【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种晶体管，其特征在于，包括： 硅衬底； 外延源极和漏极，与所述硅衬底的表面接触并且形成于有源区域内，所述有源区域位于向所述硅衬底中至少部分延伸的成对的绝缘沟槽之间； 衬底绝缘层，在位于所述源极与所述漏极之间的区域内与所述硅衬底接触； 半传导鳍阵列，定位于所述源极与所述漏极之间，所述阵列与所述沟槽平行对准，所述半传导鳍选择性地电耦合所述源极和所述漏极，而通过所述衬底绝缘层保持与所述硅衬底隔离； 绝缘柱阵列，与所述半传导鳍阵列至少部分交错，所述绝缘柱提供局部化鳍间隔离；以及 保形栅极，覆盖在每个半传导鳍的三侧上面并且与所述三侧至少部分邻接，所述栅极可操作用于响应于施加的电压控制所述半传导鳍内的电流流动。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：N·劳贝特，P·卡雷，
申请(专利权)人：意法半导体公司，
类型：新型
国别省市：美国;US
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。