奇数层基板的制造方法和奇数层基板技术

本发明专利技术公开了一种奇数层基板的制造方法和奇数层基板，其中，所述奇数层基板的制造方法包括在第一半固化片的两侧低温压合第一铜箔和第二铜箔，对第一铜箔进行保护，对第二铜箔进行光刻形成第一铜线路和铜电极，在第一铜线路和铜电极上高温压合并固化第二半固化片和第三铜箔，使得第一铜线路和铜电极嵌入第一半固化片和第二半固化片之间，对第一铜箔和第一半固化片以及第三铜箔和第二半固化片分别进行激光钻孔至铜电极形成盲孔，对盲孔除胶渣后，去除第一铜箔和第三铜箔，并在第一半固化片和第二半固化片上以及盲孔中形成化学镀铜层结构和位于其上的第二铜线路。本发明专利技术实现了奇数层基板的无翘曲制作，避免了孔中空洞的现象，且有效减小了基板的厚度。

【技术实现步骤摘要】
奇数层基板的制造方法和奇数层基板
本专利技术涉及微电子
，具体涉及一种奇数层基板的制造方法和奇数层基 板。
技术介绍
随着电路板朝向轻、薄、小及高密互连等趋势发展，为了在有限的表面上装载更多 的微型器件，三维封装应用而生，将芯片进行三维集成封装，即把芯片进行堆叠，以提高单 位面积上的封装密度。 现有技术中，一种方法是采用双面增层（Build-up)法来制作无芯基板，采用该方 法制作的无芯基板的导电通孔采用通孔电镀的方式进行填充，这种方法的优点是能解决无 芯基板的翘曲问题，缺点是在通孔电镀的过程中容易形成孔中空洞，空洞中封入电镀时的 电解液，在高温回流过程中，空洞中的气体膨胀会导致孔洞破裂，电解液长期存在会导致孔 洞被氧化蚀刻，形成开路，此外，这种方法不能制作奇数层无芯基板。 另一种方法是在承载板的两侧涂上胶以后采用增层法加工制作，再分离形成两个 无芯基板的制作方法，这种方法的优点是能制作奇数层无芯基板，缺点是每层树脂的加工 条件相差非常大，结构严重不对称，从承载板上分离以后，无芯基板的翘曲很大，从而影响 后续的组装工作。 因此如何制作一种无翘曲的奇数层基板是一个重要问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供一种奇数层基板的制造方法和奇数层基板，以解决 无翘曲奇数层基板的制作问题。 第一方面，本专利技术实施例提供了一种奇数层基板的制造方法，所述方法包括： S1、在第一半固化片的两侧低温压合第一铜箔和第二铜箔； S2、对所述第一铜箔进行保护，对所述第二铜箔进行光刻形成第一铜线路和铜电 极； S3、在所述第一铜线路和铜电极上依次高温压合并固化第二半固化片和第三铜 箔，压合后所述第一铜线路和所述铜电极嵌入所述第一半固化片和所述第二半固化片之 间； S4、对所述第一铜箔和第一半固化片以及所述第三铜箔和第二半固化片分别进行 激光钻孔至所述铜电极，形成盲孔； S5、对所述盲孔进行除胶渣； S6、在所述除胶渣后，去除所述第一铜箔和所述第三铜箔，并在所述第一半固化片 和第二半固化片上以及所述盲孔中形成化学镀铜层结构和位于其上的第二铜线路。 进一步地，所述去除所述第一铜箔和所述第三铜箔，并在所述第一半固化片和第 二半固化片上以及所述盲孔中形成化学镀铜层结构和位于其上的第二铜线路包括： 将所述第一铜箔和所述第三铜箔通过蚀刻去除，露出所述第一半固化片和所述第 二半固化片； 在所述露出的第一半固化片和第二半固化片上以及所述盲孔中进行化学镀铜，形 成化学镀铜层； 在所述化学镀铜层上光刻形成掩蔽膜图形，所述掩蔽膜图形将盲孔和需要电镀的 区域裸露出来； 电镀填充所述盲孔和需要电镀的区域，所述盲孔电镀填充后的电镀铜与位于盲孔 中的化学镀铜层和铜电极形成导电通孔，所述需要电镀的区域电镀填充后和所述盲孔填充 后的电镀铜形成第二铜线路； 电镀填充后去除掩蔽膜图形，露出部分化学镀铜层； 闪蚀所述去除掩蔽膜图形后露出的化学镀铜层部分，未被闪蚀的化学镀铜层部分 形成化学镀铜层结构。 