具有金属-绝缘体-金属电容器的封装件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了具有金属-绝缘体-金属电容器的封装件及其制造方法。具体来说，本发明专利技术公开了一种封装件包括芯片，该芯片具有在第一聚合物层中形成的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器和在MIM电容器上形成的金属柱。模塑料围绕芯片，第二聚合物层在芯片和模塑料上形成，第三聚合物层在第二聚合物层上形成，互连结构在第二聚合物层和第三聚合物层之间形成并且与金属柱和MIM电容器电连接，并且凸块在互连结构的上方形成并且与互连结构电连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及封装件和制造该封装件的方法，更具体而言，涉及具有金属-绝缘体-金属(MIM)电容器的封装件及其制造方法。
技术介绍
射频(RF)和混合信号集成电路利用电容器元件去耦、过滤和振荡。由于金属提供适用于低成本下的高速应用的无耗尽，高电导电极这一优点，金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构已经在模拟、混合信号和RF器件中用作电容器。MIM电容器结构具有将其插入两个中间金属层之间的灵活性的优点。对于日益复杂的混合信号和RF应用，MIM电容器面积受到芯片尺寸参数的限制。
技术实现思路
为了解决现有技术中所存在的问题，根据本专利技术的一个方面，提供了一种封装件，包括:芯片，包括形成在第一聚合物层中的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器和形成在所述MIM电容器上的金属柱；围绕所述芯片的模塑料；第二聚合物层，形成在所述芯片和所述模塑料上；第三聚合物层，形成在所述第二聚合物层上；互连结构，形成在所述第二聚合物层和所述第三聚合物层之间并且与所述金属柱和所述MM电容器电连接；以及凸块，形成在所述互连结构上方并且与所述互连结构电连接。在所述封装件中，所述MM电容器包括下金属层、上金属层以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装件，包括：芯片，包括形成在第一聚合物层中的金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器和形成在所述MIM电容器上的金属柱；围绕所述芯片的模塑料；第二聚合物层，形成在所述芯片和所述模塑料上；第三聚合物层，形成在所述第二聚合物层上；互连结构，形成在所述第二聚合物层和所述第三聚合物层之间并且与所述金属柱和所述MIM电容器电连接；以及凸块，形成在所述互连结构上方并且与所述互连结构电连接。

【技术特征摘要】
2013.02.11 US 13/764,1971.一种封装件，包括: 芯片，包括形成在第一聚合物层中的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器和形成在所述MIM电容器上的金属柱； 围绕所述芯片的模塑料； 第二聚合物层，形成在所述芯片和所述模塑料上； 第三聚合物层，形成在所述第二聚合物层上； 互连结构，形成在所述第二聚合物层和所述第三聚合物层之间并且与所述金属柱和所述MIM电容器电连接；以及 凸块，形成在所述互连结构上方并且与所述互连结构电连接。2.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述MIM电容器包括下金属层、上金属层以及形成在所述下金属层和所述上金属层之间的电容器介电层，并且所述电容器介电层包括氮化物层。3.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述MIM电容器包括下金属层、上金属层以及形成在所述下金属层和所述上金属层之间的电容器介电层，并且所述金属柱形成在所述上金属层上。4.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述MIM电容器包括下金属层、上金属层以及形成在所述下金属层和所述上金属层之间的电容器介电层，并且所述金属柱形成在所述下金属层未被所述上金属层和所述电容器介电层覆盖的延伸部分上。5.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述金属柱形成在所述第一聚合物层中并且位于所述互连结构和所述MM电容器之间。6.根据权利要求2所述的封装件，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：余振华，侯上勇，邱文智，洪瑞斌，叶德强，叶炅翰，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71