【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种大面积优质氮掺杂石墨烯的制备方法。该氮掺杂石墨烯是采用含氮聚合物作为前体进行制备的，包括下述步骤：将碳氮源涂覆于铜催化剂表面或置于铜催化剂上，然后在非氧化性气氛中于600～900℃条件下进行反应，得到氮掺杂石墨烯；其中，所述铜催化剂可为单质铜、铜合金或含铜化合物。本专利技术制备的氮掺杂石墨烯为具有优质晶体结构的大面积薄膜，其层数可为1-10层，该氮掺杂石墨烯在空气或真空环境下均具有较高的n性场效应电学特征和透光率。本专利技术提供的制备大面积优质氮掺杂石墨烯的方法工艺简单、经济成本低、操作简便，可以大规模生产。【专利说明】
本专利技术属于石墨烯领域，具体涉及一种大面积优质氮掺杂石墨烯及其制备方法与 应用。 一种大面积优质氮掺杂石墨烯及其制备方法与应用
技术介绍
石墨烯由于其准二维的晶体结构而具有诸多优异的性能，在当今已经引起了科研 人员们极大的兴趣。理想的单层石墨烯其电学性能与六角布里渊区域最高点附近的波矢量 成线性关系，在室温下具有微弱的量子霍尔效应和沿着弹道传输的双极性的电场效应。正 是由于石墨烯这些独...
【技术保护点】
一种大面积优质氮掺杂石墨烯的制备方法，包括下述步骤：将碳氮源涂覆于铜催化剂表面或置于铜催化剂上，然后放入持续通入非氧化性气体的反应器中，在600～900℃条件下进行反应，得到沉积在所述铜催化剂表面的大面积优质氮掺杂石墨烯。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王朝晖，闫寿科，何冰，
申请(专利权)人：中国科学院化学研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。