进一步地，在步骤在所述除胶渣后，在所述第一半固化片和第二半固化片上以及 所述盲孔中形成化学镀铜层结构和位于其上的第二铜线路之后，所述方法还包括： S7、在基板两面的第二铜线路上分别高温压合并固化第三半固化片和第四铜箔， 其中，所述第四铜箔的厚度为2μπι ; S8、重复步骤S4至步骤S7形成Ν层奇数层基板，其中，Ν为大于3的奇数。 进一步地，所述第一铜箔和所述第三铜箔的厚度小于所述第二铜箔的厚度。 进一步地，所述第一铜箔、第二铜箔和第三铜箔的厚度相同。 进一步地，在步骤对所述第一铜箔和第一半固化片以及所述第三铜箔和第二半固 化片分别进行激光钻孔至所述铜电极，形成盲孔之前，所述方法还包括： 对所述第一铜箔和所述第三铜箔进行减铜处理，使得所述第一铜箔和所述第三铜 箔的厚度在5?6 μ m的范围内。 进一步地，在步骤将所述第一铜箔和所述第三铜箔通过蚀刻去除，露出所述第一 半固化片和所述第二半固化片之后，在步骤在所述露出的第一半固化片、第二半固化片和 盲孔上进行化学镀铜，形成化学镀铜层之前，所述方法还包括： 对所述第一半固化片、第二半固化片和盲孔进行等离子活化处理。 第二方面，本专利技术实施例提供了一种奇数层基板，所述基板包括： 设置在第一半固化片和第二半固化片之间的第一铜线路和铜电极； 设置在第一半固化片表面和第二半固化片表面上的化学镀铜层结构； 设置在所述化学镀铜层结构上的第二铜线路； 贯穿所述第一半固化片和所述第二半固化片的导电通孔，其中，所述导电通孔包 括两个背对背的盲孔、衬于所述盲孔内壁上的化学镀铜层结构、铜电极和填充在盲孔中并 与所述化学镀铜层结构接触的第二铜线路。 进一步地，所述两个背对背的盲孔分别从所述第一半固化片和所述第二半固化片 延伸到所述铜电极。 进一步地，所述基板还包括： 设置于基板两面的第N半固化片，所述第N半固化片设置于所述第二铜线路上，其 中，N为大于3的整数。 进一步地，所述导电通孔贯穿所述第N半固化片、所述第一半固化片和所述第二 半固化片。 本专利技术实施例提供的奇数层基板的制造方法和奇数层基板，第一方面通过将第一 铜线路和铜电极嵌入两张半固化片之间，从而有效减小了基板的厚度；第二方面基板相对 于第一铜线路和铜电极来说对称分布，从而能够制作奇数层基板，并且有效避免了基板翘 曲的缺陷；第三方面，由于导电通孔通过两个背对背的盲孔来形成，因此形成导电通孔的深 宽比减少一半，从而可以实现无空洞电镀。 【附图说明】 下面将通过参照附图详细描述本专利技术的示例性实施例，使本领域的普通技术人员 更清楚本专利技术的上述及其他特征和优点，附图中： 图1是本专利技术实施例一提供的一种奇数层基板的制造方法的流程图； 图2是本专利技术实施例二提供的一种奇数层基板的制造方法的流程图； 图3A-3J是本专利技术实施例二提供的一种奇数层基板制造方法的各步骤对应的结 构剖面示意图； 图4是本专利技术实施例三提供的一种奇数层基板的制造方法的流程图； 图5A-5B是本专利技术实施例三提供的一种奇数层基板制造方法的各步骤对应的结 构剖面示意图； 图6是本专利技术实施例四提供的一种奇数层基板的制造方法的流程图； 图7是本专利技术实施例五提供的一种奇数层基板的结构剖面示意图； 图8是本专利技术实施例六提供的一种奇数层基板的结构剖面示意图。 【具体实施方式】 下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描 述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便 于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部内容。 