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一种具有ＭＯＳ结构的碳化硅半导体器件的制造方法，包括制备由碳化硅制成衬底（１），以及形成沟道区域（４）、第一杂质区域（６，７）、第二杂质区域（１，１３）、栅极绝缘层（８）和栅电极（９），以在衬底（１）上形成半导体元件。另外，在半导体元件上形...
该专利属于株式会社电装所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社电装授权不得商用。

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