凹槽内设有镀银层。本技术省略了繁杂的中间环节，整体制作成本大幅下降，产品的一致性得到提高；热阻明显下降，相同功率下体积大大缩小，寿命得以延长，亮度得到提升，光衰速度变慢，有效的防止了硫化。【专利说明】LED封装结构
本技术涉及LED封装
,特别涉及一种LED封装结构。
技术介绍
为了避免LED芯片发出的光被金属基板吸收，造成光损失。目前业界的做法，是在金属基板的表面镀银。利用银的高反射率特性，将射到基板表面的光线反射到LED芯片和硅胶层。由于有机硅胶较高的透湿透氧性，在LED光源使用过程中，空气中的硫元素会透过硅胶，渗入封装体内部。硫元素进入封装体后会与基板表面的银发生反应，生成黑色的硫化银。例如2012年5月23号授权的专利号为ZL201120356103.3技术，揭示了一种贴片LED的封装结构。该LED封装结构包括:LED芯片、基板、镀银层，所述LED芯片设置在所述的基板的上表面，所述的镀银层涂在所述基板的上表面，分别连接所述LED芯片的各电极，该镀银层将LED芯片发出的光线充分反射，提高了 LED光源的质量。 由此可知，由于该LED封装技术，在基板上表面镀银，该银反射层会与进入LED封装结构的空气中的硫元素发化学反应生成黑色的硫化银。导致基板反射区域变黑，造成LED光源光通量降低。而且由于银层直接位于LED芯片下，银层反射回来的光大部分再次进入LED芯片，这就会导致LED芯片过热，影响LED的使用寿命。因此，LED封装结构的防止硫化和过热的问题已经成为LED封装技术的主要的技术问题。
技术实现思路
本技术针对上述现有技术存在的问题作出改进，即本技术要解决的技术问题是提供一种LED封装结构，这种LED封装结构提高了散热。 为了解决上述技术问题，本技术提供了如下的技术方案: 一种LED封装结构，包括LED芯片和散热器，所述LED芯片设于所述散热器上，所述散热器上还设有一凹槽，所述凹槽内设有镀银层。 所述LED芯片包括至少一 P极与一 N极，所述P极与N极分别设置于所述LED芯片上。 所述LED芯片通过共晶焊或粘胶定位于所述散热器上。 所述散热器包括绝缘层和导电层，所述绝缘层和所述导电层设置于所述散热器与所述 LED芯片之间。 所述凹槽为V型槽或者梯形槽。 本技术一种LED封装结构，省略了繁杂的中间环节，整体制作成本大幅下降，产品的一致性得到提高；热阻明显下降，相同功率下体积大大缩小，寿命得以延长，亮度得到提升，光衰速度变慢，有效的防止了硫化，使LED向大功率照明发展的技术上升到了一个新的台阶。 【专利附图】【附图说明】 附图用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本技术的实施例一起用于解释本技术，并不构成对本技术的限制。在附图中: 图1是本技术一种实施方式的结构示意图。 【具体实施方式】 如图1所示，本技术公开一种LED封装结构，包括LED芯片21和散热器239，LED芯片21设于散热器239上，散热器239上还设有一凹槽，凹槽内设有镀银层。 芯片21的P极与N极均设置于远离散热器239的一侧，即芯片的顶部，该P极与N极直接通过超声焊分别引出。当该芯片21与芯片21间距离较短时，可用金线、铝线、铜线等通过超声焊进行连接。该散热器239由铜材料或铝材料制作。 LED芯片21通过共晶焊或粘胶定位于散热器239上。 散热器239包括绝缘层和导电层，绝缘层和导电层设置于散热器239与LED芯片之21间。 凹槽为V型槽或者梯形槽。 芯片与芯片通过超声焊进行电性连接时，为提高安全系数，线与散热器239间增加一绝缘层。导电层之上再增加一保护层，或将线放入V型槽中加以保护。V型槽设置反光层，反光层可用抛光法、涂层法，液体法，溅射法、真空镀层法(蒸化真空沉积法)、电镀、氧化方式制成。当为铝材散热器时，并通过氧化的方法制作反光层时，该氧化层进一步通过离子封孔、染色处理，提高美观效果，具有与芯片发光色相同的颜色时，提高反光效果。 当该LED封装结构包括多颗LED芯片21串并联电连接时，与电源连接线对应的LED芯片21之P极与N极由该导电层引出，非与电源连接线对应的LED芯片21之P极与N极由超声焊引出。 同时，该LED封装结构也适用于其他大功率芯片，包括不限于LED、功率集成电路、大功率稳压电源、大功率音响芯片、CPU等高功率芯片的散热封装。 以上所述仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。【权利要求】1.一种LED封装结构，其特征在于:包括LED芯片和散热器，所述LED芯片设于所述散热器上，所述散热器上还设有一凹槽，所述凹槽内设有镀银层，所述LED芯片包括至少一 P极与一N极，所述P极与N极分别设置于所述LED芯片上，所述散热器包括绝缘层和导电层，所述绝缘层和所述导电层设置于所述散热器与所述LED芯片之间。2.根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于:所述LED芯片通过共晶焊或粘胶定位于所述散热器上。3.根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于:所述凹槽为V型槽。4.根据权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于:所述凹槽为梯形槽。【文档编号】H01L33/64GK203967134SQ201420222637【公开日】2014年11月26日 申请日期:2014年4月30日 优先权日:2014年4月30日 【专利技术者】周峰 申请人:扬州新思路光电科技有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种LED封装结构，其特征在于：包括LED芯片和散热器，所述LED芯片设于所述散热器上，所述散热器上还设有一凹槽，所述凹槽内设有镀银层，所述LED芯片包括至少一P极与一N极，所述P极与N极分别设置于所述LED芯片上，所述散热器包括绝缘层和导电层，所述绝缘层和所述导电层设置于所述散热器与所述LED芯片之间。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周峰，
申请(专利权)人：扬州新思路光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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