顶层金属互连层的制造方法技术

本发明专利技术提供一种顶层金属互连层的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成器件结构，并在所述器件结构上形成若干层底层金属互连层；利用电镀工艺，在所述若干层底层金属互连层上形成顶层金属互连层，所述顶层金属互连层的晶粒尺寸小于1μm；接着，直接对所述顶层金属互连层进行化学机械研磨工艺；在所述顶层金属互连层上覆盖钝化层。本发明专利技术所述顶层金属互连层的制造方法，能够避免顶层金属互连层晶粒尺寸增加，使晶体尺寸控制在小于1μm的范围之内，从而在保持半导体器件的晶圆导通测试合格率同时，保证在化学机械研磨工艺过程中，提高顶层金属互连层的机械抗压力，避免半导体器件发生断裂、坍塌等问题，进一步提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成器件结构，并在所述器件结构上形成若干层底层金属互连层；利用电镀工艺，在所述若干层底层金属互连层上形成顶层金属互连层，所述顶层金属互连层的晶粒尺寸小于1μm；接着，直接对所述顶层金属互连层进行化学机械研磨工艺；在所述顶层金属互连层上覆盖钝化层。本专利技术所述，能够避免顶层金属互连层晶粒尺寸增加，使晶体尺寸控制在小于1μm的范围之内，从而在保持半导体器件的晶圆导通测试合格率同时，保证在化学机械研磨工艺过程中，提高顶层金属互连层的机械抗压力，避免半导体器件发生断裂、坍塌等问题，进一步提高产品良率。【专利说明】
本专利技术涉及一种半导体器件的制造方法，尤其涉及一种。
技术介绍
在传统的半导体制造工艺中，顶层金属互连层(Top Metal)是不可缺少的一部分，随着相关领域的发展，对电感器件的要求逐步提高，也就是需要有着更优的品质因数Q值，由于降低顶层金属互连层的电阻率可以提高Q值，而降低顶层金属互连层的电阻率一般采用顶层金属互连层加厚的方式来达到，所以越来越多的厂家对顶层金属互连层的厚度做出了较高的要求，甚至会本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种顶层金属互连层的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成器件结构，并在所述器件结构上形成若干层金属互连层；利用电镀工艺，在所述若干层底层金属互连层上形成顶层金属互连层，所述顶层金属互连层的晶粒尺寸小于1μm；执行电镀工艺后，直接对所述顶层金属互连层进行化学机械研磨工艺；在所述顶层金属互连层上覆盖钝化层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李广宁，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31