晶片的加工方法以及激光加工装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种晶片的加工方法以及激光加工装置，能确认器件背面的粘接膜是否沿器件的外周断裂。该方法将晶片沿间隔道分割成一个个器件并将树脂膜装配到各器件背面，具有以下工序：从晶片正面侧沿间隔道形成分割槽；将保护部件粘贴到晶片正面；磨削晶片背面使分割槽在背面露出，将晶片分割成一个个器件；将粘接膜装配到晶片背面并将切割带粘贴到粘接膜侧，通过环状框架支撑切割带外周部，剥离粘贴在晶片正面的保护部件；将切割带侧保持到激光加工装置的被加工物保持构件，使激光光线从晶片正面侧穿过分割槽照射到粘接膜，由此沿分割槽分割粘接膜，在分割粘接膜的工序中检测照射激光光线时产生的等离子光，并对检测出等离子光时的坐标值进行记录。

【技术实现步骤摘要】
晶片的加工方法以及激光加工装置
本专利技术涉及晶片的激光加工方法以及激光加工装置，能够将在正面在通过呈格子状地形成的间隔道划分出的多个区域形成有器件的晶片沿着间隔道分割成一个个器件，并且对装配于各器件的背面的芯片结合用的粘接膜是否沿着器件的外周断裂进行确认。
技术介绍
例如，在半导体器件制造工序中，在大致圆板形状的半导体晶片的正面，在通过呈格子状地形成的分割预定线（间隔道）划分出的多个区域形成IC（集成电路）、LSI（大规模集成电路）等器件，沿着间隔道对形成有该器件的各区域进行分割，由此，制造出一个个半导体器件。作为分割半导体晶片的分割装置一般使用切割装置，该切割装置通过厚度为20μm左右的切削刀具沿着间隔道来切削半导体晶片。像这样分割出的半导体器件在封装之后被广泛利用到便携电话和个人电脑等电气设备中。关于被分割成单个的半导体器件，在其背面装配有由聚酰亚胺系树脂、环氧系树脂、丙烯酸系树脂等形成的厚度为20～40μm的、称为芯片粘接膜（DAF，DieAttachFilm）的芯片结合用的粘接膜，通过加热而经该粘接膜结合到支撑半导体器件的芯片结合框架。作为将芯片结合用的粘接膜装配到半导体器件的背面的方法，将粘接膜粘贴到半导体晶片的背面，将半导体晶片经该粘接膜粘贴到切割带上，然后，利用切割刀具沿着形成于半导体晶片的正面的间隔道将半导体晶片与粘接膜一起切断，由此，形成了在背面装配有粘接膜的半导体器件。（例如，参照专利文献1）。然而，根据日本特开2000-182995号公报所公开的方法，存在这样的问题：在利用切削刀具将半导体晶片和粘接膜一起切断而分割出一个个半导体器件时，在半导体器件的背面产生有缺口，或者在粘接膜产生须状的毛边从而成为引线接合时断线的原因。近年来，便携电话和个人电脑等电气设备要求更轻量化、小型化，从而需要更薄的半导体器件。作为更薄地分割半导体器件的技术，所谓称为先切割法的分割技术被实用化了。该先切割法是这样的技术：从半导体晶片的正面沿着间隔道形成规定的深度（相当于半导体器件的完成品厚度的深度）的切削槽，然后，对在正面形成有切削槽的半导体晶片的背面进行磨削，使切削槽在该背面露出从而将半导体晶片分割成一个个半导体器件，可以将半导体器件的厚度加工到50μm以下。然而，在通过先切割法将半导体晶片分割成一个个半导体器件的情况下，在从半导体晶片的正面沿着间隔道形成了规定的深度的切削槽之后，对半导体晶片的背面进行磨削，使切削槽在该背面露出，因此，不能将芯片结合用的粘接膜提前装配到半导体晶片的背面。因此，存在这样的问题：通过先切割法，在结合到支撑半导体器件的芯片结合框架时，不得不将结合剂插入到半导体器件与芯片结合框架之间，不能顺畅地实施结合作业。