内嵌式封装体结构制造技术

本实用新型专利技术揭露一种内嵌式封装体结构，其包括：至少一封装体，所述封装体包括至少一内嵌座体，所述内嵌座体具有至少一连接端口，所述连接端口开放于所述封装体外侧。本实用新型专利技术特点在于，改进现有系统级封装结构将多颗IC封装整合于同一封装体时所发生因单一IC故障而导致整颗封装体报废的缺失，可方便组装、扩充、测试与替换IC零件，同时具有缩短工艺时间、降低积热、节省成本以及增加良率的功效。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
内嵌式封装体结构
本技术涉及一种封装体结构，尤其涉及一种具有内嵌座体的整合式封装体结构。
技术介绍
近年来的半导体封装技术包括有二维的系统单芯片(System on Chip ；SoC)，目的在于将电子系统集成于单一芯片的集成电路，并具有低功耗、高性能、实装面积小的优点，但系统单芯片的设计时间太长，且不同元件封装于同一颗IC上，其所生产的1C，仍占有相当大面积，其应用范围有限。而系统级封装(System in Package ;SiP)为新型的封装技术,可将一个系统或子系统的全部或大部分电子功能配置在整合型基板，相较于SOC更具有小型化、高功能、开发周期短、低价格的优点，其中，系统级封装包括三维整合型的系统级封装(SiP) 3D IC,以及同为3D整合型的硅穿孔(Through Silicon Via ；TSV) 3D IC等3种技术。但硅穿孔3D IC技术，技术门槛与制造成本仍太高，应用尚未广泛，故目前以如多芯片封装(Mult1-chip Package ;MCP)技术、芯片堆叠(Stack Die)、层叠封装(Package onPackage ;PoP)、PiP (Pa本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种内嵌式封装体结构，其特征在于，包括： 至少一封装体，所述封装体包括至少一第一内嵌座体，所述第一内嵌座体具有至少一连接端口，所述连接端口开放于所述封装体外侧。

【技术特征摘要】
2013.07.01 TW 102212355;2013.07.11 TW 102124848;201.一种内嵌式封装体结构，其特征在于，包括: 至少一封装体，所述封装体包括至少一第一内嵌座体，所述第一内嵌座体具有至少一连接端口，所述连接端口开放于所述封装体外侧。2.根据权利要求1所述的内嵌式封装体结构，其特征在于，所述封装体更包括至少一第一电路基板与所述第一内嵌座体连接。3.根据权利要求1或2所述的内嵌式封装体结构，其特征在于，更包括至少一中介层及至少一连接件，所述中介层设于所述封装体一表面以连接一第一电子载体，所述连接件电性连接个别的所述封装体与所述第一电子载体。4.根据权利要求3所述的内嵌式封装体结构，其特征在于，所述第一电子载体为电路板或芯片或电子元件或封装元件，所述第一电...

【专利技术属性】
技术研发人员：龙振炫，吕建贤，郑雅云，林国华，
申请(专利权)人：群丰科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾;71