在具有半导体芯片（１０、１１）、连接在半导体芯片（１０、１１）的主后表面侧上的下部散热器（２０）、和连接在半导体芯片（１０、１１）的主前表面侧上的上部散热器（３０）的半导体器件中，其中整个器件（Ｓ１）基本上由模制树脂（８０）封装，位于安...

通过在由壳体和用作外罩的光学透镜（５０）所构造的同一封装件中布置日照传感器用感光元件（２１）、亮度传感器用感光元件（２２）以及遮光部分（４２），来获得一种具有方向特性的光探测器（１０）。日照传感器用感光元件（２１）具有在同一平面上彼此分...

半导体器件（Ｓ１）包括半导体元件（１１、１２）、用第一焊料部分（５１）粘附到半导体元件（１１、１２）的第一面上的第一金属体（２０）、用第二焊料部分（５２）粘附到半导体元件（１１、１２）的第二面上的第二金属体（３０）、以及通过封装半导体元...

一种制作半导体芯片（１０）的方法，包括：制作半导体晶片（１００），使得该半导体晶片（１００）的主面和背面取向类似于将从该半导体晶片（１００）中分割出的半导体芯片（１０）的主面和背面的取向。在半导体晶片（１００）的背面上形成电极（１３）。...

一种检测半导体动态量的方法，包括改变施加到周边固定部分（５０）的电位（Ｖ４），同时向固定电极（３１、４１）和可移动电极（２４）施加预定电位（Ｖ１、Ｖ２）和（Ｖ３），从而改变所述可移动电极（２４）和所述支撑衬底（１１）之间的电位差，并使所...

一种引线键合方法，用于键合多根导线（６）以连接第一导体（４，５，６）和第二导体（４，５，６），该键合方法包括步骤：１）将第一导电球（８）焊接在第一个第一导体（４或５）上；２）将第一导线（６）焊接在第一导电球（８）上，该第一导线（６）与第...

一种隧道磁阻（ＴＭＲ）器件，其具有包含一个下端电极层、一个钉扎层、一个隧道势垒层、一个自由层和一个上端电极层的结构，其可在基底上连续地形成。该隧道势垒层基本上具有化学计量组成。该隧道势垒层可为由ＡＬＤ法形成的氧化铝薄膜。

一种半导体型传感器，具有在一半导体衬底上的用于检测腐蚀介质的物理量或者化学成分的一结构部分以及一电量转换元件，并且具有多个焊点，所述焊点是用于向外部单元发送检测到的电信号的输出端子，其中所述焊点利用一贵重金属保护。

一种用于制造连接结构（１００）的方法，该连接结构具有在其间由焊料制成的焊接层（３０）结合的第一和第二连接部件（１０，２０），该方法包含以下步骤：在第一和第二连接部件（１０，２０）之间夹上焊接层（３０）；在保持第一温度的情况下把焊接层（３...

一种半导体器件的制造方法包括以下步骤：在半导体衬底（１、３０、６０）中形成沟槽（４、３１、６１）；并且在包括沟槽（４、３１、６１）的侧壁和底部的衬底（１、３０、６０）上形成外延膜（５、３２、６２－６４、６６－７８），从而将外延膜（５、３...

一种功率堆包括交替层叠的冷却管和半导体模块。每一个冷却管包括分隔成多个冷却剂在其中流动的冷却通道的内部空间。在层叠方向上半导体模块的两个表面都与相邻的冷却管的表面接触。半导体模块分类为其发热率彼此不同的多个组。而且属于发热率最高的同一组...

一种电容式物理量传感器，其包括传感芯片（１００）和电路芯片（２００）。该传感芯片（１００）包括：支承基片（１１，１３）；半导体层（１２）；可动电极（２４）；以及固定电极（３１，４１）。传感芯片（１００）层叠在电路芯片（２００）上，以使得...

一种半导体器件包括彼此绝缘和分离的晶体管元件，并且这些晶体管元件依次彼此连接在地电位和预定电位之间。处于ＧＮＤ电位侧的晶体管元件为第一级，处于预定电位侧的晶体管元件为第ｎ级。电阻元件或电容元件依次彼此串联连接在ＧＮＤ电位和预定电位之间。...

为提供一种具有优异密度的多晶陶瓷体的制备方法而实施了制备步骤、混合步骤、成形步骤和热处理步骤。在制备步骤中制备粗颗粒陶瓷粉末和平均粒径为所述粗颗粒陶瓷粉末平均粒径的１／３或更小的细颗粒粉末。在混合步骤中，粗颗粒陶瓷粉末与细颗粒粉末进行混...

一种热电变换器，包括：一组热电器件，具有交替布置在热电器件基板上的多个Ｐ型热电器件和多个Ｎ型热电器件；电极件，用于串联电连接相邻的Ｐ型热电器件和Ｎ型热电器件；以及热交换件，包括连接至电极件的电极部。在热电变换器中，至少多个电极部和多个热...

一种传感器器件（１），包括根据它的传感部分的物理位移来产生电信号的Ｇ传感器（２），以及安装该Ｇ传感器（２）的外壳（３）。用封装材料（５）密封外壳室（３ａ），以致用封装材料覆盖Ｇ传感器（２）。封装材料（５）具有确保衰减通常导致谐振的高频振...

一种具有ＳＪ结构的半导体器件，其具有耐压值高于单元区域的耐压值的周边区域。在周边区域（２３）的半导体层（２２）内形成包含第二导电型杂质的半导体上层（５２）和包含第一导电型杂质的半导体下层（２３），其中半导体下层的杂质浓度低于构成单元区域...

一种半导体装置，包括至少一个半导体模块，所述半导体模块包括半导体芯片、与半导体芯片热连接的热沉以及用于以这样的方式覆盖和密封半导体芯片和热沉以暴露热沉的热辐射表面的密封部件。辐射表面通过致冷剂冷却。在作为其中流经致冷剂的致冷剂通路的部分...

一种磁阻抗器件包括半导体基片（２２、３２２）和用于检测磁场的磁阻抗器件（１、２、３０１、３０１Ａ、３０１Ｂ）。磁阻抗器件（１、２、３０１、３０１Ａ、３０１Ｂ）被置于基片（２２、３２２）上。磁性传感器设备具有最小尺寸并且是以低制造成本制成...

一种半导体器件，具有至少一个半导体元件，至少一个与所述半导体元件热连接的散热板，和一个覆盖与密封所述半导体器件和所述散热板的模制树脂，其中散热板的外主表面和邻接外主表面的至少部分侧表面从模制树脂暴露。