半导体器件制造技术

一种半导体器件包括：半导体衬底（5），包括在所述半导体衬底（5）上的第一半导体层（2）；在半导体衬底（5）中的多个半导体元件（50）；及无效区（30）。每一个半导体元件（50）都包括：在所述第一半导体层（2）的表面部分中的第二半导体层（21）；第三半导体层（17），设置在所述第一半导体层（2）的另一个表面部分中，并与所述第二半导体层（21）间隔开；及控制层（34），设置在所述第一半导体层（2）在所述第二半导体层（21）与所述第三半导体层（17）之间的部分上。所述无效区（30）设置在至少两个相邻的半导体元件（50）之间的半导体衬底（5）中；并且不提供所述半导体元件（50）的功能。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种半导体器件包括：半导体衬底（5），包括在所述半导体衬底（5）上的第一半导体层（2）；在半导体衬底（5）中的多个半导体元件（50）；及无效区（30）。每一个半导体元件（50）都包括：在所述第一半导体层（2）的表面部分中的第二半导体层（21）；第三半导体层（17），设置在所述第一半导体层（2）的另一个表面部分中，并与所述第二半导体层（21）间隔开；及控制层（34），设置在所述第一半导体层（2）在所述第二半导体层（21）与所述第三半导体层（17）之间的部分上。所述无效区（30）设置在至少两个相邻的半导体元件（50）之间的半导体衬底（5）中；并且不提供所述半导体元件（50）的功能。【专利说明】半导体器件
本专利技术涉及半导体器件。
技术介绍
传统上，LDMOS (侧向扩散金属氧化物半导体)晶体管和IGBT (绝缘栅双极晶体管)是公知的用于大电流的功率半导体器件。确保相对于在连接了诸如线圈的L负载情况下所施加的反电动势的耐受电压(即，L负载耐受性)对于半导体器件而言是必要的。具体地，半导体器件在器件工作时产生热量。这样会易于引起寄生双极运行，并易于减小L负载耐受性。例如本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体衬底（5），其包括第一半导体层（2），该第一半导体层（2）具有第一导电类型并设置在所述半导体衬底（5）的主表面上；多个半导体元件（50），所述多个半导体元件（50）至少设置在所述半导体衬底（5）的所述主表面上；以及无效区（30），其中：每一个半导体元件（50）包括：第二半导体层（21），其设置在所述第一半导体层（2）的表面部分中；第三半导体层（17），其设置在所述第一半导体层（2）的另一个表面部分中，并与所述第二半导体层（21）间隔开；以及控制层（34），其设置在所述第一半导体层（2）在所述第二半导体层（21）与所述第三半导体层（17）之间的部分上；所述无效区（30...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：原田峻丞，中野敬志，奥野卓也，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：日本;JP