本发明涉及一种基于玻璃衬底的可调带隙薄膜太阳能电池及其制作方法，其特征在于采用不同带隙结构材料α－ＳｉＣ、αＧｅ↓［ｘ］Ｓｉ↓［１－ｘ］、μ－Ｓｉ作为吸收层，组成三节结构，增加光能捕获；采用调节本征层Ｇｅ、Ｓｉ成分比例的方法，获得不同的...

本发明揭示了一种含锑材料作为电阻转换存储材料的应用，所述含锑材料包括锑及其他金属的混合物、或／和锑的氧化物、或／和锑的氮化物、或／和锑的氮氧化物。当温度达到或者超过某一特定温度时，该电阻转换存储材料的电阻率有剧烈的下降过程，通常高、低电...

本发明涉及一种利用稀磁半导体测量多量子阱耦合的方法，其特征在于利用稀磁半导体中的巨塞曼分裂，用平行于生长方向的磁场调控阱深或垒高，对耦合多量子阱进行测量。并以Ｚｎ↓［０．８］Ｃｄ↓［０．２］／ＺｎＳｅ对称耦合三量子阱为例，在理论上对实验...

本发明公开了一种二极管驱动电阻转换存储器单元及其制造方法，包括基底、设置在基底上的第一导电类型半导体、设置在半导体上的具有电阻转换能力的存储单元以及设置在电阻转换存储单元上的电极；所述第一导电类型半导体与存储单元相邻的表面具有第二导电类...

本发明涉及一种电阻转换存储器单元，包括两金属电极以及处于电极对中间的金属，采用电信号对存储单元进行操作，器件单元在电信号的操作下可实现可逆的高电阻与低电阻之间的可逆转变，从而实现数据存储功能。或者，电极与金属层之间也可以包括一层过渡层，...

本发明涉及一种Ⅲ族氮化物材料的生长方法，其特征在于包括如下步骤：选择一悬臂梁，所述悬臂梁具有一固定端和一自由端；在悬臂梁的上表面生长缓冲层，在缓冲层的表面生长Ⅲ族氮化物层。本发明的优点在于，采用悬臂梁作为生长Ⅲ族氮化物的衬底，由于悬臂梁...

本发明揭示一种相变存储器的制备方法，包括如下步骤：提供一硅片，在该硅片表面沉积一介质层；在介质层上沉积底层电极层；在底层电极层上制备设定厚度的ＳｉｘＯ作为中间绝缘层；在绝缘层上制备通孔，而后填充钨用以连通底层电极，形成钨塞；在绝缘层上沉...

本发明提供一种基于含锑的肖特基二极管，其包括：轻掺杂的半导体层及与所述轻掺杂的半导体层紧密接触的金属层，其中所述金属层含锑。此外，本发明还提供多种自对准制造基于含锑的肖特基二极管阵列的方法，首先在本征或第一导电类型半导体基底上形成第二导...

本发明揭示一种电阻转换存储器及其制造方法，该电阻转换存储器包括选通单元及数据存储单元；选通单元采用肖特基二极管；所述肖特基二极管包括至少一层含锑材料层、至少一层半导体层；数据存储单元包括至少一层含锑材料层。本发明存储器中含锑金属不仅作为...

本发明涉及一种采用自对准法制造肖特基二极管阵列的方法，此方法用较少的工艺步骤制造二极管阵列，有效节省了光刻次数，采用特定的金属与半导体，使两者之间形成稳定的肖特基接触，用于肖特基二极管的形成，进而对存储器件进行选通。作为本发明的一部分，...

本发明揭示一种多晶硅肖特基二极管及其制造方法、电阻转换存储器的制造方法。多晶硅肖特基二极管包括多晶硅半导体层、及与多晶硅形成肖特基接触的金属层。所述半导体层为通过金属诱导法、或气相沉积法、或准分子激光脉冲法制备得到的多晶硅材料。所述金属...

本发明揭示一种实现三维立体结构相变存储芯片的工艺方法，该方法首先采用室温等离子体活化键合技术将有外围电路的硅片与外延了ｐｎ结的ＳＯＩ片键合；并在１５０℃－４００℃下低温退火，以加强键合强度；然后用ＫＯＨ溶液腐蚀掉ＳＯＩ片的体硅部分，并且...

本发明涉及一种具有阶梯结构底电极的静电扭转微镜。其特征在于驱动电极呈多级阶梯底电极结构；阶梯结构底电极台阶数至少大于或等于２，阶梯底电极与微镜的角度由台阶高度ｈ和台阶宽度ｌ的比值控制。通过Ｘ方向和Ｙ方向分别设置扭梁并进行二维嵌套，可方便...

本发明涉及一种类似绝缘层上硅结构的材料及制备方法。其特征在于它具有Ｓｉ／ＳｉＧｅ／ＳｉＯ＃－［２］／Ｓｉ或ＳｉＧｅ／ＳｉＯ＃－［２］／Ｓｉ的ＳｉＧｅ－ＯＩ结构，前者Ｇｅ组分恒定，一般小于３０％；后者由递变Ｇｅ组分的ＳｉＧｅ缓冲层和Ｇｅ组...

本发明涉及一种尺寸小于倒扣机吸头孔径的微小芯片倒扣工艺技术，属于微电子集成及封装技术领域。其特征在于（１）将室温下呈固体状态的粘结剂放在载体上，对载体加热至粘结剂熔化，停止加温，自然冷却粘结剂凝固在载体表面，形成一厚度均匀的薄层；（２）...

本发明涉及一种在深反应离子（ＤＲＩＥ）形成的深沟侧面进行半导体杂质扩散来形成加速度敏感梁两个侧面上的压阻敏感电阻的加速度传感器及制造方法。属于硅微机械传感器技术领域。其特征在于为实现电阻间的电绝缘，还采用了在ＤＲＩＥ形成的绝缘深沟内进行...

本发明涉及一种低剂量注氧隔离技术制备绝缘层上硅的方法，其特征在于，（１）再在３０－２１０ｋｅＶ能量下氧离子，注入剂量根据剂量与能量的匹配关系选择，使制备的ＳＯＩ结构的顶层硅中线位错密度和埋层中针孔密度最低；（２）注入完成后，退火气氛是高...

本发明涉及一种广义的绝缘体上半导体薄膜材料（ＳＯＩ）及制备方法，属于微电子学领域。其特征在于利用氢、氦等离子注入与键合技术，形成以Ｓｉ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、类金刚石等半导体薄膜材料为有源层，以ＳｉＯ↓［２］、ＡｌＮ、Ａｌ...

本发明涉及一种硅尖的制作方法，更确切地说，涉及一种底部三面保护的制作硅尖方法，其特征在于：（１）在（１００）硅片正面和背面，挖二条相交的槽，然后用二氧化硅保护槽的表面和硅片的正面和背面，形成二个侧面和一个硅片背面的三面保护；（２）然后，...

本发明涉及一种外延生长用蓝宝石衬底镓原子清洗的方法，属于晶体外延生长领域，所述的方法是：（１）将湿法清洗过的蓝宝石衬底传送入ＭＢＥ生长室内的样品架上，经高温～９００℃热退火之后将衬底温度降低至６００℃～８５０℃范围。反射式高能电子衍射（...