【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
一种对非易失性存储器进行编程的方法,包括:向非易失性存储器提供存储器单元的阵列,每一个存储器单元具有定义阈值窗口的共同阈值电压范围;通过使用k个分界点D(i)将阈值窗口划分为2N=k+1个阈值电压带而将每一个存储器单元配置为存储N位数据,其中最低带表示擦除状态并且其后是表示k个递增编程状态P(i)的k个递增带;提供作为一系列脉冲的编程电压;在多次编程遍中将选择的字线上的存储器单元的页编程为相应的目标状态;所述多次编程遍包括第一次编程遍和更多次随后的编程遍之一以将页的全部存储器单元编程为相应的目标状态;并且其中第一次编程遍进一步包括:脉冲接脉冲地编程和验证具有在k个递增编程状态的较高一半中的目标状态的页的第一组存储器单元,所述编程状态以P([k+1]/2)开始并且以P(k)结束;所述验证相对于预定阈值电压,预定验证阈值电压使得能够验证放置在接近阈值窗口的中间而不超过D([k+1]/2+1)的具有P([k+1]/2)到P(k)之一的目标状态的全部存储器单元的编程;禁止相对于预定验证阈值电压已编程验证的第一组的每一个存储器单元的编程;以及在第一组的全部存储器单元相对于预定验证阈值已编程验证之 ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:李艳,C许,大和田健,
申请(专利权)人:桑迪士克科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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