一种碳化硅半导体器件，包括： 设有偏取向｛０００１｝表面的碳化硅衬底，所述偏取向｛０００１｝表面的偏轴方向为〈１１－２０〉；和 形成在该碳化硅衬底上的沟槽，该沟槽具有朝向〈１１－２０〉方向延伸的条形结构， 其中，在该沟...

一种半导体器件，包括： 半导体衬底； 单元区域，位于在该衬底的表面部分中并用于作为晶体管工作； 栅极引线布线区域，其在该衬底上具有栅极引线图形； 沟槽，位于该衬底表面部分中，从该单元区域延伸到该栅极引线布线区域；...

本发明公开了一种逆流式振荡流热传输装置，所述逆流式振荡流热传输装置使位于发热元件附近的流体产生振荡位移，以使所述流体流向发热元件，改善了热传输能力。曲折流动通道的转向部分被放置以面对所述发热元件。在从所述发热元件到所述流动通道的方向上所...

一种容性动量传感器，包括：　　　　衬底（１）；　　　　可被动量位移的平衡块（１１）；　　　　可移动电极（１０ａ、１０ｂ），其与平衡块（１１）结合在一起；　　　　第一可移动单元固定器（１４），固定到衬底（１）上以将平衡块（１１）和可移动电...

一种磁性传感器设备，包括：半导体基片（２２、３２２）；以及用于检测磁场的磁阻抗器件（１、２、３０１、３０１Ａ、３０１Ｂ），其中磁阻抗器件（１、２、３０１、３０１Ａ、３０１Ｂ）被置于基片（２２、３２２）上。

一种传感器，包括：　　　　用来感应物理量的感应部分（１０）；　　　　连接器部分（２１），其与所述感应部分（１０）集成，用来电气连接所述感应部分（１０）和所述传感器之外的外部电路；　　　　用来容纳所述感应部分（１０）的传感器壳体（１５）；...

一种传感器器件（１），包括根据它的传感部分的物理位移来产生电信号的Ｇ传感器（２），以及安装该Ｇ传感器（２）的外壳（３）。用封装材料（５）密封外壳室（３ａ），以致用封装材料覆盖Ｇ传感器（２）。封装材料（５）具有确保衰减通常导致谐振的高频振...

一种用于制造半导体器件（１００）的方法，包括步骤：在衬底（３）中形成沟槽（４）；通过该绝缘膜（５），在该沟槽（４）中形成导电膜（６）；以及在形成该导电膜（６）的步骤后，以退火温度使该衬底（３）退火，以便以退火温度去除该绝缘膜（５）中的损...

磁传感器被制成为：磁传感器芯片具有包括ＭＲＥ桥和比较器的单片结构，通过粘合剂材料被安装在引线框架上，然后通过在模制材料中压模来封装安装在引线框架上的磁传感器芯片。磁传感器包括通过磁化芯片安装部件、粘合剂材料和封装材料中的至少一个来形成的...

本发明涉及一种具有温度传感器的压力传感器装置，所述传感器装置包括：压力传感器；温度传感器；用于放置所述压力传感器以及插头的传感器壳体，所述插头与所述压力传感器及一外部电路电连接；以及安装于所述传感器壳体上并且具有压力输入口的进口，所述压...

在制造树脂密封半导体器件的方法中，半导体器件被置于铸模模腔内，树脂通过铸模的入口被注射到模腔中，在引线部分的一部分暴露的状态下用树脂密封半导体器件。只在面对半导体芯片的表面的模腔表面中布置入口。树脂通过入口向半导体芯片的表面注射。

一种功率元件封装（１００）包括半导体芯片（７）、散热组件（１、４）、制模树脂组件（１１）、控制信号的引线端子（８）以及大电流的引线端子（９，１０）。在散热组件的受热表面（１ｐ）上，设置了绝缘层（２）以及导电层（３）。控制信号的引线端子经...

半导体装置具有半导体模块和冷却部件。半导体模块包括具有平坦形状的功率器件、结合到第一器件表面的第一电极、结合到第二器件表面的第二电极、连接到器件控制电路的第一端子、连接到器件驱动电路的第二端子、以及使器件、第一电极、第二电极、第一端子以...

一种塑模型半导体器件，包括：含有半导体部件的半导体芯片（１）；金属层（１３，１３ａ－１３ｃ）；焊料层（１４）；和通过金属层（１３，１３ａ－１３ｃ）和焊料层（１４）与半导体芯片（１）连接的金属构件（２４）。焊料层（１４）由屈服应力比金属层...

一种半导体器件的制造方法，包括形成ｐｎ柱，由此ｐｎ柱设计为在一部分半导体衬底内具有条形形状，并且在要形成具有相同结构的多个半导体器件的区域上的衬底表面上，ｐｎ柱具有ｐ导电类型和ｎ导电类型的重复图形，在设置有重复图形的区域中形成具有相同结...

一种半导体器件，包括：发热器元件（１０、１１）；第一散热器（３０），设置在发热器元件（１０，１１）的一侧；第二散热器（４０），设置在发热器元件（１０、１１）的另一侧；以及树脂模型（８０），用于铸模发热器元件（１０、１１）以及第一和第二散...

提供一种用于切割半导体器件的方法。该器件包括第一半导体层、绝缘层和第二半导体层。该方法包括如下步骤：在第一半导体层中形成半导体元件；将激光束照射在第一半导体层的表面上；和使用激光束将所述器件切割成半导体芯片。激光束在界面处反射，从而产生...

本发明提供一种结晶取向陶瓷及其制造方法，其以各向同性钙钛矿型铌酸钾钠为基本组成，显示出优异的压电特性，且特定的结晶面以高取向度取向。本发明的结晶取向陶瓷的特征在于：其由通式：｛Ｌｉ↓［ｘ］（Ｋ↓［１－ｙ］Ｎａ↓［ｙ］）↓［１－ｘ］｝｛Ｎ...

一种半导体器件，包括：半导体芯片（１０）；第一金属板（２０），通过第一焊料层（５１）布置在芯片（１０）的一侧上；第二金属板（４０），通过第二焊料层（５２）布置在芯片（１０）的另一侧上；第三金属板（３０），通过第三焊料层（５３）布置在第二...

半导体装置由半导体元件（１２）、一对上下散热片（１３、１４）和散热块（１５）构成。散热块（１５）具有小于半导体元件（１２）的平面形状。半导体元件（１２）具有面向散热块（１５）的发热部（１９）。发热部（１９）具有外周缘，发热部（１９）的外...