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本发明描述了在穿硅过孔(TSV)处理期间操纵器件晶片的结构和方法，其中使用永久热固性材料来将器件晶片接合到临时支撑衬底。当移除临时支撑衬底后，暴露出包括回流焊料凸起和永久热固性材料的平面前侧接合表面。...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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