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本实用新型的实施例提供一种晶体管，包括：硅衬底；外延源极和漏极，与硅衬底的表面接触并且形成于有源区域内，有源区域位于向硅衬底中至少部分延伸的成对的绝缘沟槽之间；衬底绝缘层，在位于源极与漏极之间的区域内与硅衬底接触；半传导鳍阵列，定位于源极与...
该专利属于意法半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体公司授权不得商用。

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