本发明涉及一种锂离子电池多元正极材料的制备方法。通过制备尖晶石结构的过渡金属复合氧化物作为中间产物，再与锂盐混合后经高温煅烧而成，该正极材料的组成为ＬｉＮｉ↓［ｘ］Ｃｏ↓［ｙ］Ｍｎ↓［１－ｘ－ｙ］Ｏ↓［２］（其中０．１≤ｘ≤０．８，０．...

本发明为一种用于自呼吸式微型质子交换膜（ＰＥＭ）燃料电池的阴极流场板结构，特别涉及采用微电子机械系统（ＭＥＭＳ）技术加工的新结构。该流场由双层复合镂空结构，两层镂空尺寸依次减小；即流场板靠近空气一侧，加工成垂直于硅片方向的镂空流道，在靠...

本发明涉及一种锂离子电池电解液及组成的锂离子电池，包括非水有机溶剂，锂盐及式（１）所示的乙酸丙酯化合物，式中，Ｒ１为Ｃ↓［ｎ］Ｈ↓［２ｎ＋１］（０≤ｎ≤５）、Ｒ２为Ｃ↓［ｍ］Ｈ↓［２ｍ＋１］（３≤ｍ≤５）。该类化合物在电池的工作电压范围...

本发明提供了一种基于金属簇合物途径制备负载型和非负载型铂纳米电催化剂的方法。特征为：在碱性条件下通过一氧化碳与催化剂的前驱体在０～１００℃反应得到金属簇合物溶液，为组分（Ａ）；在惰性气体或ＣＯ或它们的混合气体保护下向组分（Ａ）中加入不同...

本发明提供了负载型和非负载型铂－钌基电催化剂和基于金属簇合物途径的制备方法。催化剂为铂和钌的混合物，或在铂和钌的混合物中添加过渡金属ⅠＢ到ⅢＢ的一种或几种辅助成分，形成多组分的催化剂。制备过程的特征为：①在碱性条件下通过一氧化碳与催化剂...

本发明涉及一种锂离子电池用磷酸亚铁锂－碳复合正极材料的制备方法，其特征在于以Ｆｅ↑［３＋］化合物为原料，基于醚类有机溶剂体系，通过溶胶－凝胶方法，结合碳热还原法制备的。所制备的复合材料中磷酸亚铁锂为橄榄石型，粒径为４００－８００ｎｍ，且...

本发明涉及一种纳米磷酸亚铁锂－碳复合正极材料的制备方法，其特征在于基于醚类有机溶剂体系，通过前驱体原料的溶胶过程，实现Ｆｅ↑［３＋］、Ｌｉ↑［＋１］和ＰＯ↓［４］↑［２－］的分子级混合，然后通过低温烧结工艺制备的。所制备的复合材料中磷酸...

本发明提供了一种卷绕式锂离子电池及其制作方法，其特征在于在正极片的上侧和负极片的下侧沿卷绕方向预留一定宽度的集流体空白。将正、负极片沿宽度方向错开一定距离后卷绕成电芯。将电芯两端露出的空白集流体抿倒成一个平面，再分别在其端面焊接集流盘或...

本发明涉及一种提高镍氢电池贮存性能的方法，其特征是在不影响电池初始容量的前提下，通过提高正极钴化合物导电网络的稳定性来改善镍氢电池的贮存性能，降低镍氢电池长时间贮存后的容量衰减。该方法的特征是正极配方调整：降低添加剂ＣｏＯ的含量，取而代...

本发明公开了一种制备直接醇燃料电池膜电极的方法，其特征在于，包括以下步骤：Ａ、将催化剂和第一粘结剂分散于分散剂中，得到浆料；Ｂ、将浆料在４０～１００℃加热１０分钟～３小时，再超声１０分钟～２小时，形成均匀的浆液；Ｃ、将浆液涂覆在支撑层上...

本发明涉及了一种高稳定性碳载Ｐｔ－Ａｕ双金属纳米电催化剂的制备方法，其特征在于：（１）在－１０～１０℃中，将一定浓度氯金酸溶液加入到纳米Ｐｔ／Ｃ催化剂中经超声或搅拌混合，控制Ｐｔ∶Ａｕ的原子比为１８∶１－５∶１；（２）添加少量Ｃ↓［１］...

本发明公开了一种制备直接醇类燃料电池用Ｐｄ基纳米催化剂的方法，其特征在于，依次包括以下步骤：Ａ．将碳载体加入多元醇中或将碳载体与稳定剂一起加入多元醇中，分散均匀得含碳浆液；Ｂ．将钯前驱体和金属添加物前驱体加入分散均匀的含碳浆液中；Ｃ．将...

本发明提供了直接甲醇燃料电池一种复合阳极及制作方法，其特征在于所述的复合阳极由支撑层、扩散层和催化层构成，扩散层是由碳纳米管构成网络通道的结构。制备过程的典型特征为：（１）将一定量碳纳米管或添加了一定量其它碳材料的碳纳米管分散于异丙醇水...

本发明涉及一种镍氢电池负极的制备方法，包括如下步骤：称取一定量的储氢合金粉，加入质量百分数为２％－５％的乙炔黑作导电剂后，混合均匀，然后加入浓度为５％ＰＶＡ溶液，搅拌均匀后涂抹于泡沫镍上，将泡沫镍折叠并压紧，点焊上镍条即完成极耳的制备。...

本发明涉及一种微型生物样品富集芯片及其制作方法，特征在于用ＭＥＭＳ加工工艺在硅片表面刻蚀微米级别的微柱，然后在微柱表面引入活性官能基团，最后抗体或受体的化学基团与衍生的活性化学基团发生共价化学反应，抗体或受体就被固定在微柱的表面，当溶液...

本发明涉及一种用低温键合和硅湿法刻蚀工艺制作相变随机存储器，其工艺步骤为：（１）清洗氧化硅片，依次沉积３０ｎｍ　　Ｔｉ或ＴｉＮ，１００ｎｍ的Ｐｔ或Ａｕ。（２）将（１００）硅片清洗干净，然后再与步骤（１）中的Ｐｔ或Ａｕ键合，再将键合之后的...

本发明涉及一种微机械圆片级芯片测试探卡及制作方法，所述的包括探针针尖、悬臂梁、信号线和封装焊球，其特征在于：①探针针尖制作在悬臂梁的末端，且嵌入在互联孔中，悬臂梁的另一端与硅片连为一体；②探针针尖与封装焊球位于硅片的上下两边；③信号线位...

本发明涉及一种利用阳极氧化方法来控制氮化钽埋置薄膜电阻精度的制作方法，其特征在于提出了利用沉积在氮化钽薄膜电阻上面的铝膜阳极氧化过程来控制薄膜电阻方块电阻、结构和电阻温度系数的方法。其中氮化钽薄膜电阻图形采用先反应溅射后Ｉｏｎ－ｂｅａｍ...

本发明涉及一种用于波长扩展ＩｎＧａＡｓ光电探测器及其阵列的宽禁带透明缓冲层及窗口层及制作方法，包括采用禁带宽度大于波长扩展ＩｎＧａＡｓ材料且适合采用分子束外延方法生长又方便控制的含铝三元或四元系材料体系、可有效避免失配位错且适合于背面进...

一种非平面表面金属微细图形化的方法，首先在一含有非平面结构的基片表面形成上下两金属牺牲层，并使下层金属牺牲层的标准电极电势高于上层金属牺牲层的标准电极电势，然后通过旋涂光刻胶及湿法腐蚀等以形成图形化上层金属牺牲层，并使图形化上层金属牺牲...