实施例一 图1是本专利技术实施例一提供的一种奇数层基板的制造方法的流程图，该方法包括 步骤S101至步骤S106,需要说明的是，本实施例以步骤S101至步骤S106来命名各步骤只 是为了方便区分各步骤，而并不是限定各步骤的先后顺序，在本专利技术的不同实施例中，各步 骤可根据工艺的调节来调整先后顺序。 步骤S101、在第一半固本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种奇数层基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括:S1、在第一半固化片的两侧低温压合第一铜箔和第二铜箔；S2、对所述第一铜箔进行保护，对所述第二铜箔进行光刻形成第一铜线路和铜电极；S3、在所述第一铜线路和铜电极上高温压合并固化第二半固化片和第三铜箔，压合后所述第一铜线路和所述铜电极嵌入在所述第一半固化片和所述第二半固化片之间；S4、对所述第一铜箔和第一半固化片以及所述第三铜箔和第二半固化片分别进行激光钻孔至所述铜电极，形成盲孔；S5、对所述盲孔进行除胶渣；S6、在所述除胶渣后，去除所述第一铜箔和所述第三铜箔，并在所述第一半固化片和第二半固化片上以及所述盲孔中形成化学镀铜层结构和位于其上的第二铜线路。

【技术特征摘要】
1. 一种奇数层基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括： 51、 在第一半固化片的两侧低温压合第一铜箔和第二铜箔； 52、 对所述第一铜箔进行保护，对所述第二铜箔进行光刻形成第一铜线路和铜电极； 53、 在所述第一铜线路和铜电极上高温压合并固化第二半固化片和第三铜箔，压合后 所述第一铜线路和所述铜电极嵌入在所述第一半固化片和所述第二半固化片之间； 54、 对所述第一铜箔和第一半固化片以及所述第三铜箔和第二半固化片分别进行激光 钻孔至所述铜电极，形成盲孔； 55、 对所述盲孔进行除胶渣； 56、 在所述除胶渣后，去除所述第一铜箔和所述第三铜箔，并在所述第一半固化片和第 二半固化片上以及所述盲孔中形成化学镀铜层结构和位于其上的第二铜线路。2. 根据权利要求1所述的奇数层基板的制造方法，其特征在于，所述去除所述第一铜 箔和所述第三铜箔，并在所述第一半固化片和第二半固化片上以及所述盲孔中形成化学镀 铜层结构和位于其上的第二铜线路包括： 将所述第一铜箔和所述第三铜箔通过蚀刻去除，露出所述第一半固化片和所述第二半 固化片； 在所述露出的第一半固化片和第二半固化片上以及所述盲孔中进行化学镀铜，形成化 学镀铜层； 在所述化学镀铜层上光刻形成掩蔽膜图形，所述掩蔽膜图形将盲孔和需要电镀的区域 裸露出来； 电镀填充所述盲孔和需要电镀的区域，所述盲孔电镀填充后的电镀铜与位于盲孔中的 化学镀铜层和铜电极形成导电通孔，所述需要电镀的区域电镀填充后和所述盲孔电镀填充 后的电镀铜形成第二铜线路； 电镀填充后去除掩蔽膜图形，露出部分化学镀铜层； 闪蚀所述露出的化学镀铜层部分，未被闪蚀的化学镀铜层部分形成化学镀铜层结构。3. 根据权利要求1所述的奇数层基板的制造方法，其特征在于，在步骤S6之后，所述方 法还包括： 57、 在基板两面的第二铜线路上分别高温压合并固化第三半固化片和第四铜箔，其中， 所述第四铜箔的厚度为2μπι; ...

【专利技术属性】
技术研发人员：于中尧，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32