【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池片制作工艺领域，尤其涉及一种太阳能电池硅片背面抛光及边缘刻蚀方法。
技术介绍
当今主流湿法刻蚀方法的现状和缺点: 1、利用溶液表面张力，使硅片漂浮在腐蚀液面进行背面和边缘的腐蚀，然后再用HF去除PSG。该方法的缺点是:由于PSG是亲水性的，硅片漂浮的时候，上表面亲水的PSG很容易将溶液吸附到上表面，造成过刻，电池有效工作面积减小，造成产品性能的下降。所以该放法对设备的机械精度要求很高，并且对使用过程中排风的稳定性等要求也比较高。 2、先去PSG，再使硅片漂浮在腐蚀液面进行刻蚀。去除PSG后的硅片上表面是疏水的，即使机械加工精度不是很高，，溶液也不易漫延到上表面去，能获得较窄的边缘刻蚀效果。该方法的缺点是:由于PSG先被去掉，硅片在进行后续KOH多孔硅去除工艺的时候，由于正面缺乏PSG的缓冲保护，碱液对PN结会轻微腐蚀，造成方块电阻不可控飘升的情况，给整个工艺的稳定性带来很大影响。 3、利用传动滚轮将腐蚀溶液带到硅片背面进行刻蚀，硅片与液面不直接接触，解决了溶液由于表面张力容易蔓延破坏正面的问题。该方法的缺点是:滚轮带液量有限，容易造成腐蚀不充分。另外由于带液滚轮的单一方向转动，会造成硅片前后两端腐蚀程度不同，导致刻蚀不均。 4、掩膜法刻蚀:在硅片扩散面做耐腐蚀的掩膜保护层，浸入腐蚀液完成刻蚀工艺后，清洗掉掩膜。由于掩膜的保护，正面不存在被破坏的问题。该方法的缺点是:硅片表面形成保护膜或保护胶本身即是成本很高的工序，而且掩膜保护层的有效去除往往也是很困难的。
技术实现思路
本专利技术是为了解决...
【技术保护点】
一种太阳能电池硅片背面抛光及边缘刻蚀方法，其特征在于：包括以下步骤：A、腐蚀掩膜保护层：在硅片正面，利用扩散自然形成的磷硅玻璃或硼硅玻璃作为硅片正面的掩膜保护层；将扩散完毕的硅片的背面和侧面的磷硅玻璃或硼硅玻璃腐蚀掉，然后用去离子水冲洗；B、腐蚀扩散层及抛光：将硅片放入选择性抛光腐蚀液中，将硅片没有掩膜保护层的背面、侧面的扩散层腐蚀掉，同步实现硅片背面的化学抛光，然后用去离子水冲洗；C、清洗：采用HF清洗硅片，并去除剩余的磷硅玻璃或硼硅玻璃层。
【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池硅片背面抛光及边缘刻蚀方法，其特征在于:包括以下步骤: A、腐蚀掩膜保护层:在硅片正面，利用扩散自然形成的磷硅玻璃或硼硅玻璃作为硅片正面的掩膜保护层；将扩散完毕的硅片的背面和侧面的磷硅玻璃或硼硅玻璃腐蚀掉，然后用...
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋新，郑晔，
申请(专利权)人：苏州晶洲装备科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。