半导体器件及其制造方法技术

提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底；在衬底上形成的第一鳍；和在衬底上形成且与第一鳍的一部分接触的隔离膜，其中第一鳍包括与隔离膜接触的第一区、与隔离膜无接触的第二区、以及在第一区和第二区之间的分界线，第一区具有相对于分界线是直角的斜度，以及第二区具有相对于分界线是锐角的斜度。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】提供一种。该半导体器件包括：衬底；在衬底上形成的第一鳍；和在衬底上形成且与第一鳍的一部分接触的隔离膜，其中第一鳍包括与隔离膜接触的第一区、与隔离膜无接触的第二区、以及在第一区和第二区之间的分界线，第一区具有相对于分界线是直角的斜度，以及第二区具有相对于分界线是锐角的斜度。【专利说明】
本专利技术的实施方式涉及。
技术介绍
为了提高半导体器件的密度，已经提出了多栅晶体管，其中鳍型硅主体形成在衬底上并且栅极形成在硅主体的表面上。因为多栅晶体管使用三维(3D)沟道，所以可以进行缩小。此外，即使没有增加多栅晶体管的栅极长度，也能够改善电流控制性能。此外，沟道区的电势受漏极电压影响的短沟道效应(SCE )能够被有效地抑制。
技术实现思路
本专利技术的实施方式描述了一种半导体器件，该半导体器件使用其中竖直鳍和倾斜鳍彼此结合的混合鳍能通过同时增加鳍的密度并降低漏电流而改善可靠性。本专利技术的实施方式还提供一种用于制造该半导体器件的方法。根据本专利技术的一些实施方式，一种半导体器件包括:衬底；在衬底上形成的第一鳍；和在衬底上形成且与第一鳍的一部分接触的隔离膜，其中第一鳍包括与隔离膜接触的第一区、与隔离膜无接触的第二区、以及在第一区和第二区之间的分界线，第一区具有相对于分界线是直角的斜度，以及第二区具有相对于分界线是锐角的斜度。根据本专利技术的一些实施方式，一种用于制造半导体器件的方法包括:形成具有是直角的斜度的虚设鳍；形成围绕虚设鳍的周围并且暴露虚设鳍的上表面的预隔离膜；和通过蚀刻虚设鳍和预隔离膜形成鳍，该鳍包括具有是直角的斜度的第一区、具有锐角的第二区、和在第一区和第二区之间的分界线；以及形成与第一区接触的隔离膜。根据一些实施方式，一种用于制造半导体器件的方法包括:用第一蚀刻剂和鳍掩模图案蚀刻衬底，以形成沿竖直方向在衬底上延伸的鳍；以及去除鳍掩模图案。该方法还包括:形成围绕鳍并且暴露鳍的上表面的预隔离膜；以及用第二蚀刻剂同时蚀刻预隔离膜和鳍，以形成与鳍的下部分接触的隔离膜并且暴露鳍的弯曲的上部分。用第二蚀刻剂的鳍的水平蚀刻速度大于用第一蚀刻剂的鳍的水平蚀刻速度。本专利技术的额外优点、对象和特征将在以下的描述中被部分地阐述，且对于本领域的技术人员而言，在分析以下描述时，部分将变得明显，或者部分将自本专利技术的实践而习知。【专利附图】【附图说明】本专利技术的上述和其它目的、特征和优点将从以下结合附图的详细描述变得更加明显，在图中:图1是说明根据本专利技术一实施方式的半导体器件的视图；图2是图1中的部分X的放大图；图3是说明根据本专利技术另一实施方式的半导体器件的视图。图4是图3中的部分Y的放大图；图5是说明根据本专利技术另一实施方式的半导体器件的视图；图6是沿图5中的线AA截取的截面图；图7是沿图5中的线BB截取的截面图；图8至图23是说明用于制造根据本专利技术一实施方式的半导体器件的方法的中间步骤的视图；图24是包括根据本专利技术一些实施方式的半导体器件的电子系统的框图；和图25和图26是半导体系统的示例性视图，根据本专利技术一些实施方式的半导体器件能够应用到该半导体系统中。【具体实施方式】现在，将参考附图在下文中更全面地描述本专利技术，在附图中示出了本专利技术的优选实施方式。然而，本专利技术可以以许多不同的形式实施且不应被理解为限于在此阐述的实施方式。而是，提供这些实施方式使得本公开将全面和完整，并且将向本领域的技术人员全面传达本专利技术的范围。相同的附图标记在整个说明书中表示相同的组件。在图中，为了清晰，可以夸大层和区域的厚度。