具有横向MOS晶体管和齐纳二极管的半导体器件制造技术

一种半导体器件，包括：半导体衬底（１－３）；设置在衬底（１－３）中的横向ＭＯＳ晶体管（ＬＴａ－ＬＴｄ）；设置在衬底（１－３）中的齐纳二极管（ＺＤａ－ＺＤｄ）；以及设置在衬底（１－３）中的电容器（Ｃａ－Ｃｅ）。所述晶体管（ＬＴａ－ＬＴｄ）包括漏极（Ｄ）和栅极，并且二极管（ＺＤａ－ＺＤｄ）和电容器（Ｃａ－Ｃｅ）串联耦合在漏极（Ｄ）和栅极之间。该器件具有最小化的尺寸和高开关速度。此外，改善了开关损耗和浪涌电压。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：半导体衬底（１－３）；设置在所述衬底（１－３）中的横向ＭＯＳ晶体管（ＬＴａ－ＬＴｄ）；设置在所述衬底（１－３）中的齐纳二极管（ＺＤａ－ＺＤｄ）；以及设置在所述衬底（１－３）中的电容器（Ｃ ａ－Ｃｅ），其中所述晶体管（ＬＴａ－ＬＴｄ）包括漏极（Ｄ）和栅极（Ｇ），以及所述二极管（ＺＤａ－ＺＤｄ）和所述电容器（Ｃａ－Ｃｅ）串联耦合在所述漏极（Ｄ）和所述栅极（Ｇ）之间。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：高桥茂树，中野敬志，赤木望，樋口安史，藤井哲夫，服部佳晋，桑原诚，冈田京子，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：JP[日本]