光电封装体及其制造方法技术

一种光电封装体，其包括一光电芯片、一透光保护层以及多个接垫；光电芯片具有一上表面以及一位于上表面的主动区；透光保护层连接光电芯片，并覆盖上表面，其中透光保护层接触并全面性地附着于主动区；多个接垫电性连接光电芯片；本发明专利技术还提供一种光电封装体的制造方法：提供芯片组件，芯片组件包括光电芯片、多个接垫以及基板，光电芯片与多个接垫配置在基板上，而光电芯片具有上表面以及位于上表面的主动区；覆盖透光材料于芯片组件上，其中透光材料覆盖上表面并全面性地覆盖主动区；以及固化透光材料，以使透光材料转变为透光保护层。本发明专利技术通过透光保护层覆盖及接触光电芯片的主动区，使光电封装体内部基本上不会形成存留空气的间隙或腔室。

【技术实现步骤摘要】
光电封装体及其制造方法
本专利技术涉及一种半导体封装体及其制造方法，且特别涉及一种光电封装体及其制造方法。
技术介绍
现今的影像传感器，例如互补式金属氧化物半导体影像传感器(CMOSImageSensor，CIS)，通常具有封装壳(housing)、芯片(chip)以及载板(carrier)。封装壳具有一容置空间，且封装壳与芯片皆装设在载板上，其中封装壳罩盖整个芯片，而芯片位在容置空间内。在封装壳与芯片装设在载板上之后，容置空间会形成密闭的腔室(cavity)，而此腔室内会存留空气。具体而言，封装壳通常包括框体(frame)与玻璃板，其中容置空间是由框体与玻璃板所定义。在封装壳与芯片皆装设在载板上之后，框体会围绕芯片，而玻璃板则位在芯片主动区(activearea)的正上方，其中透光板不会接触主动区，且透光板与主动区之间会存留空气。如此，外界的光线在穿过透光板之后得以入射至主动区，以使芯片能感测到外界的光线。封装壳通常是用热固性胶体而黏合于载板，所以在封装壳装设于载板的过程中，封装壳会先用尚未固化的热固性胶体黏合于载板。之后，进行加热流程，以固化热固性胶体。为避免封装壳内的空气因受热膨胀而挤破热固性胶体，封装壳或载板通常设有逃气孔，以使封装壳内的空气能从逃气孔释出。此外，在完成封装壳的装设之后，会在逃气孔内填入胶材来封住逃气孔，以防止水气或灰尘进入封装壳内而干扰芯片的运作。
技术实现思路
本专利技术提供一种光电封装体，其具有透光保护层，而此透光保护层覆盖并接触芯片的主动区。本专利技术另提供一种光电封装体的制造方法，以用于制造上述光电封装体。本专利技术提出一种光电封装体，其包括一光电芯片、一透光保护层以及多个接垫。光电芯片具有一上表面以及一位于上表面的主动区。透光保护层连接光电芯片，并覆盖上表面，其中透光保护层接触并全面性地附着于主动区。这些接垫电性连接光电芯片。换句话说，本专利技术提供一种光电封装体，其特征在于，该光电封装体包括：光电芯片，具有上表面以及位于该上表面的主动区；透光保护层，连接该光电芯片，并覆盖该上表面，其中该透光保护层接触并全面性地附着于该主动区；以及多个接垫，电性连接该光电芯片。本专利技术其中一实施例另提出一种光电封装体的制造方法。首先，提供一芯片组件，其中芯片组件包括一光电芯片、多个电性连接光电芯片的接垫以及一基板；光电芯片与这些接垫配置在基板上，而光电芯片具有一上表面以及一位于上表面的主动区；接着，覆盖一透光材料于一芯片组件上，其中透光材料覆盖上表面并全面性地覆盖主动区；之后，固化透光材料，以使透光材料转变为一透光保护层。基于上述，上述透光保护层覆盖光电芯片，并且覆盖及接触光电芯片的主动区，以使光电封装体内部基本上不会形成存留空气的间隙或腔室。如此，透光保护层得以密封以及保护光电芯片。为使能更进一步了解本专利技术的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，但是此等说明与所附附图仅用来说明本专利技术，而非对本专利技术的保护范围作任何的限制。