用于操纵极薄器件晶片的方法技术

本发明专利技术描述了在穿硅过孔(TSV)处理期间操纵器件晶片的结构和方法，其中使用永久热固性材料来将器件晶片接合到临时支撑衬底。当移除临时支撑衬底后，暴露出包括回流焊料凸起和永久热固性材料的平面前侧接合表面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及三维(3D)封装，且更具体地涉及穿硅过孔(TSV)的集成。
技术介绍
3D封装作为对朝着片上系统(SOC)和封装中系统(SIP)的微电子发展的解决方案而出现。特别是，具有TSV的3D倒装芯片结构有可能被广泛采用。TSV3D封装通常包含垂直地叠置的两个或多个芯片，其中穿硅衬底过孔代替边缘布线以产生在每个芯片上的电路元件之间的电连接。在TSV处理期间，器件晶片一般在厚度上被减薄回到50-100 μ m。在没有某种类型的支撑系统保持晶片平坦并保护易碎的减薄的晶片使其免受机械损坏(例如切削、破裂等)的情况下，这样薄的晶片不能被成功地操纵(handle)。当前TSV工艺一般包括使用临时粘合剂将器件晶片附着到临时支撑晶片并接着在工艺流程序列结束时将减薄的器件晶片从支撑晶片分离。有几种实现方式可用于将减薄的器件晶片从支撑晶片分离。在第一实现方式中，使用热释放。在这个实现方式中，热塑性粘合剂用于将器件晶片临时接合到临时支撑晶片。一旦完成TSV处理，就使用热来软化粘合剂，且接着将减薄的晶片从临时支撑晶片机械地分离。在第二实现方式中，使用紫外(UV)释放。在这个实现方式中，器件晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种结构，包括：半导体衬底，其具有前表面、后表面、微电子器件和穿过所述半导体衬底在所述后表面和所述前表面之间延伸的过孔；回流的焊料凸起，其形成在所述前表面之上；以及固化的热固性材料，其形成在所述前表面之上和所述回流的焊料凸起周围，其中所述固化的热固性材料和所述回流的焊料凸起形成平面前侧接合表面。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种结构，包括: 半导体衬底，其具有前表面、后表面、微电子器件和穿过所述半导体衬底在所述后表面和所述前表面之间延伸的过孔； 回流的焊料凸起，其形成在所述前表面之上；以及 固化的热固性材料，其形成在所述前表面之上和所述回流的焊料凸起周围，其中所述固化的热固性材料和所述回流的焊料凸起形成平面前侧接合表面。2.如权利要求1所述的结构，其中所述过孔包括铜。3.如权利要求1所述的结构，其中所述固化的热固性材料选自于由固化的环氧树脂、固化的酚醛树脂、固化的聚酰亚胺和固化的聚苯并恶唑(PBO)组成的组。4.一种3D封装结构,包括: 衬底； 芯片，其包括: 半导体衬底，其具有前表面、后表面、微电子器件和穿过所述半导体衬底在所述后表面和所述前表面之间延伸的过孔； 回流的焊料凸起，其形成在所述前表面之上；以及 固化的热固性材料，其形成在所述前表面之上和所述回流的焊料凸起周围，其中所述固化的热固性材料和所述回流的焊料凸起形成平面前侧接合表面； 其中所述平面前侧接合表面附着到所述衬底。5.如权利要求4所述的3D封装结构，还包括叠置在所述芯片之上的第二芯片。6.如权利要求5所述的3D封装结构，还包括系统，所述系统包括通信地耦合到所述3D封装结构的总线。7.一种方法，包括: 提供包括前表面和形成在所述前表面之上的焊料凸起的器件晶片； 提供包括平面润湿表面的支撑衬底，其中热固性材料层形成在所述平面润湿表面上； 在热和压力之下将所述器件晶片接合到所述支撑衬底，其中所述接合包括: 利用焊料凸起穿透所述热固性材料层； 在使所述焊料凸起回流期间利用所述焊料凸起润湿所述平面润湿表面；以及 至少部分地固化所述热固性材料；以及 移...

【专利技术属性】
技术研发人员：K·J·李，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国;US