一种晶边刻蚀方法技术

本发明专利技术提供一种晶边刻蚀方法，涉及半导体技术领域。该晶边刻蚀方法，在对拟进行晶边刻蚀的膜层进行晶边刻蚀前，包括对所述拟进行晶边刻蚀的膜层的晶边进行监测并根据反馈的监测结果确定所述膜层的晶边刻蚀距离的步骤。本发明专利技术的晶边刻蚀方法，由于在各膜层的晶边刻蚀前对晶边进行监测并根据反馈的监测结果确定晶边刻蚀距离，因此可以对各膜层的晶边实现精确刻蚀，可以更好地改善各膜层在晶片边缘造成的缺陷、击穿以及应力过剩等问题，提高了最终制造的半导体器件的良率。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供，涉及半导体
。该晶边刻蚀方法，在对拟进行晶边刻蚀的膜层进行晶边刻蚀前，包括对所述拟进行晶边刻蚀的膜层的晶边进行监测并根据反馈的监测结果确定所述膜层的晶边刻蚀距离的步骤。本专利技术的晶边刻蚀方法，由于在各膜层的晶边刻蚀前对晶边进行监测并根据反馈的监测结果确定晶边刻蚀距离，因此可以对各膜层的晶边实现精确刻蚀，可以更好地改善各膜层在晶片边缘造成的缺陷、击穿以及应力过剩等问题，提高了最终制造的半导体器件的良率。【专利说明】
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及。
技术介绍
在半导体
中，在半导体器件的制造过程中，往往需要利用许多的多晶硅层、金属内连线层以及低介电材料层等材料来形成所需的半导体器件。然而，晶片上所沉积的膜层往往具有厚度均的问题或是表面水平高度不一的问题。这种膜层厚度不均的问题在晶边(waferbevel)附件尤为明显，往往会导致晶边附近的晶片特别厚，这会造成半导体器件(尤其晶片边缘的die)的缺陷(defect)、击穿(arcing)以及应力过剩(excessivestress)等问题，最终影响所制造的半导体器件的良率。晶边刻蚀(bevel etch)技术由于可以改善缺陷(defect)、击穿(arcing)以及应力过剩(excessive stress)等问题,提高最终制造的半导体器件的良率,因而越来越受到半导体制造业的重视。然而，如果晶边刻蚀不能被很好地实施，尤其当晶边刻蚀距离无法被严格地控制，将无法达到改善缺陷(defect)、击穿(arcing)以及应力过剩(excessivestress)等问题的效果。在现有技术中，各种晶边刻蚀的技术方案均没有很好地控制晶边刻蚀距离，因而所达到的提高半导体器件良率的效果往往并不理想。因此，需要提出一种新的晶边刻蚀方法，以提高制造的半导体器件的良率。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术提供了。该晶边刻蚀方法，在对拟进行晶边刻蚀的膜层进行晶边刻蚀前，包括对所述拟进行晶边刻蚀的膜层的晶边进行监测并根据反馈的监测结果确定所述膜层的晶边刻蚀距离的步骤。其中，所述拟进行晶边刻蚀的膜层包括形成有源区的膜层、形成栅极的膜层、形成接触孔的膜层、形成金属层硬掩膜的膜层、形成通孔的膜层中的至少一种。其中，所述方法包括对形成AA区的膜层、形成栅极的膜层、形成接触孔的膜层、形成金属层硬掩膜的膜层以及形成通孔的膜层进行晶边刻蚀的步骤，并且所述各膜层的晶边刻蚀距离逐渐减小。其中，所述方法包括:步骤SlOl:光刻形成半导体器件的有源区，并对形成有源区的膜层进行边缘光刻胶去除工艺；步骤S102:对所述形成有源区的膜层的晶边进行监测，并根据反馈的监测结果确定所述形成有源区的膜层的晶边刻蚀距离；步骤S103:以所述晶边刻蚀距离对所述形成有源区的膜层的晶边进行刻蚀。优选的，在所述步骤S 102中，所确定的晶边刻蚀距离为1.5mm。进一步的，在所述步骤S103之后，还包括:步骤S201、光刻形成栅极，并对形成栅极的膜层进行边缘光刻胶去除工艺；步骤S202、对所述形成栅极的膜层的晶边进行监测，并根据反馈的监测结果确定所述形成栅极的膜层的晶边刻蚀距离；步骤S203:以所述晶边刻蚀距离对所述形成栅极的膜层的晶边进行刻蚀。优选的，在所述步骤S202中，所确定的晶边刻蚀距离为1.3mm。进一步的，在所述步骤S203之后，还包括:步骤S301:光刻形成接触孔，并对形成接触孔的膜层进行边缘光刻胶去除工艺；步骤S302:对所述形成接触孔的膜层的晶边进行监测，并根据反馈的监测结果确定所述形成接触孔的膜层的晶边刻蚀距离；步骤S303:以所述晶边刻蚀距离对所述形成接触孔的膜层的晶边进行刻蚀。优选的，在所述步骤S302中，所确定的晶边刻蚀距离为1.1mm。