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本发明提供一种顶层金属互连层的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成器件结构，并在所述器件结构上形成若干层底层金属互连层；利用电镀工艺，在所述若干层底层金属互连层上形成顶层金属互连层，所述顶层金属互连层的晶粒尺寸小于1μm；...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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