将理解，当元件或层被称为〃连接到”或“耦接到”另一元件或层时，它可以直接连接到或稱接到另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。相反，当一元件被称为“直接连接到”或“直接耦接到”另一元件或层时，则没有中间元件或层存在。相同的附图标记始终指代相同的元件。在此使用时，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任意和所有组合。还将理解，当一层被称为在另一层或衬底“上”时，它可以直接在所述另一层或衬底上，或者也可以存在中间层。相反，当一元件被称为“直接在”另一元件“上”时，则不存在居间元件。将理解，虽然术语第一、第二等可以在此使用以描述不同的元件，但是这些元件不应受到这些术语限制。这些术语仅用于区分一个元件与另一元件。因而，例如，以下讨论的第一元件、第一部件或第一部分可以被称为第二元件、第二部件或第二部分，而不脱离本专利技术的教导。在描述本专利技术的文本中(特征是在权利要求的文本中)使用的术语“一”和“所述”以及类似指示物将被理解为涵盖单数和复数二者，除非在此清晰地另有表示或者与上下文冲突。术语“包含”、“具有”、“包括”等将被理解为开放式术语(即，指的是“包括但不限于”)，除非另外说明。将参考在其中显示了本专利技术优选实施方式的透视图、截面图和/或平面图描述本专利技术。因而，示例性视图的轮廓可以根据生产技术和/或容限而改变。也就是说，本专利技术的实施方式不旨在限制本专利技术的范围，而是涵盖可能由于制造工艺中的变化而引起的所有变化和变形。因而，在图中示出的区域以示意性形式示出，所述区域的形状通过图示方式被简单地呈现而不作为限制。在下文中，将参考图1和图2描述根据本专利技术一实施方式的半导体器件。图1是说明根据本专利技术一实施方式的半导体器件的视图，图2是图1中的部分X的放大图。参考图1，半导体器件可以包括衬底100、第一鳍120和隔离膜110。具体地，衬底100可以是例如体硅或SOI (绝缘体上硅)。衬底100可以是硅衬底，或可以包括其它材料，例如诸如硅锗、铟锑化物、铅碲化物、铟砷化物、铟磷化物、镓砷化物或镓锑化物。另一方面，衬底100可以通过在基础衬底上形成外延层而提供。第一鳍120可以沿一个方向较长地延伸。第一鳍120可以是衬底100的一部分，或可以包括自衬底100生长的外延层。第一鳍120可以包括基于隔离膜110划分的第一区122、第二区124和分界线120i。第一鳍120的分界线120i可以位于第一区122和第二区124之间，具体地，可以是第一区122和第二区124之间的分界面。随后将描述第一鳍120和隔离膜110之间的位置关系。隔离膜110可以形成在衬底100上。隔离膜110可以形成为与第一鳍120的一部分接触。具体地，隔离膜Iio可以形成为在衬底100上与第一鳍120的第一区122接触并且与第一鳍120的第二区124无接触。隔离膜110可以包括例如硅氧化物膜、硅氮化物膜和硅氮氧化物膜的至少之一。参考图1和2，第一鳍120的第一区122可具有第一斜度a。第一斜度a可以是在第一区122的侧表面与衬底100的上表面IOOa的延伸线之间形成的角度，并且可以是例如直角。换言之，第一鳍120的第一区122可具有与分界线120i成直角的斜度。这里，术语“直角”不仅指精确的90度，而且指由于在制造工艺中的误差而引起的倾斜。在本专利技术一实施方式中，如果第一斜度a在87至90度的范围内，则其可以被认为是直角。参考图1和2，第一鳍120的第二区124可具有相对于分界线120i的锐角的斜度。这里，“第二区具有锐角”指的是在从某点引出的切线与分界线120i之间形成的角度是锐角。根据本专利技术一实施方式，“锐角”指小于87度的角度。第一鳍120和隔离膜110彼此相接的点可以是边界点O。边界本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：赵纯，尹彰燮，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：