连接件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种连接件及其制造方法。所述连接件的制造方法，包括：在基底上形成第一导电层；对所述第一导电层进行离子掺杂，以形成第二导电层；所述第二导电层的颗粒尺寸小于所述第一导电层的颗粒尺寸。所述连接件包括：基底；位于基底上的导电层，所述导电层中掺杂有离子。本发明专利技术可以提高连接件的制造良率。

【技术实现步骤摘要】
连接件及其制造方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种连接件及其制造方法。
技术介绍
随着集成电路技术的不断发展，电子产品越来越向小型化、智能化、高性能以及高可靠性方向发展。而集成电路封装不仅直接影响着集成电路、电子模块乃至整机的性能，而且还制约着整个电子系统的小型化、低成本和可靠性。在集成电路晶片尺寸逐步缩小，集成度不断提高的情况下，电子工业对集成电路封装技术提出了越来越高的要求。在公开号为US7514797B2的美国专利中公开了一种封装结构。参考图1，示出了所述美国专利的一种封装结构的示意图。所述封装结构包括：电路112，位于所述电路112下方与所述电路112的连接端相连的接触插塞118，与所述接触插塞118相连的底部配线层116，与所述底部配线层116相连的穿透硅通道114，与所述穿透硅通道114相连的顶部配线层810，与所述顶部配线层810相接触的顶部焊球1010。在所述封装结构中，通过所述接触插塞118、底部配线层116、穿透硅通道114、顶部配线层810以及焊球1010等的连接件将所述电路112的连接端引出。然而，实际工艺中，所述底部配线层116、底部配线层116本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种连接件的制造方法，其特征在于，包括：在基底上形成第一导电层；对所述第一导电层进行离子掺杂，以形成第二导电层；所述第二导电层的颗粒尺寸小于所述第一导电层的颗粒尺寸。

【技术特征摘要】
1.一种连接件的制造方法，其特征在于，包括：在基底上形成第一导电层；对所述第一导电层进行离子掺杂，以形成第二导电层，所述第一导电层和第二导电层的材料为铝，所述离子掺杂的步骤包括：通过硼离子对所述铝材料的第一导电层进行离子注入，离子注入的能量为5KeV～50KeV，剂量小于1E27atom/cm2；所述第二导电层的颗粒尺寸小于所述第一导电层的颗粒尺寸；在通过硼离子进行离子注入之后执行退火步骤，所述退火的温度位于250～450℃的范围内，退火的时间位于15～300s的范围内。2.如权利要求1所述的连接件的制造方法，其特征在于，所述第一导电层为金属材料。3.如权利要求2所述的连接件的制造方法，其特征在于，在基底上形成第一导电层的步骤包括：通过物理气相沉积的方式形成所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：周鸣，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31