为了解决这样的问题，提出了这样的半导体器件的制造方法：将芯片结合用的粘接膜装配到通过先切割法而被分割成一个个半导体器件的晶片的背面，将半导体器件隔着该粘接膜粘贴到切割带上，之后，从半导体器件的正面侧穿过各半导体器件之间的间隙向在上述间隙露出的该粘接膜的部分照射激光光线，从而除去粘接膜的在上述间隙露出的部分。（例如，参照专利文献2）。现有技术文献专利文献1：日本特开2000-182995号公报专利文献2：日本特开2002-118081号公报然而，在上述专利文献2所记载的加工方法中，当半导体器件间的间隙不足，或半导体器件向分割槽侧突出时，激光光线被半导体器件局部阻挡而产生有粘接膜没有被切断的部位。因此，存在这样的问题：当从切割带拾取半导体器件时，产生不能将粘接膜和半导体器件一起拾取的部位，而不能顺畅地完成拾取工序。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述事实而完成的专利技术，其主要的技术课题在于提供晶片的加工方法和激光加工装置，能够确认装配于器件背面的芯片结合用的粘接膜是否被沿着器件的外周断裂。为了解决上述主要的技术课题，根据本专利技术提供了一种晶片的加工方法，用于将在正面的通过形成为格子状的多条间隔道划分出的多个区域形成有器件的晶片沿着间隔道分割成一个个器件，并且将粘接膜装配到各器件的背面，上述晶片的加工方法的特征在于，具有：分割槽形成工序，从晶片的正面侧沿着间隔道形成相当于器件的完成品厚度的深度的分割槽；保护部件粘贴工序，将保护部件粘贴到实施了上述分割槽形成工序的晶片的正面；晶片分割工序，对实施了上述保护部件粘贴工序的晶片的背面进行磨削使上述分割槽在背面露出，将晶片分割成一个个器件；晶片支撑工序，将粘接膜装配到实施了上述晶片分割工序的晶片的背面，并且将切割带粘贴到粘接膜侧，并通过环状的框架来支撑切割带的外周部，将粘贴在晶片的正面的保护部件剥离；以及粘接膜分割工序，将粘贴有实施了上述晶片支撑工序的晶片的切割带侧保持到激光加工装置的被加工物保持构件，使激光光线从晶片的正面侧穿过上述分割槽照射到上述粘接膜，由此，沿着上述分割槽分割上述粘接膜，在上述粘接膜分割工序中，检测照射激光光线时产生的等离子光，并对检测出由于激光光线被照射到器件上而产生的等离子光时的坐标值进行记录。另外，根据本专利技术提供一种激光加工装置，其具有：被加工物保持构件，其用于保持被加工物；激光光线照射构件，其用于对保持在上述被加工物保持构件上的被加工物照射激光光线；加工进给构件，其用于使上述被加工物保持构件与上述激光光线照射构件在加工进给方向（X轴方向）相对移动；分度进给构件，其用于使上述被加工物保持构件和上述激光光线照射构件在与加工进给方向（X轴方向）垂直的分度进给方向（Y轴方向）相对移动；X轴方向位置检测构件，其用于检测上述被加工物保持构件的X轴方向位置；Y轴方向位置检测构件，其用于检测上述被加工物保持构件的Y轴方向位置；以及摄像构件，其用于对保持在上述被加工物保持构件上的晶片的待加工区域进行拍摄，上述激光加工装置的特征在于，上述激光加工装置具有：等离子检测构件，其用于检测由于激光光线被照射到保持于上述被加工物保持构件的被加工物上而产生的等离子光；以及控制构件，上述控制构件具有存储器，该存储器根据来自上述等离子检测构件、上述X轴方向位置检测构件以及上述Y轴方向位置检测构件的检测信号而对由上述等离子检测构件检测出的等离子光的坐标值进行记录，当上述等离子检测构件检测出等离子光时，上述控制构件根据来自上述X轴方向位置检测构件以及上述Y轴方向位置检测构件的检测信号求出产生了等离子光的坐标值，并将产生了上述等离子光的坐标值记录到上述存储器中。