【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及端接互连结构以及在芯片和基板之间的连接。
技术介绍
在对于越来越复杂的电子元件的小型化需求越来越大的带动下,诸如计算机和电信设备等消费电子产品的集成度越来越高。这已经导致要求支撑结构如IC基板和IC插件具有通过介电材料彼此电绝缘的高密度的多个导电层和通孔。这种支撑结构的总体要求是可靠性和适当的电气性能、薄度、刚度、平整度、散热性好和有竞争力的单价。在实现这些要求的各种途径中,一种广泛实施的创建层间互连通孔的制造技术是采用激光钻孔,所钻出的孔穿透后续布设的介电基板直到最后的金属层,后续填充金属,通常是铜,该金属通过镀覆技术沉积在其中。这种成孔方法有时也被称为“钻填”,由此产生的通孔可称为“钻填通孔”。但是,钻填孔方法存在大量缺点。因为每个通孔需要单独钻孔,所以生产率受限,并且制造复杂的多通孔IC基板和插件的成本变得高昂。在大型阵列中,通过钻填方法难以生产出高密度和高品质、彼此紧密相邻且具有不同的尺寸和形状的通孔。此外,激光钻出的通孔具有穿过介电材料厚度的粗糙侧壁和内向锥度。该锥形减小了通孔的有效直径。特别是在超小通孔直径的情况下,也可能对于在先的导电金属层的电接触产生不利影响,由此导致可靠性问题。而且,在被钻的电介质是包括聚合物基质中的玻璃或陶瓷纤维的复合材料时,侧壁特别粗糙,并且这种粗糙度可能会导致产生杂散电感。钻出的通孔的填充过程通常是通过铜电镀来完成的。在钻出的孔中进行< ...
【技术保护点】
一种多层复合电子结构,包括至少一对在X‑Y平面内延伸的特征层,每个相邻对的特征层由内通孔层间隔开,所述通孔层包括在垂直于X‑Y平面的Z方向上连接相邻特征层的通孔柱,所述通孔柱嵌入在内层电介质中,所述多层复合电子结构还包括由嵌入在外介电材料中的外通孔柱层构成的端子,其被减薄以暴露出外通孔柱层的端部。
【技术特征摘要】
2013.06.07 US 13/912,6521.一种多层复合电子结构,包括至少一对在X-Y平面内延伸的特征
层,每个相邻对的特征层由内通孔层间隔开,所述通孔层包括在垂直于X-Y
平面的Z方向上连接相邻特征层的通孔柱,所述通孔柱嵌入在内层电介质
中,所述多层复合电子结构还包括由嵌入在外介电材料中的外通孔柱层构成
的端子,其被减薄以暴露出外通孔柱层的端部。
2.如权利要求1所述的多层复合电子结构,其中暴露的外通孔柱层与
倒装芯片凸点可互连。
3.如权利要求1所述的多层复合电子结构,其中嵌入在外介电材料中
的具有暴露端部的减薄的外通孔柱层是基本平坦的。
4.如权利要求3所述的多层复合电子结构,其中嵌入在外介电材料中
的具有暴露端部的减薄的外通孔柱层具有小于3微米的粗糙度。
5.如权利要求2所述的多层复合电子结构,其中所述通孔柱利用可焊
接金属通过回流焊连接至所述倒装芯片凸点。
6.如权利要求2所述的多层复合电子结构,其中所述通孔柱通过Z-导
电各向异性粘接材料连接至所述倒装芯片凸点。
7.如权利要求2所述的多层复合电子结构,其中所述通孔柱或下方端
接焊盘中的至少其一的形状不是圆形。
8.如权利要求7所述的多层复合电子结构,其中所述通孔柱或下方端
接焊盘中的至少其一的形状选自椭圆形、正方形、矩形和长方形。
9.如权利要求1所述的多层复合电子结构,其中所述外介电层包括聚
合物。
10.如权利要求1所述的多层复合电子结构,其中所述外介电层包括阻
焊层。
11.如权利要求1所述的多层复合电子结构,其中所述外通孔柱包括
铜。
12.如权利要求1所述的多层复合电子结构,还包括施加在所述外通孔
柱的暴露端部上的有机清漆,用以防止通孔柱金属氧化。
13.如权利要求1所述的多层复合电子结构,其中所述外通孔柱端接金
\t或镍以防止氧化。
14.如权利要求1所述的多层复合电子结构,其中至少一个外层通孔柱
具有小于50微米的直径。
15.如权利要求1所述的多层复合电子结构,其中至少一个外层通孔柱
具有小于40微米的直径。
16.如权利要求1所述的多层复合电子结构,其中至少一个外层通孔柱
具有30微米或30微米以下的直径。
17.如权利要求1所述的多层复合电子结构,其中所述多层复合电子结
构在Z方向上的厚度超过50微米。
18.如权利要求1所述的多层复合电子结构,其中端接焊盘层和至少一
个外通孔柱层可通过包括以下步骤的方法制造:
(a)获得基板,所述基板包括经处理暴露出铜的下方通孔柱层;
(b)用种子层覆盖所述基板;
(c)在所述种子层上施加第一光刻胶层;
(d)曝光和显影所述光刻胶以形成端接焊盘的负性图案;
(e)在所述负性图案中沉积金属以制造特征层;
(f)剥除所述第一光刻胶层;
(g)施加第二光刻胶层;
(h)曝光和显影出负性图案,在所述负性图案中包括多个外...
【专利技术属性】
技术研发人员:卓尔·赫尔维茨,黄士辅,
申请(专利权)人:珠海越亚封装基板技术股份有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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