附图说明图1A至图1D是本专利技术实施例一的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图；图2A至图2C是本专利技术实施例二的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图；图3A至图3B是本专利技术实施例三的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图；图4A至图4C是本专利技术实施例四的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图；图5A至图5B是本专利技术实施例五的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图；图6A至图6D是本专利技术实施例六的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图；图7A至图7B是本专利技术实施例七的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图；图8A至图8B是本专利技术实施例八的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图；图9A至图9B是本专利技术实施例九的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图；图10A至图10C是本专利技术实施例十的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图；图11A至图11C是本专利技术实施例十一的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图；图12A至图12B是本专利技术实施例十二的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图；图13A至图13B是本专利技术实施例十三的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图；图14是本专利技术其中一实施例的光电封装体在其光电芯片处的局部放大立体示意图。【主要元件附图标记说明】10、20：芯片组件16、16’、16”：透光材料69：硅基板100、200、300、400、401、500、501、600、700、800、801、900：光电封装体110、210：光电芯片112：上表面114、214：主动区120、220：接垫122：底平面130：键合导线140、240、240’、940、940’：基板150、450、650：透光基板152：容置槽154、452：平面160、260、460、460’、560、660、860：透光保护层162：底面170：离形层180：滤光层242：外部线路244：组装平面280、380：接合层490、490’、590、590’、690、990：挡墙680t、780t：第一接合层680b：第二接合层690h、990h：开口692：顶面694：底面790、790’：间格件792、792’：通孔942：贯孔G1、G2：间隙P1：微粒具体实施方式实施例一图1A至图1D是本专利技术实施例一的光电封装体的制造方法的剖面流程示意图。请先参阅图1D，其表示出大致上已制造完成的实施例一的光电封装体100，而以下先介绍光电封装体100的结构。光电封装体100包括一光电芯片110、一透光保护层160以及多个接垫120。光电芯片110可以是已封装好的芯片，或尚未封装的裸晶(die)。在功能方面，光电芯片110可以是光感测元件(photo-sensingcomponent)或发光元件(light-emittingcomponent)，其中光感测元件可为影像传感器，其例如是互补式金属氧化物半导体影像传感器(CIS)或电荷耦合元件(Charge-CoupledDevice，CCD)，而发光元件例如是发光二极管(Light-EmittingDiode，LED)。光电芯片110具有一上表面112与一位于上表面112的主动区114，而主动区114能接收光线或发出光线。当光电芯片110为光感测元件时，主动区114能接收光线。当光电芯片110为发光元件时，光电芯片110可从主动区114发出光线，即主动区114可为发光元件的出光面。透光保护层160连接光电芯片110，并且覆盖上表面112，其中透光保护层160接触并全面性地附着于(attached)主动区114，而在本实施例中，透光保护层160还紧密地包覆光电芯片110，并且全面性地及紧密地附着于上表面112与主动区114，以至于透光保护层160与光电芯片110之间基本上不会形成任何间隙(gap)或腔室。此外，透光保护层160的成分可以含有酰胺树脂(amideresin)。