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本发明公开了一种IGBT器件及其制作方法，所述IGBT器件包括：基底，所述基底包括漂移区；位于所述基底正面的栅极结构和源极结构，所述源极结构包括位于所述漂移区表面内的阱区，以及位于所述阱区表面内的源区；位于所述漂移区表面内的载流子存储层，该...该专利属于中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司;江苏物联网研究发展中心所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司;江苏物联网研究发展中心授权不得商用。