有机发光显示设备制造技术

技术编号:10038122 阅读:82 留言:0更新日期:2014-05-11 04:53
本实用新型专利技术公开了一种有机发光显示设备。该有机发光显示设备包括:基底,具有第一区域和第二区域;多个发光设备,在基底上,其中,每个发光设备包括沿纵向方向排列的薄膜晶体管(TFT)、发光单元和电容器,所述多个发光设备中的沿纵向方向彼此相邻的发光设备被布置为使得TFT彼此相邻和/或使得电容器彼此相邻。根据本实用新型专利技术的实施例,改善了结晶生产率并且改善了电容器的电容特性。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种有机发光显示设备。该有机发光显示设备包括:基底,具有第一区域和第二区域;多个发光设备,在基底上,其中,每个发光设备包括沿纵向方向排列的薄膜晶体管(TFT)、发光单元和电容器,所述多个发光设备中的沿纵向方向彼此相邻的发光设备被布置为使得TFT彼此相邻和/或使得电容器彼此相邻。根据本技术的实施例,改善了结晶生产率并且改善了电容器的电容特性。【专利说明】有机发光显TF设备
下文的描述涉及一种多晶硅层的制造方法、包括该方法的制造有机发光显示设备的方法、以及使用所述方法制造的有机发光显示设备。
技术介绍
有源矩阵(AM)型有机发光显示设备包括在每个像素中的像素驱动电路,像素驱动电路包括使用硅的薄膜晶体管(TFT),TFT可以由非晶硅或者多晶硅形成。由于具有源极、漏极和沟道的半导体有源层由非晶硅(a-Si)形成,所以在像素驱动电路中使用的a-Si TFT具有lcm2/Vs或更低的低电子迁移率。因此,a_Si TFT近来被多晶硅(poly-Si)TFT替代。poly-Si TFT具有比a_Si TFT高的电子迁移率和更安全的光照(light illuminati本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光显示设备,其特征在于,所述有机发光显示设备包括:?基底,具有第一区域和第二区域;?多个发光设备,在基底上,?其中:?每个发光设备包括沿纵向方向排列的薄膜晶体管、发光单元和电容器,?所述多个发光设备中的沿纵向方向彼此相邻的发光设备被布置为使得薄膜晶体管彼此相邻和/或使得电容器彼此相邻。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:文相皓许宗茂金成虎
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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