专利技术效果在本专利技术涉及的晶片的加工方法中，使激光光线从通过所谓先切割法而被分割成一个个器件的晶片的正面侧穿过分割槽照射到粘接膜，由此，沿着分割槽分割粘接膜，在这样的粘接膜分割工序中，检测照射激光光线时产生的等离子光，并对检测出由于激光光线被照射到器件上而产生的等离子光时的坐标值进行记录，因此，通过在以后工序即拾取工序中利用所记录的作为加工不良信息的粘接膜没有被切断部位的坐标值，能够解决如下的不良情况：不能将粘接膜与器件一起拾取。另外，根据作为加工不良信息的粘接膜没有被切断部位的坐标值，能够对加工不良区域的器件进行拍摄从而检查出加工不良的原因。另外，本专利技术涉及的激光加工装置具有：等离子检测构件，其用于检测由于激光光线被照射到保持在被加工物保持构件上的被加工物上而产生的等离子光；以及控制构件，控制构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片的加工方法，用于将在正面的通过形成为格子状的多条间隔道划分出的多个区域形成有器件的晶片沿着间隔道分割成一个个器件，并且将粘接膜装配到各器件的背面，上述晶片的加工方法的特征在于，具有：分割槽形成工序，从晶片的正面侧沿着间隔道形成相当于器件的完成品厚度的深度的分割槽；保护部件粘贴工序，将保护部件粘贴到实施了上述分割槽形成工序的晶片的正面；晶片分割工序，对实施了上述保护部件粘贴工序的晶片的背面进行磨削使上述分割槽在背面露出，将晶片分割成一个个器件；晶片支撑工序，将粘接膜装配到实施了上述晶片分割工序的晶片的背面，并且将切割带粘贴到粘接膜侧，并通过环状的框架来支撑切割带的外周部，将粘贴在晶片的正面的保护部件剥离；以及粘接膜分割工序，将粘贴有实施了上述晶片支撑工序的晶片的切割带侧保持到激光加工装置的被加工物保持构件，使激光光线从晶片的正面侧穿过上述分割槽照射到上述粘接膜，由此，沿着上述分割槽分割上述粘接膜，在上述粘接膜分割工序中，检测照射激光光线时产生的等离子光，并对检测出由于激光光线被照射到器件上而产生的等离子光时的坐标值进行记录。

【技术特征摘要】
2012.12.28 JP 2012-2876911.一种晶片的加工方法，用于将在正面的通过形成为格子状的多条间隔道划分出的多个区域形成有器件的晶片沿着间隔道分割成一个个器件，并且将粘接膜装配到各器件的背面，上述晶片的加工方法的特征在于，具有：分割槽形成工序，从晶片的正面侧沿着间隔道形成相当于器件的完成品厚度的深度的分割槽；保护部件粘贴工序，将保护部件粘贴到实施了上述分割槽形成工序的晶片的正面；晶片分割工序，对实施了上述保护部件粘贴工序的晶片的背面进行磨削使上述分割槽在背面露出，将晶片分割成一个个器件；晶片支撑工序，将粘接膜装配到实施了上述晶片分割工序的晶片的背面，并且将切割带粘贴到粘接膜侧，并通过环状的框架来支撑切割带的外周部，将粘贴在晶片的正面的保护部件剥离；以及粘接膜分割工序，将粘贴有实施了上述晶片支撑工序的晶片的切割带侧保持到激光加工装置的被加工物保持构件，使激光光线从晶片的正面侧穿过上述分割槽照射到上述粘接膜，由此，沿着上述分割槽分割上述粘接膜，在上述粘接膜分割工序中，检测照射激光光线时产生的等离子光，并对检测出由于激光光线被照射到器件上而产生的等离子光时的坐标值进行记录。2.一种激光加工装置，其具有：被加工物保持构件，其用于保持被加工物；激光光线照射构件，其用于...

【专利技术属性】
技术研发人员：重松孝一，能丸圭司，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本;JP