一种天线线圈，包括：空心式平面线圈本体（１０）；及线圈支承件（２０，５１），设置在线圈本体（１０）和基板（１７）之间，从而线圈本体（１０）支承在基板（１７）的表面上。线圈本体（１０）的厚度小于一圆的半径，该圆的面积等于用投影的线圈本体的...

一种天线线圈，包括：空心式平面线圈本体（１０）；线圈壳体（２０）；以及加强框（３０－３７）。线圈本体（１０）具有相应于线圈本体（１０）的环形形状。线圈壳体（２０）包括线圈容纳空间（２４）。线圈壳体（２０）进一步包括线圈侧端子（２１）。加...

天线线圈包括：具有环形的空芯型扁平线圈体（１０）；以及具有对应于线圈体（１０）的所述环形的环形的线圈外壳（２０）。线圈外壳（２０）包括用于容纳线圈体（１０）的线圈容纳空间（２４）。线圈容纳空间（２４）被布置在线圈外壳（２０）的环形的圆周...

一种天线包括第一导电层、第二导电层和ＬＣ谐振电路。第一导电层具有多个单元，并且布置成互相相邻。第二导电层布置在通过电介质基板与第一导电层相隔预定距离处。ＬＣ谐振电路包括将所述多个单元和第二导电层电气连接的连接。ＬＣ谐振电路在天线的工作频...

本发明通过小型化减小占有面积，同时防止由于天线线圈的设置位置不同导致的接收灵敏度下降。在铁淦氧磁心（２）的线圈架部（３），卷绕第一线圈（５）和第二线圈（６），以使各自的卷轴垂直，同时，在第一线圈（５）和第二线圈（６）的外圆周部卷绕第三线...

两个线Ａ↓［ｉ１］（ｉ＝１或２）连接到输入端子Ｉｎ。线Ａ↓［ｉ１］经由电容Ｃ↓［ｉ１］接地。线Ａ↓［ｉ１］和线Ｂ↓［ｉ１］形成耦合线。线Ｂ↓［ｉ１］的一端子连接到二极管Ｄ↓［ｉ１］的正极，二极管Ｄ↓［ｉ１］的负极接地。线Ｂ↓［ｉ０］和Ｂ...

一种线波导变换器，其包括：后侧电极（３２），其设置于电介质基板（３１）的第一面上；波导（４），其附接到所述电介质基板（３１）的与所述第一面相对的第二面上，并且与所述后侧电极（３２）电导通；以及多个电极（３４），其在所述第二面上设置于所述...

本发明涉及一种用于检测电池充电状态的设备。提供一种电池状态检测设备，其包括：检测来自电池的充放电电流的装置；基于检测放电电流的结果来检测在电池充电期间充电电流的负加速度的符号是否从负变为零的装置；通过在电池充电期间对瞬时充电电流进行积分...

本发明提供了一种被设计成能确保燃料电池组工作稳定性的燃料电池控制系统。该系统包含磁性传感器和控制器。磁性传感器用以测量电流所产生磁场的磁通量密度的变化，所述电流是由每个燃料电池中进行的电化学反应产生的。控制器被设计成能分析由磁性传感器测...

一种电池状态检测装置，包括半导体元件、引线框架和注形树脂。该半导体元件包括：温度敏感元件，用于检测电池温度，由多个串联连接的二极管构成；和通信电路，用于将温度检测结果输出到外部设备，例如安装在车辆上的ＥＣＵ。该半导体元件安装在具有高热导...

本发明涉及车辆用双压型电源装置。包括高压电源系统和低压电源系统的车辆用双压型电源装置具有这样的配置，即根据作为其本身电池的变量的ＳＯＣ为两个电源系统的每一个单独计算目标发电成本，这样可以对两个电源系统中的每一个单独执行电力成本降低型发电...

本发明提供估计车载发电设备充电的可再充电电池电荷状态的设备。本设备用于估计由车载发电设备充电的可再充电电池的电荷状态，所述车载发电设备能够产生可变输出电压。该估计设备包含：检测所述可再充电电池的充电／放电电流的检测功能；以及根据关系数据...

估计车载发电设备充电的可再充电电池电荷状态的设备，所述车载发电设备能够产生可变输出电压，该估计设备包含：量化所述可再充电电池的充电／放电历史的第一功能；以及在所述车载发电设备的所述输出电压的变化变得低于预定值之前消除由于所述充电／放电历...

一种碳化硅半导体器件包括衬底（１、３１）和结型场效应晶体管。所述晶体管包括：第一半导体层（２、３２），其设置在衬底（１、３１）上；第一栅极层（３、３３），其设置在第一半导体层（２、３２）的表面上；第一沟道层（７、３６），其在衬底（１、３...

一种半导体器件包括：中心区域（１２）；周边区域（１４，２６ａ，２６ｂ）；和半导体层（２６），它包括多对具有第一杂质量的第一区域（２５、２５ａ、２５ｂ）和具有第二杂质量的第二区域（２７、２７ａ、２７ｂ）。第一和第二区域（２５、２５ａ、２５...

一种半导体器件包括：半导体基片（１）；布置在所述基片（１）的表面上的铝电极（１１）；布置在铝电极（１１）上并且具有开孔（１２ａ）的保护膜（１２）；和透过保护膜（１２）的开孔（１２ａ）而布置在铝电极（１１）的表面上的金属化电极（１３）。所...

本发明公开了一种碳化硅半导体装置，包括：具有碳化硅基片（１，６１）、第一半导体层（２）、第二半导体层（３）和第三半导体层（４）的半导体基片；贯穿第二和第三半导体层（３，４）并到达第一半导体层（２）的沟槽（５）；位于沟槽（５）侧壁和底部上...

一种沟槽栅型半导体装置包括：第一半导体层（１，２１）；在第一半导体层（１，２１）上的第二半导体层（２）；在第二半导体层（２）上的第三半导体层（３）；在第三半导体层（３）的表面部分的一部分中的第四半导体层（４）；穿过第四半导体层（４）和第...

穿过顶表面将激光束施加到晶片的内部，从而在多层改进区组中形成改进区。改进区组层中的一层中的改进区的间隔不同于改进区组层中的另一层中的改进区的间隔，与改进区组层中的所述一层相比改进区组层中的所述另一层更接近于晶片的顶表面。

一种用于制造半导体器件的方法包括如下步骤：在硅衬底（１、４０）上形成第一外延膜（２、４１）；在第一外延膜（２、４１）中形成沟槽（４、４３）；并且在第一外延膜（２、４１）上和在沟槽（４、４３）中形成第二外延膜（２３、４４、４５）。形成第二...