覆晶接合方法技术

一种覆晶接合方法，将一芯片通过多个凸块以覆晶方式接置于一基板上，令部份的凸块仅接置于该基板或芯片上，再以一对象抵靠并施加压力于该芯片，从而使该部分仅接置于该基板或芯片上的凸块同时接触该基板及芯片，然后，回焊所述多个凸块，使所述多个凸块皆连接基板与芯片，以提升覆晶接合良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，更详言之，本专利技术为ー种将芯片以覆晶方式接合至基板上的方法。
技术介绍
现今半导体技术愈来愈成熟，エ艺的方式日新月异，相対的对于电子产品的尺寸的要求趋于轻薄短小，因此在芯片制造过程中的打线技术，其内部的各导电线的间距逐步缩短，造成芯片上的各焊垫(l/0pad)的间距更加接近，且因为エ艺技术先进，将不同功能的组件整合至同一芯片中，芯片的积集度大幅提升，芯片上焊垫数也相对增加。传统的芯片封装技术为将芯片的焊垫经由焊线焊接到基板上，但如此高集成度的芯片焊垫及焊线的数量已然导致能使用的空间所限，而成为エ艺上的瓶颈。因此，遂有不同于打线技术的覆晶技术的发展。覆晶技术大致上是在晶圆上形成多个如焊球的凸块，接着将切割晶圆以形成多个芯片后再将芯片翻转(flip)接置到基板，使凸块能对应接合于基板的焊垫上，然后回焊(reflow)该凸块，以使焊球焊结至基板上的焊垫。然而，在回焊エ艺中，因芯片与基板的热膨胀系数(Coefficient of thermalexpansion ；CTE)有差异，造成基板与芯片受热膨胀而翘曲的程度亦不同。通常，当芯片面积较大或厚度较薄时，芯片与基板翘本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种覆晶接合方法，包括：提供一其上设有芯片的基板，其中，该芯片具有相对的作用面与非作用面，该作用面上并形成有多个凸块，以在该芯片接置于该基板上后，所述多个凸块位于该芯片与基板之间，并通过电性连接该芯片与基板，且部分的凸块仅接置于芯片上；将一对象抵靠至该芯片的非作用面，以施加压力于该芯片，使仅接置于该芯片上的凸块同时接触该基板及芯片；以及回焊所述多个凸块。

【技术特征摘要】
2011.11.07 TW 1001404941.一种覆晶接合方法，包括: 提供一其上设有芯片的基板，其中，该芯片具有相対的作用面与非作用面，该作用面上并形成有多个凸块，以在该芯片接置于该基板上后，所述多个凸块位于该芯片与基板之间，并通过电性连接该芯片与基板，且部分的凸块仅接置于芯片上； 将ー对象抵靠至该芯片的非作用面，以施加压カ于该芯片，使仅接置于该芯片上的凸块同时接触该基板及芯片；以及回焊所述多个凸块。2.一种覆晶接合方法，包括: 提供一其上设有芯片的基板，其中，该芯片通过多个凸块设于该基板上，且部分的凸块仅接置于该基板上；以及 通过ー对象抵靠并施加压カ于该芯片顶面上，使仅接置于该基板上的凸块同时接触该基板及芯片，以回焊...

【专利技术属性】
技术研发人员：程吕义，邱启新，邱世冠，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：