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本发明提供一种晶边刻蚀方法，涉及半导体技术领域。该晶边刻蚀方法，在对拟进行晶边刻蚀的膜层进行晶边刻蚀前，包括对所述拟进行晶边刻蚀的膜层的晶边进行监测并根据反馈的监测结果确定所述膜层的晶边刻蚀距离的步骤。本发明的晶边刻蚀方法，由于在各膜层的晶...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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