半导体发光器件及其制造方法技术

根据一个实施例，一种半导体发光器件包括：不少于三个芯片（3a，3b），所述芯片中的每一个芯片包括半导体层（15），所述半导体层（15）具有第一面（15a）、形成在与所述第一面相对的一侧上的第二面、以及发光层（12a）；p侧电极（16），其被设置在所述第二面上具有所述发光层的区域中；以及n侧电极（17），其被设置在所述第二面上不具有所述发光层的区域中；以及被设置在所述芯片的所述第一面上的相同种类的荧光体层（31）。所述芯片包括：位于平面图中心的中心芯片（3a），以及至少两个周边芯片（3b），其在所述平面图中彼此对称布置并且夹置所述中心芯片（3a）。在所述周边芯片中，所述第一面上的所述荧光体层（31）的厚度相同，并且所述中心芯片的所述第一面上的所述荧光体层（31）与所述周边芯片的所述第一面上的所述荧光体层（31）具有彼此不同的厚度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】根据一个实施例，一种半导体发光器件包括：不少于三个芯片（3a，3b），所述芯片中的每一个芯片包括半导体层（15），所述半导体层（15）具有第一面（15a）、形成在与所述第一面相对的一侧上的第二面、以及发光层（12a）；p侧电极（16），其被设置在所述第二面上具有所述发光层的区域中；以及n侧电极（17），其被设置在所述第二面上不具有所述发光层的区域中；以及被设置在所述芯片的所述第一面上的相同种类的荧光体层（31）。所述芯片包括：位于平面图中心的中心芯片（3a），以及至少两个周边芯片（3b），其在所述平面图中彼此对称布置并且夹置所述中心芯片（3a）。在所述周边芯片中，所述第一面上的所述荧光体层（31）的厚度相同，并且所述中心芯片的所述第一面上的所述荧光体层（31）与所述周边芯片的所述第一面上的所述荧光体层（31）具有彼此不同的厚度。【专利说明】
本专利技术的实施例涉及一种半导体发光器件以及用于制造所述半导体发光器件的方法。
技术介绍
在白光发光二极管(LED)的发展过程中减小色度变化是一个主要问题。具体而言，在晶圆级封装技术中，晶圆内的芯片之间的发射波长变化显著地影响色度变化，所述晶圆级封装技术执行共同用于晶圆内的多个芯片的布线层、保护树脂以及发光层的形成而不执行芯片选择工艺。引用列表专利文献专利文献I JP-A2011-517090专利文献2:JP-A2010-147318【专利附图】【附图说明】图1是第一实施例的半导体发光器件10的示意性截面图。图2A是第一实施例的半导体发光器件的示意性平面图，并且图2B是一个芯片的示意性平面图。图3A-3C示出了第一实施例的半导体发光器件中的多个芯片的布设。图4是示出了第一实施例的半导体发光器件中的多个芯片之间的连接关系的电路图。图5A-7D示出了第一实施例的半导体发光器件的制造方法的截面图。图8A-8E示出了第二实施例的半导体发光器件的制造方法的截面图。图9A-9D示出了第三实施例的半导体发光器件的制造方法的截面图。图10A-11D示出了截面图，其示出了第四实施例的半导体发光器件的制造方法。图12A-12C示出了截面图，其示出了第五实施例的半导体发光器件的制造方法。图13A-13C示出了截面图，其示出了第六实施例的半导体发光器件的制造方法。图14A和14B示出了截面图，其示出了第七实施例的半导体发光器件的制造方法。图15是示出了第一实施例的半导体发光器件的色度图的可调整范围的CIExy色度图。图16A是示出了第四和第六实施例的半导体发光器件的色度图的可调整范围的CIExy色度图，并且图16B是示出了第五实施例的半导体发光器件的色度图的可调整范围的CIExy色度图。【具体实施方式】根据一个实施例，一种半导体发光器件包括:不少于三个芯片，所述芯片中的每一个芯片包括:半导体层，所述半导体层具有第一面、形成在与所述第一面相对的一侧上的第二面、以及发光层；设置在所述第二面上具有所述发光层的区域中的P侧电极；以及设置在第二面上不具有发光层的区域中的n侧电极；以及设置在所述芯片的第一面上的相同种类的荧光体层。所述芯片包括:位于平面图中心的中心芯片，以及至少两个周边芯片，所述至少两个周边芯片在平面图中彼此对称布置并且夹置所述中心芯片。