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株式会社电装专利技术
株式会社电装共有9932项专利
包括两片带有多个半导体芯片和电子元件的衬底的功率电子封装件制造技术
一种功率电子封装件,包括:第一和第二高导热性绝缘非平面衬底(1、2);多个半导体芯片(20)和多个电子元件(30),装配在所述衬底(1、2)之间。每个衬底(1、2)包括多个电绝缘体层(77)和图案化的电导体层(7a、7b、8a、8b、9...
具有横向MOS晶体管和齐纳二极管的半导体器件制造技术
一种半导体器件,包括:半导体衬底(1-3);设置在衬底(1-3)中的横向MOS晶体管(LTa-LTd);设置在衬底(1-3)中的齐纳二极管(ZDa-ZDd);以及设置在衬底(1-3)中的电容器(Ca-Ce)。所述晶体管(LTa-LTd)...
用于电镀半导体器件的方法技术
一种电镀半导体晶片同时维持所镀薄膜厚度均匀的方法,防止在晶片背面淀积并且防止在后续步骤中污染。在半导体晶片的铝电极上间接形成连接端子,在晶片背面由绝缘体覆盖的情况下进行非电解地电镀。优选的是,所述绝缘体是作为构成产品一部分的玻璃衬底。半...
半导体器件制造技术
一种半导体器件,包括衬底(2)、形成在衬底(2)中的元件(10、20、30)、形成在衬底(2)上的层间电介质膜(51、54、57、60)、布线层(52、55、58)和电极焊盘(62)。使布线层(52,55,58)形成为多层,并通过层间电...
制造碳化硅半导体器件的方法技术
一种制造具有MOS结构的碳化硅半导体器件的方法包括:制备由碳化硅制成的衬底(1);以及形成沟道区(4)、第一杂质区(6、7)、第二杂质区(1、13)、栅极绝缘层(8)和栅电极(9)以在衬底(1)上形成半导体元件。另外,在半导体元件上形成...
碳化硅半导体器件的制造方法技术
一种具有MOS结构的碳化硅半导体器件的制造方法,包括制备由碳化硅制成衬底(1),以及形成沟道区域(4)、第一杂质区域(6,7)、第二杂质区域(1,13)、栅极绝缘层(8)和栅电极(9),以在衬底(1)上形成半导体元件。另外,在半导体元件...
半导体器件及其制造方法技术
通过以下节省成本的方式制造一种具有在一个半导体衬底(20)上具有多个有源元件(31-33、41-43)和无源元件(51、52)的半导体器件(100),即使当所述有源和无源元件包括双侧电极元件(41-43、51、52)也是如此。当将半导体...
厚膜混合电路装置制造方法及图纸
本发明涉及厚膜混合电路装置,在该厚膜混合电路装置中,厚膜导体迹线和厚膜电阻器安装在绝缘基板的一个表面上并且相互连接。在所述厚膜导体迹线的一部分上安装电元件。电元件、厚膜导体迹线和厚膜电阻器提供具有电特性的厚膜混合电路。利用测试电极外部测...
金属电极形成方法和具有金属电极的半导体器件技术
本发明涉及金属电极形成方法和具有金属电极的半导体器件,其中一种金属电极形成方法包括:在衬底(11)上形成基底电极(12);形成保护膜(13,53),其在基底电极上具有开口(13a,53a),以从该开口将基底电极暴露出来;形成覆盖保护膜和...
具有模制树脂壳体的电子设备及其制造方法和模制工具技术
一种电子设备(1),包括:电子电路部(10)、壳体(11)以及连接器罩体(12)。电子电路部(10)包括连接器端子(130a-130d)。壳体(11)以使连接器端子(130a-130d)突出到壳体(11)的外部的方式对电子电路部(10)...
具有超结结构的半导体器件及其制造方法技术
一种半导体器件(201,202)包括:具有(110)取向的表面的硅衬底(1a);设置在(110)取向的表面上的PN柱层(30a);设置在PN柱层(30a)上的沟道形成层(3);设置在沟道形成层(3)的表面部分处的多个源极区(4);以及穿...
半导体器件制造技术
一种半导体器件包括半导体衬底(10)和衬底上的超结结构。超结结构由交替设置的p型和n型柱区(20,30)构成。p型沟道层(40)形成到超结结构的表面。沟槽栅极结构形成到n型柱区。n+型源极区(50)形成到沟槽结构附近的沟道层的表面。p+...
制造具有树脂模制外壳的电子装置的方法及模制工具制造方法及图纸
本发明涉及制造具有树脂模制外壳的电子装置的方法及模制工具。所述方法包括以下步骤:将电子元件布置在配线板上,配线板与连接器端子电耦连;用第一外壳元件覆盖配线板的第一表面,并用第二外壳元件覆盖配线板的第二表面,以形成所述电子电路部分;以使得...
具有IGBT单元和二极管单元的半导体器件及其设计方法技术
一种半导体器件包括:半导体衬底(4);IGBT单元(10i、50i);以及二极管单元(10d、30d、50d)。所述衬底包括第一至第四层(4a、5、6、7)。第一层设置在第一表面上,并且第二和第三层相邻地设置在衬底的第二表面上。第四层夹...
半导体器件制造技术
一种半导体器件,包括形成在同一半导体衬底(31)中的间隔沟道IGBT和反并联二极管。IGBT包括基极层(32)和绝缘栅沟槽(GT),通过该绝缘栅沟槽(GT)将基极层(32)划分成连接于发射电极(E)的体区域(32b)和与发射电极(E)断...
用于检测树脂泄漏的装置和方法制造方法及图纸
本申请涉及一种用于检测树脂泄漏的装置和方法。其中,树脂泄漏检测装置包括压力传感器元件(30)和泄漏判定单元(31)。该压力传感器元件(30)检测壳体空腔(24)中的压力。亦即当树脂泄漏到位于上电路罩体(100n)和下电路罩体(100o)...
用于制造半导体器件的方法以及外延生长装置制造方法及图纸
用于制造半导体器件的方法包括步骤:在硅衬底(1)的主表面上形成沟槽(4);在主表面上和沟槽(4)中形成第一外延膜(20);以及在第一外延膜(20)上形成第二外延膜(21)。形成第一外延膜(20)的步骤具有第一外延膜(20)的第一生长速度...
雨滴传感器制造技术
一种雨滴探测器包括光发射元件(40、40a-40d),光接收元件(50、50a、50b)和导光体(10、10a-10e)。该光发射元件(40、40a-40d)和光接收元件(50、50a、50b)对着透明面板(60)。该导光体(10、10...
设计成确保其操作稳定性的带有磁芯的电磁开关制造技术
本发明提供了一种设计成确保其操作稳定性的带有磁芯的电磁开关。该电磁开关包括由盘组件和芯体组成的固定磁芯。盘组件由彼此叠置的成叠的环形板构件组成。每个板构件都具有开口,电磁线圈的终端引线穿过该开口延伸。芯体具有凸部,该凸部的边缘沿径向向外...
开关装置制造方法及图纸
本发明的开关装置(4)由具有操作体和从上述操作体的内侧向上述透光部照射光的照射机构(60)构成,所述操作体具有形成有透光部的操作面(11)和通过对该操作面(11)的推压力进行移位来推压开关(50)的推压部(23),上述操作体的形成由上述...
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