本发明涉及一种基于半导体材料纳米线的制作方法。其特征在于利用半导体工艺中“鸟嘴”效应和半导体材料的湿法腐蚀或干法刻蚀技术在介质层上的半导体材料上加工制备出纳米尺度的线条，近似矩形或梯形截面，且可在顶层介质的表面形成保护膜之前，进行硼、磷...

一种局部ＳＯＩ　　ＬＤＭＯＳ器件的结构，包括源端、漏端、沟道区、源端电极、栅电极和漏电极，其特征在于源端远离沟道区的侧面下方无埋氧，源端和沟道区下方的埋氧是连续的而且具有同一厚度，漏端的埋氧与沟道区埋氧虽然连续，但是具有不同的厚度。

本发明涉及了一种双埋层结构的绝缘体上的硅材料、制备及用途。其特征在于：具有双埋层结构，下埋层为连续的绝缘埋层，上埋层为不连续的图形化绝缘埋层。在存在上埋层的ＳＯＩ局部区域，顶层硅的厚度为０．０５～０．４μｍ，而在不存在上埋层的ＳＯＩ局部...

本发明涉及一种减小相变存储器工作电流的单元结构上的改进及其实现方法，属于微电子领域。其特征在于：在加热电极与硫系化合物之间加入一层过渡层，过渡层厚度为１０ｎｍ－５０ｎｍ。过渡层材料要求是电阻率比加热电极高，且熔点高于硫系化合物。可选择的...

本发明涉及一种绝缘体上硅结构及制备方法，属于微电子技术领域。其特征在于先后通过Ａｌ薄膜沉积、键合、离子注入，结合热处理等技术来制备以氮化铝或氧化铝或ＡｌＮ、Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］、Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］或ＳｉＯ↓［２］中两种或多种复合层...

本发明涉及一种Ｉｎ改进氢化物气相外延生长氮化镓结晶膜表面质量的方法，特征在于在ＨＶＰＥ生长ＧａＮ的过程中采用了Ｉｎ辅助外延生长。它是通过在ＨＶＰＥ反应室中同时放置镓（Ｇａ）舟和Ｉｎ舟来实现的。Ｇａ舟和Ｉｎ舟放在相同的温区，或放在不同的温...

本发明涉及一种氢化物气相外延（ＨＶＰＥ）氮化镓膜中的低温插入层及制备方法，其特征在于在ＧａＮ膜的ＨＶＰＥ制备过程中采用了低温ＡｌＮ插入层的结构。在ＨＶＰＥ制备ＧａＮ膜的过程中，先在ＧａＮ模板上低温沉积一层ＡｌＮ薄层，然后经高温退火后继续...

本发明涉及一种简单易行的纳电子相变存储器器件单元制备方法。本发明通过采用薄膜制备工艺在衬底上制备出构成器件的各层薄膜，采用纳米加工技术制备出小孔，然后在孔内填充电极材料或相变材料，最后把两个电极引出后即可制备出相变存储器的器件单元，器件...

本发明涉及一种纳电子器件的制备方法。特征在于：首先在衬底材料上沉积一层下电极材料Ｗ，然后依次沉积一层Ａｌ和一层ＳｉＯ↓［２］。通过曝光、刻蚀，在ＳｉＯ↓［２］上刻蚀出孔，使下层Ａｌ暴露出来，然后通过阳极氧化法在暴露出的部分形成多孔氧化铝...

本发明涉及一种纳电子器件性能测试用的器件结构及制备方法。它是在硅衬底材料上先沉积底电极材料，然后沉积电介质材料，曝光，刻蚀成多孔状，孔径在５０－２００ｎｍ，间距２－５μｍ，接着向孔内沉积相变材料，化学机械抛光，覆盖掩膜板，沉积上电极。于...

本发明涉及制备相变存储器（ＰＲＡＭ）所用的相变材料电性能表征的方法，其特征为：通过探针与Ｗ／ＳｉＯ↓［２］／Ｓｉ衬底上相变材料构成存储单元，相变区域首先发生在针尖与相变材料的接触部位，可逆相变区域（纵向与横向尺度）大小与针尖面积、施加在...

本发明涉及一种采用硅支撑梁的红外热电堆探测器阵列结构，其特征在于利用硅支撑梁结构取代原有各个器件单元间的硅框架以实现高密度的红外热电堆探测器阵列结构。周边硅框架不变，膜区的间距在２０－７００μｍ之间。本发明可利用无掩膜腐蚀工艺实现，且发...

本发明提供一种高速三维互补金属氧化物半导体晶体管（ＣＭＯＳ）的结构及其制备方法，其特征在于ｐＭＯＳ制备在大面积高质量单晶硅（１１０）面上，ｎＭＯＳ制备在大面积高质量单晶硅（１００）面上，且ｐＭＯＳ和ｎＭＯＳ分开在不同层上。其制作方法是在...

一种金属－绝缘层－半导体器件结构，其特征在于，在单晶硅衬底上的立方相ＭｇＺｎＯ薄膜为绝缘层，其器件结构为金属电极－ＭｇＺｎＯ晶体薄膜－Ｓｉ单晶－金属电极或金属电极－ＭｇＺｎＯ晶体薄膜－ＳｉＯ↓［２］－Ｓｉ单晶－金属电极。

本发明设计了一种新型相变微、纳电子存储器器件及其制备方法。本发明的设计原理是基于尖端效应，即施加电压后，图形尖端处的电阻或电流会很大，是器件单元中相变层发生相变的触发点。通过采用薄膜制备工艺在衬底上制备出器件的各层薄膜，然后利用微细加工...

本发明提供一种双栅金属氧化物半导体晶体管的结构及其制备方法，其结构包括底部栅电极、底部栅介质层、顶部栅电极、顶部栅介质层、源区、漏区以及沟道区，其中底栅比顶栅宽，沟道区为单晶半导体薄膜。本发明的双栅金属氧化物半导体晶体管结构，较长的底栅...

本发明涉及一种三维互补金属氧化物半导体器件（ＣＭＯＳ）结构及其制备方法。结构上特征是ＰＭＯＳ和ＮＭＯＳ处在不同的平面上，但在同一平面上仍是传统的平面ＭＯＳ晶体管，是一种ＣＭＯＳ结构。先在体硅或ＳＯＩ衬底上制备ＰＭＯＳ或ＮＭＯＳ，然后利用...

本发明涉及一种三维互补金属氧化物半导体（ＣＭＯＳ）器件结构及其制备方法，属微电子技术领域。本发明的特征是提出了三维多层ＣＭＯＳ结构，层与层之间用连线连接。制备该结构的关键是能够制备出多层由绝缘层隔离的单晶薄膜，本发明提出低温键合和低温剥...

本发明涉及一种微机械芯片测试探卡及制造方法，它是采用微机械的方法在硅片上实现探卡的制造，所述的探卡是由按照芯片管脚分布而排布的悬臂梁阵列实现的，针尖在悬臂梁的末端，并且保证每个针尖的位置与相应的芯片管脚的位置一致。悬臂梁一端是探针，另一...

本发明涉及一种用于硫系化合物相变薄膜材料Ｇｅ↓［ｘ］Ｓｂ↓［ｙ］Ｔｅ↓［（１－ｘ－ｙ）］化学机械抛光（ＣＭＰ）的纳米抛光液及该化学机械抛光液在制备纳电子器件相变存储器中的应用。该ＣＭＰ纳米抛光液包含有氧化剂、螯合剂、ｐＨ调节剂、纳米研磨...