【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件制造领域，且特别涉及一种有源矩阵有机发光二极体面板及其封装方法。
技术介绍
近年来，使用有机电致发光(Electro Luminescence：以下称“有机EL”)组件的有机EL显示装置，已取代CRT及LCD的显示装置而受到嘱目。目前，正研究开发一种具备例如用以驱动该有机EL组件的薄膜晶体管(Thin Film Transistor：以下称“TFT”)的有机EL显示装置。有机EL组件(即：有机发光二极管；OLED)被依序层积形成：由ITO(Indium Tin Oxide氧化铟锡)等的透明电极所形成的阳极；由MTDATA(4，4-双(3-甲基苯基苯氨基)联苯)等第1空穴输送层、TPD(4，4，4-三(3-甲基苯基苯氨基)三苯胺)等第2空穴输送层所构成的空穴输送层；包含啶酮(Quinacridone)衍生物的Bebq2(10-苯弁[h]轻基喹啉-铍络合物(10-benzo[h]quinolinol-beryllium complex))所形成的发光层；由Bebq2所形成的电子输送层；及由铝合金所形成的阴极的构造。如上所述的有机EL组件，通过用以驱动该有机EL组件的驱动用TFT供给电流而发光。即，从阳极所注入的空穴与从阴极所注入的电子在发光层内部再结合，激发用以形成发光层的有机分子而产生激发子(exdton)。在该激发子放射失活的过程中由发光层发光，该光会从透明的阳极经由透明的阳极及玻...
【技术保护点】
一种有源矩阵有机发光二极体面板，其特征在于，包括：基板；多个薄膜场效应晶体管，所述多个薄膜场效应晶体管彼此间隔地设置于所述基板上；盖板，所述盖板的朝向所述基板的表面形成有与所述多个薄膜场效应晶体管相对应的多个凹槽、以及位于相邻凹槽之间的多个间隔部，所述盖板盖于所述基板以及所述薄膜场效应晶体管的上方，各所述薄膜场效应晶体管均位于对应的所述凹槽中，且所述多个间隔部分别位于相邻的薄膜场效应晶体管之间；以及封接层，所述封接层连接于所述间隔部与所述基板之间。
【技术特征摘要】
1.一种有源矩阵有机发光二极体面板，其特征在于，包括：
基板；
多个薄膜场效应晶体管，所述多个薄膜场效应晶体管彼此间隔地设置于
所述基板上；
盖板，所述盖板的朝向所述基板的表面形成有与所述多个薄膜场效应晶
体管相对应的多个凹槽、以及位于相邻凹槽之间的多个间隔部，所述盖板盖
于所述基板以及所述薄膜场效应晶体管的上方，各所述薄膜场效应晶体管均
位于对应的所述凹槽中，且所述多个间隔部分别位于相邻的薄膜场效应晶体
管之间；以及
封接层，所述封接层连接于所述间隔部与所述基板之间。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵有机发光二极体面板，其特征在于，
所述封接层由激光吸收材料经激光烧结而成。
3.根据权利要求2所述的有源矩阵有机发光二极体面板，其特征在于，
所述激光吸收材料为氧化硼、氧化铝、氧化镁、氧化钙、氧化钡、氧化钛、
氧化铈、氧化钼、氧化钐、氧化镱或氧化锡。
4.根据权利要求1、2或3所述的有源矩阵有机发光二极体面板，其特
征在于，所述凹槽的纵截面形状为矩形。
5.根据权利要求1所述的有源矩阵有机发光二极体面板，其特征在于，
所述封接层的厚度小于等于6μm。
6.根据权利要求5所述的有源矩阵有机发光二极体面板，其特征在于，
所述凹槽的深度小于等于10μm。
7.根据权利要求1、5或6所述的有源矩阵有机发光二极体面板，其特
征在于，所述间隔部的宽度小于等于3mm。
8.根据权利要求1、2、3、5或6所述的有源矩阵有机发光二极体面板，
其特征在于，所述盖板和所述基板由玻璃材料制成。
9.一种有源矩阵有机发光二极体面板的封装方法，其特征在于，包括：
提供一基板，所述基板上设有彼此间隔的多个薄膜场效应晶体管；
将封接材料涂布于一盖板的表面；
通过曝光显影蚀刻，去除涂布于所述盖板表面的部分封接材料，且于所
述盖板去除所述封接材料的位置处刻蚀出与所述多个薄膜场效应晶体管对
应的凹槽，其中，所述多个凹槽之间形成多个间隔部；
将上述盖板贴合于所述基板上，使所述多个薄膜场效应晶体管对应地位
于所述多个凹槽内，所述多个间隔部分别位于相邻的薄膜场效应晶体管之
间；
对所述多个间隔部与所述基板之间的封接材料进行封接处理。
10.根据权利要求9所述的封装方法，其特征在于，所述曝光显影蚀...
【专利技术属性】
技术研发人员：邓学易，翟宏峰，王演隆，谢博钧，
申请(专利权)人：上海和辉光电有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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