【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种高动态范围的图像传感器像素单元及其形成方法，其中的图像传感器的像素单元包括：位于衬底内相互分立的光电二极管、第一浮置扩散区和第二浮置扩散区；位于衬底表面的第一栅极结构，第一栅极结构具有第一端和第二端，第一栅极结构的第一端位于光电二极管和第一浮置扩散区之间，用于构成传输晶体管，第一栅极结构的第二端位于第一浮置扩散区和第二浮置扩散区之间，用于构成控制晶体管，传输晶体管的阈值电压低于控制晶体管的阈值电压，传输晶体管和控制晶体管共用栅极信号；位于衬底表面的复位晶体管，用于使第一浮置扩散区和第二浮置扩散区复位。所述图像传感器像素单元的电路布图结构得到简化、提高像素填充率（Fill?factor）。【专利说明】
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种。
技术介绍
图像传感器属于光电产业里的光电元件类，随着数码技术、半导体制造技术以及网络的迅速发展，目前市场和业界都面临着跨越各平台的视讯、影音、通讯大整合时代的到来，勾划着未来人类日常生活的美景。图像传感器在日常生活中的应用，无疑要属数码相机产品，其发展速度可以用日新月异来形容。短短的几年，数...
【技术保护点】
一种图像传感器的像素单元，其特征在于，包括：衬底；位于衬底内的光电二极管、第一浮置扩散区和第二浮置扩散区，所述光电二极管、第一浮置扩散区和第二浮置扩散区相互分立；位于衬底表面的第一栅极结构，所述第一栅极结构具有第一端和第二端，所述第一栅极结构的第一端位于光电二极管和第一浮置扩散区之间，用于构成传输晶体管，所述第一栅极结构的第二端位于第一浮置扩散区和第二浮置扩散区之间，用于构成控制晶体管，所述传输晶体管的阈值电压低于控制晶体管的阈值电压，所述传输晶体管和控制晶体管共用栅极信号；位于衬底表面的复位晶体管，用于使第一浮置扩散区和第二浮置扩散区复位。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：饶金华，张克云，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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