在周边芯片中所述第一面上的所述荧光体层的厚度是相同的，并且在所述中心芯片的第一面上的所述荧光体层与所述周边芯片的第一面上的所述荧光体层具有彼此不同的厚度。现在将参考附图来描述本专利技术的实施例。在每幅附图中，类似的部件标记有类似的附图标记。(第一实施例)图1是第一实施例的半导体发光器件10的示意性截面图。图2A是半导体发光器件10的示意性平面图，并且图2B是一个芯片的示意性平面图。半导体发光器件10是包括封装结构体中的多个芯片3a和3b的多尖端器件，所述封装结构体以下面将要描述的晶圆级形成。多个芯片3a和3b彼此间隔形成。芯片3a和3b中的每一个具有半导体层15、p侧电极16以及n侧电极17。根据在图2A示出的平面图中的位置区别，多个芯片标记为不同的数字3a和3b。然而，芯片3a和3b具有相同的结构，并且有时候仅简单代表性地标记为数字3而不在芯片3a和3b之间加以区分。半导体层15具有第一面(图1中的上部面)15a以及形成在与第一面15a相对的一侧上的第二面。在第二侧面上设置电极和布线。在与第二面相对的一侧上光主要从第一面15a发射至外侧。此外，半导体层15具有第一半导体层11和第二半导体层12。第一半导体层11和第二半导体层12由例如包含氮化镓的材料制成。第一半导体层11包括例如基部缓冲层、n型层等，并且所述n型层用作横向电流通路。所述第二半导体层12包括p型层以及发光层(有源层)12a。半导体层15的第二侧面被处理成凸凹形状。形成在第二侧面上的凸部分包括发光层12a。在作为其凸部分的表面的第二半导体层12的表面上,设置p侧电极16。也就是说，在具有发光层12a的区域上设置p侧电极16。在半导体层15的第二侧面上的凸部分的周边上，设置不具有包括发光层12a的第二半导体层12的区域，并且在该区域中的在第一半导体层的面上，设置n侧电极17。也就是说，n侧电极17被设置在不包括发光层12a的区域上。在图2B中示出的第二面的平面图中，n侧电极17连续围绕p侧电极16的周边。P侧电极16和n侧电极17的平面图布设不限于图2B中所示的，并且可以使用其它布设。在第二侧面上，包括发光层12a的第二半导体层的面积大于第一半导体层11的不包括发光层12a的面积。此外，p侧电极16的面积大于n侧电极17的面积。因此，能够获得大的发光区域。包括发光层12a的在第二半导体层12的侧面上，设置绝缘膜14。另外，在其上未设置P侧电极16和n侧电极17的第二面上也设置绝缘膜14。绝缘膜14是诸如例如氧化硅膜和氮化硅膜的无机绝缘膜。在其上设置绝缘膜14、p侧电极16和n侧电极17的第二侧面由第一绝缘层(在下文中简称为绝缘层)18覆盖。第一面15a未被绝缘层18覆盖。此外，绝缘层18填充彼此间隔开的芯片3a和3b之间的空间，并且覆盖芯片3a和3b的侧面。半导体层15的从第一面15a开始连续的侧面由绝缘层18覆盖。覆盖芯片3a和3b中的每一侧面的绝缘层18连同覆盖下面将要描述的布线部分的侧面的树脂层25构成半导体发光器件10的侧面。绝缘层18是诸如聚酰亚胺之类的树脂，其例如具有用于精细开口的良好的构图属性。或者，诸如氧化硅或氮化硅之类的无机材料可以用于绝缘层18。在绝缘层18中，形成到达p侧电极16的第一过孔18a以及到达n侧电极17的第二过孔18b。此外，在与第一面15a相对的一侧上，绝缘层18具有布线面18c。在布线面18c上，p侧布线层21和n侧布线层22被设置成彼此间隔开。对于芯片3a和3b中的每一个，设置一个p侧布线层21和一个n侧布线层22。p侧布线层21也设置在第一过孔18a中。p侧布线层层21通过多个第一过孔18a连接至P侧电极16。n侧布线层22也设置在第二过孔18b中。n侧布线层22通过例如一个第二过孔18b电连接至n侧电极17。在p侧布线层21的与芯片3a和3b相对的一侧上的面上，设置p侧金属柱23。p侧金属柱23具有比p侧布线层21本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：秋元阳介，小岛章弘，岛田美代子，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：
国别省市：