【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
US 2003/0013266 A (对应于JP 2003-69012 A)公开了一种碳 化硅(SiC)半导体器件，其中具有(11-20)晶面取向的面A用来作 为沟道。该SiC半导体器件具有MOS (金属-氧化物半导体)结构， 并且通过氢退火或者在同时包括氢(H)原子和氧(0)原子的潮湿气 氛中处理提高其沟道迁移率。具体地，通过控制氢退火或潮湿气氛的 浓度或温度来提高沟道迁移率。然而，SiC半导体器件需要更高的沟道迁移率。本申请的专利技术人 所申请US 2007/0045631 A (对应于JP 2007-96263 A)公开了基于潮湿气氛或氢气气氛确定封端/解吸温度。封端/解吸温度是指在该温 度下氢(H)或羟基(OH)单元封端SiC与栅极氧化层间的悬键，也 就是说，在该温度下H或OH解吸。具体地，H或OH的解吸主要发生 在大约80(TC到900。C之间的温度范围内，而H或OH对悬键的封端也 发生在相同的温度范围内。因此，封端/解吸温度大约在80(TC到900 x:之间的范围内。从而，需要保持潮湿气氛或氢气气氛直到温度降到 大约...
【技术保护点】
一种具有金属氧化物半导体结构的碳化硅半导体器件的制造方法，该方法包括：制备由碳化硅制成的衬底（１）；在所述衬底（１）上形成由碳化硅制成的沟道区域（４），其中所述沟道区域（４）提供了电流通道；在所述衬底上的所述电流通道的上行侧上形成第一杂质区域（６，７）；在所述衬底上的所述电流通道的下行侧上形成第二杂质区域（１，１３）；在所述沟道区域（４）的表面上形成栅极绝缘层（８）；在所述栅极绝缘层（８）上形成栅电极（９），以形成半导体元件；在所述半导体元件上形成膜，以便提供层间绝缘层（１０）的材料；以及在潮湿气氛中、大约７００℃或更高的温度下实施回流工艺，使得所述膜形成所述层间绝缘层（１...
【技术特征摘要】
JP 2006-10-30 294157/20061、一种具有金属氧化物半导体结构的碳化硅半导体器件的制造方法，该方法包括制备由碳化硅制成的衬底(1)；在所述衬底(1)上形成由碳化硅制成的沟道区域(4)，其中所述沟道区域(4)提供了电流通道；在所述衬底上的所述电流通道的上行侧上形成第一杂质区域(6，7)；在所述衬底上的所述电流通道的下行侧上形成第二杂质区域(1，13)；在所述沟道区域(4)的表面上形成栅极绝缘层(8)；在所述栅极绝缘层(8)上形成栅电极(9)，以形成半导体元件；在所述半导体元件上形成膜，以便提供层间绝缘层(10)的材料；以及在潮湿气氛中、大约700℃或更高的温度下实施回流工艺，使得所述膜形成所述层间绝缘层(10)并且将所述栅电极(9)的边缘部分圆角化和氧化，其中所述沟道区域(4)提供了所述半导体元件的沟道；并且通过控制施加到所述栅电极(9)上的电压来控制所述沟道，从而控制在所述第一杂质区域(6，7)和所述第二杂质区域(1，13)之间流动的电流。2、 根据权利要求1所述的方法，进一步包括通过以该顺序依次执行湿法蚀刻和干法蚀刻在所述层间绝缘层(10)上提供第一接触孔(lla)和第二接触孔(llb)，使得所述第 一接触孔(lla)和所述第二接触孔(lib)分别到达所述第一杂质区 域(6， 7)和所述栅电极(9)，并且所述第一接触孔(lla)和所述 第二接触孔(lib)中的每一个都具有包括湿法蚀刻区域和干法蚀刻 区域的两级侧壁。3、 根据权利要求2所述的方法，其中所述干法蚀刻区域在所述侧壁与所述第一杂质区域(6， 7)和所 述栅电极(9)之一的表面之间具有第一角度(VA);所述湿法蚀刻区域在所述侧壁与所述第一杂质区域(6， 7)和所述栅电极(9)之一的所述表面之间具有第二角度(VB);并且 所述第一角度(Va)大于所述第二角度(Vb)。4、 根据权利要求3所述的方法，其中所述第一角度(Va)大约为75°或更大。5、 根据权利要求3或4所述的方法，其中 所述第二角度(Vb)大约为15°或更小。6、 根据权利要求2-4中任意一项所述的方法，进一步包括 在提供所述第一接触孔(lla)和所述第二接触孔(lib)之后，利用惰性离子溅射所述层间绝缘层(10)的表面，从而将所述第一接 触孔(lla)和所述第二接触孔(lib)的...
【专利技术属性】
技术研发人员：中村广希，市川宏之，奥野英一，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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