在本实施例中，透光保护层160可为透明无色，并具有高透光率，其可介于90％至100％之间，例如透光率可为99％。不过，在其他实施例中，透光保护层160内可掺入吸光材料，例如染料，以使透光保护层160具有滤光的效果。如此，透光保护层160能滤除部分光线(例如紫外光等不可见光)，并只允许波长在特定范围内的光线(例如红光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电封装体，其特征在于，该光电封装体包括：光电芯片，具有上表面以及位于该上表面的主动区；透光保护层，连接该光电芯片，并覆盖该上表面，其中该透光保护层接触并全面性地附着于该主动区；以及多个接垫，电性连接该光电芯片。

【技术特征摘要】
2012.12.28 TW 101151227;2013.02.04 TW 1021042701.一种光电封装体，其特征在于，该光电封装体包括：光电芯片，具有上表面、位于该上表面的主动区以及逻辑电路；透光保护层，连接该光电芯片，并覆盖该上表面，其中该透光保护层接触并全面性地附着于该主动区，并用于覆盖及固定位于该主动区上的微粒，而该逻辑电路用于侦测微粒在该主动区上的所在位置，并根据该微粒的所在位置，利用算法来调整该光电芯片的影像撷取功能；以及多个接垫，电性连接该光电芯片。2.如权利要求1所述的光电封装体，其特征在于，该透光保护层的成分含有酰胺树脂。3.如权利要求1所述的光电封装体，其特征在于，该光电封装体还包括多条键合导线，该多条键合导线连接该光电芯片与该多个接垫。4.如权利要求3所述的光电封装体，其特征在于，该透光保护层接触该多条键合导线，并包覆各该键合导线的至少一部分。5.如权利要求1所述的光电封装体，其特征在于，该光电封装体还包括挡墙，该挡墙围绕该光电芯片，并接触该透光保护层。6.如权利要求5所述的光电封装体，其特征在于，该挡墙为模封材料或硅基板。7.如权利要求5所述的光电封装体，其特征在于，该挡墙还围绕该透光保护层，且该挡墙的厚度大于该光电芯片的厚度。8.如权利要求7项所述的光电封装体，其特征在于，该光电封装体还包括透光基板与线路基板，该透光基板配置在该透光保护层上，并连接该透光保护层，该线路基板具有组装平面，而该多个接垫、该挡墙与该光电芯片配置在该组装平面上，其中该光电芯片、该挡墙与该透光保护层位于该透光基板与该线路基板之间。9.如权利要求8所述的光电封装体，其特征在于，该光电封装体还包括第一接合层与第二接合层，其中该第一接合层连接于该透光基板与该挡墙之间，而该第二接合层连接于该挡墙与该线路基板之间。10.如权利要求9所述的光电封装体，其特征在于，该第一接合层的材料与该透光保护层的材料相同。11.如权利要求5所述的光电封装体，其特征在于，该挡墙接触该光电芯片。12.如权利要求11所述的光电封装体，其特征在于，该光电封装体还包括透光基板与线路基板，该透光基板配置在该透光保护层上，并连接该透光保护层，该线路基板具有组装平面，而该多个接垫、该挡墙与该光电芯片配置在该组装平面上，其中该光电芯片、该挡墙与该透光保护层位于该透光基板与该线路基板之间，而该透光保护层夹置于该透光基板与该挡墙之间，以及夹置于该透光基板与该光电芯片之间。13.如权利要求8所述的光电封装体，其特征在于，该线路基板还具有至少一贯孔，该透光保护层填满该至少一贯孔。14.如权利要求1所述的光电封装体，其特征在于，该光电封装体还包括透光基板，该透光基板具有容置槽，该光电芯片与该多个接垫皆配置在该容置槽内，该透光保护层填充于该容置槽，并包覆该光电芯片与该多个接垫。15.如权利要求14所述的光电封装体，其特征在于，该光电封装体还包括线路基板与接合层，该线路基板具有组装平面，而该多个接垫与该光电芯片皆配置在该组装平面上，其中该透光保护层接触并连接该组装平面，该接合层位于该容置槽外，并连接该线路基板与该透光基板。16.如权利要求15所述的光电封装体，其特征在于，该接合层的材料与该透光保护层的材料相同。17.如权利要求1所述的光电封装体，其特征在于，该光电封装体还包括配置在该透光保护层上的滤光层。18.一种光...

【专利技术属性】
技术研发人员：卓恩民，罗启彰，林南君，张简上煜，
申请(专利权)人：群丰科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71