一种IGBT器件及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种IGBT器件及其制作方法，所述IGBT器件包括：基底，所述基底包括漂移区；位于所述基底正面的栅极结构和源极结构，所述源极结构包括位于所述漂移区表面内的阱区，以及位于所述阱区表面内的源区；位于所述漂移区表面内的载流子存储层，该载流子存储层位于所述阱区下方，且与所述阱区底部存在间隙，该载流子存储层的掺杂类型与所述漂移区的掺杂类型相同，且载流子存储层的掺杂浓度大于漂移区的掺杂浓度；位于所述基底背面的集电区，所述集电区与所述漂移区掺杂类型相反。所述IGBT器件具有较低的导通压降，进而其导通损耗少。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件制作工艺
，更具体地说，涉及一种IGBT器件及其制作方法。
技术介绍
绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT）是由双极型三极管（BJT）和绝缘栅型场效应管（MOSFET）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET器件的高输入阻抗和电力晶体管（即巨型晶体管，简称GTR）的高速开关特性的优点，因此，IGBT器件被广泛应用到交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。晶体管器件的导通压降决定了其导通损耗，当导通压降较小时，其导通损耗少。虽然，IGBT器件相对于传统的晶体管器件，如MOSFET器件、GTR器件等性能上有了较大提升，但是其导通压降仍须进一步降低，以降低其导通损耗。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术提供一种IGBT器件及其制作方法，通过在所述IGBT器件的栅极结构下方增加载流子存储层提高所述IGBT器件栅极结构附近的载流子浓度，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种IGBT器件，其特征在于，包括：基底，所述基底包括漂移区；位于所述基底正面的栅极结构和源极结构，所述源极结构包括位于所述漂移区表面内的阱区，以及位于所述阱区表面内的源区；位于所述漂移区表面内的载流子存储层，该载流子存储层位于所述阱区下方，且与所述阱区底部存在间隙，该载流子存储层的掺杂类型与所述漂移区的掺杂类型相同，且载流子存储层的掺杂浓度大于漂移区的掺杂浓度；位于所述基底背面的集电区，所述集电区与所述漂移区掺杂类型相反。

【技术特征摘要】
1.一种IGBT器件，其特征在于，包括：
基底，所述基底包括漂移区；
位于所述基底正面的栅极结构和源极结构，所述源极结构包括位于所述
漂移区表面内的阱区，以及位于所述阱区表面内的源区；
位于所述漂移区表面内的载流子存储层，该载流子存储层位于所述阱区
下方，且与所述阱区底部存在间隙，该载流子存储层的掺杂类型与所述漂移
区的掺杂类型相同，且载流子存储层的掺杂浓度大于漂移区的掺杂浓度；
位于所述基底背面的集电区，所述集电区与所述漂移区掺杂类型相反。
2.根据权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，所述载流子存储层
位于所述栅极结构的下方，且与所述栅极结构下表面平行。
3.根据权利要求2所述的IGBT器件，其特征在于，所述漂移区为N型
轻掺杂漂移区，所述载流子存储层为N型重掺杂载流子存储层。
4.根据权利要求2所述的IGBT器件，其特征在于，所述阱区的深度为
2μm-8μm，所述载流子存储层上表面与所述基底上表面的距离为10μm-15
μm。
5.根据权利要求4所述的IGBT器件，其特征在于，所述载流子存储层
的厚度为0.5μm-1.5μm。
6.根据权利要求2所述的IGBT器件，其特征在于，还包括：
位于所述漂移区下表面和所述载流子存储层下表面之间的缓冲层，该缓
冲层下表面与所述漂移区下表面存在间隙，且其上表面与所述载流子存储层
下表面存在间隙。
7.根据权利要求6所述的IGBT器件，其特征在于，所述缓冲层下表面
与所述基底下表面的距离为10μm-15μm。
8.根据权利要求7所述的IGBT器件，其特征在于，所述缓冲层的厚度
为0.5μm-1.5μm。
9.根据权利要求2所述的IGBT器件，其特征在于，所述栅极结构为，
位于所述基底表面上的平面栅极结构；
或者为，位于所述基底表面内的沟槽栅极结构。
10.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：谈景飞，朱阳军，褚为利，张文亮，王波，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，江苏中科君芯科技有限公司，江苏物联网研究发展中心，
类型：发明
国别省市：北京;11