【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
US 2003/0013266 A (对应于JP 2003-69012 A)公开了一种碳化 硅(SiC)半导体器件，其中具有(11-20)晶面取向的表面A用作沟 道。SiC半导体器件具有MOS (金属-氧化物半导体)结构，并且通 过氢退火或在包含氢(H)原子和氧(O)原子的湿气氛中进行处理 来提高沟道迁移率。具体地，通过控制氢退火或湿气氛的浓度或温度 来提高沟道迁移率。然而，对于SiC半导体器件，需要更高的沟道迁移率。由本申请 的专利技术人提出的US 2007/0045631 A (对应于JP 2007-96263 A)公开 了可以基于湿气氛或氢气氛来确定封端/解吸温度。封端/解吸温度是 在其下由氢(H)元素或羟基(OH)将SiC与栅极氧化层之间的悬键 封端的温度，即，在其下H或OH解吸的温度。具体地，H或OH的 解吸主要发生在大约800°C与900°C之间的范围内的温度下，并且由 H或OH将悬键封端也发生在相同的温度范围内。因此，封端/解吸 温度大约在800。C与卯0。C之间的范围内。因此，需要保持湿气氛或 氢气氛直到温度下降...
【技术保护点】
一种制造具有金属－氧化物半导体结构的碳化硅半导体器件的方法，该方法包括：制备由碳化硅制成的衬底（１）；在所述衬底（１）上形成由碳化硅制成的沟道区（４），其中所述沟道区提供电流通道；在所述衬底（１）上形成位于电流通道的上游侧上的第一杂质区（６、７）；在所述衬底（１）上形成位于所述电流通道的下游侧上的第二杂质区（１、１３）；在所述沟道区（４）的表面上形成栅极绝缘层（８）；在所述栅极绝缘层（８）上形成栅电极（９）以形成半导体元件；在所述半导体元件上形成膜以提供层间绝缘层（１０）的材料；在湿气氛中在大约７００℃或以上的温度下执行回流工艺以便由所述膜形成所述层间绝缘层（１０）；在执行...
【技术特征摘要】
JP 2006-10-30 294158/20061、一种制造具有金属-氧化物半导体结构的碳化硅半导体器件的方法，该方法包括制备由碳化硅制成的衬底(1)；在所述衬底(1)上形成由碳化硅制成的沟道区(4)，其中所述沟道区提供电流通道；在所述衬底(1)上形成位于电流通道的上游侧上的第一杂质区(6、7)；在所述衬底(1)上形成位于所述电流通道的下游侧上的第二杂质区(1、13)；在所述沟道区(4)的表面上形成栅极绝缘层(8)；在所述栅极绝缘层(8)上形成栅电极(9)以形成半导体元件；在所述半导体元件上形成膜以提供层间绝缘层(10)的材料；在湿气氛中在大约700℃或以上的温度下执行回流工艺以便由所述膜形成所述层间绝缘层(10)；在执行回流工艺之后将温度降到大约700℃或以下；在温度降到大约700℃或以下之后将所述湿气氛改变为惰性气体气氛；以及在所述惰性气体气氛中执行脱水工艺以便使所述层间绝缘层脱水，其中所述沟道区(4)提供所述半导体元件的沟道；并且通过控制施加到所述栅电极(9)的电压来控制所述沟道以便控制在所述第一杂质区(6、7)与所述第二杂质区(1、13)之间流动的电流。2、 根据权利要求1所述的方法，其中- 所述惰性气体气氛包括氮气。3、 根据权利要求1所述的方法，其中 所述惰性气体气氛包括氩气。4、 根据权利要求1-3中任一项所述的方法...
【专利技术属性】
技术研发人员：中村广希，市川宏之，奥野英一，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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