进一步的，在所述步骤S303之后，还包括:步骤S401:光刻形成金属层硬掩膜，并对形成金属层硬掩膜的膜层进行边缘光刻胶去除工艺；步骤S402:对所述形成金属层硬掩膜的膜层的晶边进行监测，并根据反馈的监测结果确定所述形成金属层硬掩膜的膜层的晶边刻蚀距离；步骤S403:以所述晶边刻蚀距离对所述形成金属层硬掩膜的膜层的晶边进行刻蚀。优选的，在所述步骤S402中，所确定的晶边刻蚀距离为0.9mm。进一步的，在所述步骤S403之后还包括:步骤S501:光刻形成通孔，并对形成通孔的膜层进行边缘光刻胶去除工艺；步骤S502:对所述形成通孔的膜层的晶边进行监测，并根据反馈的监测结果确定所述形成通孔的膜层的晶边刻蚀距离；步骤S503:以所述晶边刻蚀距离对所述形成通孔的膜层的晶边进行刻蚀。优选的，在所述步骤S502中，所确定的晶边刻蚀距离为0.5mm。本专利技术实施例的晶边刻蚀方法，由于在各膜层的晶边刻蚀前对晶边进行监测并根据反馈的监测结果确定晶边刻蚀距离，因此可以对各膜层的晶边实现精确刻蚀，可以更好地改善各膜层在晶片边缘造成的缺陷、击穿以及应力过剩等问题，提高了最终制造的半导体器件的良率。【专利附图】【附图说明】本专利技术的下列附图在此作为本专利技术的一部分用于理解本专利技术。附图中示出了本专利技术的实施例及其描述，用来解释本专利技术的原理。附图中:图1为本专利技术实施例提出的的流程图。【具体实施方式】在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本专利技术更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本专利技术可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本专利技术发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。应当理解的是，本专利技术能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本专利技术的范围完全地传递给本领域技术人员。除非另外定义，在此使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本专利
的普通技术人员所通常理解的相同的含义。还将理解，诸如普通使用的字典中所定义的术语应当理解为具有与它们在相关领域和/或本规格书的环境中的含义一致的含义，而不能在理想的或过度正式的意义上解释，除非这里明示地这样定义。为了彻底理解本专利技术，将在下列的描述中提出详细的步骤，以便阐释本专利技术提出的晶边刻蚀方法。本专利技术的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本专利技术还可以具有其他实施方式。本专利技术实施例提供。下面，参照图1来描述本专利技术提出的晶边刻蚀方法的一个示例性方法的详细步骤。其中，图1为本专利技术实施例提出的的流程图。本专利技术实施例提供的晶边刻蚀方法，用于控制从有源区(AA区)晶边刻蚀到后段制程(BE0L)晶边刻蚀的晶边刻蚀距离。其中，在本专利技术实施例中，晶边刻蚀距离，是指从相应膜层(拟进行晶边刻蚀的膜层)的晶边的最外延起算的、晶边刻蚀时相应膜层被刻蚀的宽度(距离);比如，如果刻蚀距离为1.5mm,则相应膜层从晶边的最外延起向内侧延伸的1.5mm宽度范围内的部分被刻蚀。在本专利技术实施例的晶边刻蚀方法中，在进行每一步的晶边刻蚀之前，都需要事先对晶边进行监测以确定实际的刻蚀距离，然后据此设定晶边刻蚀设备，以使晶边刻蚀更有针对性、更精确。并且，在本专利技术实施例的晶边刻蚀方法中，对各膜层进行晶边刻蚀时，所选定的刻蚀距离是逐渐减小的，即从AA区的晶边刻蚀到后段制程(BEOL)的晶边刻蚀，晶边的刻蚀距离逐渐本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶边刻蚀方法，其特征在于，所述方法在对拟进行晶边刻蚀的膜层进行晶边刻蚀前，包括对所述拟进行晶边刻蚀的膜层的晶边进行监测并根据反馈的监测结果确定所述膜层的晶边刻蚀距离的步骤。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张海洋，王新鹏，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31