一种用于半导体（１１）的散热器，包括用于使安装在衬底（１０）的半导体的热量散发的主体（２），和连接在所述主体的板件（３，４）。所述板件相对衬底而言具有弹性。此外，所述板件包括覆盖所述主体的一个与衬底相反的表面的一部分的板部分（３１，４１...

一种具有超连接结构的垂直型ＭＯＳＦＥＴ装置，其中Ｎ型柱形区和Ｐ型柱形区交替排列。从有源区的终端与柱形区的终端之间的距离方面看，该柱形区的终端设置在这样的位置上，以使得其与有源区终端分离的距离可由相应于柱形区的深度的距离减去Ｎ型柱形区的宽...

一种用于检查湿度传感器（１００）的检查装置，所述湿度传感器（１００）具有集成在一个芯片中的传感器部分（１６０）和电路部分（１７０）。所述检查装置包括：容纳晶片（Ｗ）的检查室（２２２），晶片（Ｗ）中多个湿度传感器（１００）设置成晶片状态的...

本发明提供一种燃料喷射装置，在将构成燃料喷射装置的压电喷射器的压电叠层和驱动体上所固有的合成谐振周期作为Ｔ、将从压电叠层开始充电起到到达目标充电电压为止的升压时间作为ｔ的情况下，为了防止ｔ≤０．５Ｔ±０．１Ｔ时经过升压时间（ｔ）后施加到...

本发明提供了一种叠层型压电元件（１），其包括第一外部电极层（３３），所述第一外部电极层位于叠层型压电元件（１）的侧部区域上，与内部电极层（２１）电导通并且包括多个可以在叠层型压电元件（１）的堆叠方向上伸展和收缩的开口部分（３３ａ）。因为...

一种层叠压电元件（１），包括：层叠压电元件（１），其包括由能够在施加电压时膨胀和收缩的陶瓷构成的压电层（１１），和向压电层提供电压的内部电极层（２１ａ和２１ｂ），交替地设置内部电极层和压电层；第一外部电极层（３１），将其设置在层叠压电元...

公开了一种半导体器件，其包括第一和第二半导体封装。每个半导体封装包括半导体元件，多个电极构件以及密封构件。半导体元件设置在所述各自的电极构件之间，并且所述电极构件与所述各自的半导体元件电通信并且为所述各自的半导体元件提供热传递。所述密封...

一种具有ＭＯＳ结构的碳化硅半导体器件，包括：衬底（１、３１、６１）；在所述衬底（１、３１、６１）中的沟道区（２、３４、６４）；第一杂质区（４、３６、６６、６７）；第二杂质区（５、３７、７３）；在所述沟道区（２、３４、６４）上的栅极绝缘膜...

用于制造半导体器件的方法包括步骤：在硅衬底（１）的主表面上形成沟槽（４）；在主表面上和沟槽（４）中形成第一外延膜（２０）；以及在第一外延膜（２０）上形成第二外延膜（２１）。形成第一外延膜（２０）的步骤具有第一外延膜（２０）的第一生长速度...

一种热电式换能器，包括热电元件模块（３０），热电元件模块（３０）中布置的多对Ｐ型和Ｎ型热电元件（１２、１３）以串联方式电连接。热电元件模块包括第一端子（２４ａ），与热电元件（１２、１３）中的电功率输入侧相连；第二端子（２４ｂ），与热电元...

一种用于切分半导体基板（２１）的方法包括：通过向基板（２１）上照射激光束（Ｌ）而在基板（２１）中形成改质层（Ｋ）；沿着分割线（ＤＬ）在基板（２１）上形成沟槽（２２，２４，３２，３４）；向基板（２１）施加力，以便在作为分割起始点的改质层（...

一种向晶片中的聚焦点发射激光束从而通过晶片中的多光子吸收而形成改质区的激光加工设备，该设备包括：　　　　用于同时产生和发射具有多个波长的激光束的一个激光源；和　　　　用于使激光源发射的激光束会聚在聚焦点上的一个聚光透镜，　　　　其中，具...

半导体晶片（１０、２１）具有两个面，其中一个面为激光入射面。将切割薄片（１１、２５）附着到晶片的另一个面，以便它被拉伸从而将拉伸应力施加到激光－重整区（Ｒ）并利用重整区作为切割起始点使切割发生。在晶片和切割薄片之间提供诸如光散射凸起和凹...

一种半导体器件包括：具有彼此面对的内表面的第一和第二金属电极（３、４）；夹在电极（３、４）之间的半导体元件（１、２）；以及分别设置在电极（３、４）上并且与半导体元件（１、２）相对的第一和第二绝缘基板（５、６）。每个绝缘基板（５、６）由陶...

一种半导体器件包括：具有第一侧和第二侧的衬底（１、１ａ、２ａ、２ｂ、３ａ、４ａ、５、６、８、１０、１１、Ｔ１、Ｔ２）；ＩＧＢＴ（１００ｉ、１０４ｉ、１０５ｉ）；以及二极管（１００ｄ、１０４ｄ、１０５ｄ）。衬底（１、１ａ、２ａ、２ｂ、３ａ...

一种具有超结结构的半导体器件包括：在电流流动方向上延伸的多个第一柱（４）；和在电流流动方向上延伸的多个第二柱（５）。第一柱（４）和第二柱（５）在交替方向上交替地设置。每个第一柱（４）提供漂移层。第一柱（４）和第二柱（５）在其间具有边界，...

本发明提供一种压电传感器，能在较大温度范围内，抑制压电传感器灵敏度的偏差。该压电传感器，包括：通过在压电陶瓷的表面上形成一对电极而成的压电元件；以及，保持上述压电元件的保持部件。上述压电陶瓷满足下述条件（ａ）及或条件（ｂ）：（ａ）在温度...

一种半导体器件，包括：半导体衬底（１）；ＩＧＢＴ区（ＩＧＢＴＲＥＧＩＯＮ），其包括位于衬底（１）的第一表面上并提供沟道形成区的第一区（２），以及位于衬底（１）的第二表面上并提供集电极的第二区（３）；二极管区（ＤＩＯＤＥ　　ＲＥＧＩＯＮ）...

本发明提出了一种热电转换装置及其制造方法。所述制造方法包括连接过程，所述连接过程用于将热交换部件（２２、３２）分别电连接到热电元件模块（１０）的热电元件对；浸渍过程，所述浸渍过程用于将热电元件模块（１０）和热交换部件（２２、３２）浸入浸...

一种功率电子封装件，包括：第一和第二高导热性绝缘非平面衬底（１、２）；多个电子元件（２０、３０），装配在每个衬底（１、２）上。所述衬底（１、２）在多个接合区（７０）相互连接，从而使得所述衬底（１、２）之间的机械分离由所述接合区（７０）的...