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本发明公开了一种太阳能电池硅片背面抛光及边缘刻蚀方法，包括以下步骤：A、腐蚀掩膜保护层；B、腐蚀扩散层及抛光；C、清洗。本发明与现有技术相比的优点是：本发明采用掩膜保护扩散面，浸入式腐蚀，保证了良好的边缘刻蚀效果。保护层利用扩散自然形成的磷...
该专利属于苏州晶洲装备科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州晶洲装备科技有限公司授权不得商用。

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