本发明涉及一种垂直腔型半导体光电子器件，其特征在于将隧道结置于垂直腔型半导体光电子器件的微腔中，利用隧道结的反向电流遂穿特性，实现用Ｎ型的分布反馈布拉格腔镜（ＤＢＲ）取代Ｐ型的ＤＢＲ腔镜，能有效降低垂直腔器件的串联电阻，限制侧向电流的扩...

本发明提供了一种基于半导体量子阱负有效质量机制的太赫兹（ＴＨｚ，１ＴＨｚ＝１０↑［１２］Ｈｚ）辐射产生方法。给出了ｐ型量子阱负有效质量ｐ↑［＋］ｐｐ↑［＋］二极管的器件结构。在适当的掺杂和偏置条件下，由于高场畴的形成，二极管中将产生ＴＨ...

本发明提供一种提高Ⅲ－Ⅴ族应变多量子阱发光强度的方法，其特征是通过离子刻蚀方法增强Ⅲ－Ⅴ族发光材料的发光亮度。离子刻蚀覆盖层采用感应耦合等离子体（ＩＣＰ）或反应离子（ＲＩＥ）等刻蚀技术。刻蚀所采用的气体为Ａｒ离子或Ａｒ离子和Ｃｌ↓［２］...

本发明涉及一种旨在获得低阈值电流密度、高边模抑制比的可调谐分布反馈量子级联激光器的波导和光栅结构，并发明了实现设计结构要求的激光器一级光栅的制备方法。所述的激光器波导与光栅结构是一种利用一个深的一级光栅和一个在光栅下方的薄的重掺杂半导体...

本发明涉及一种用于氮化镓外延生长的衬底材料及其制备方法，其特征在于（１）所述的材料为绝缘体上的硅材料（ＳＯＩ）或具有单晶硅－绝缘埋层－单晶硅的三层复合结构的衬底材料；（２）顶层的硅被刻蚀成一个个独立的硅岛；硅岛之间的最小距离要大于外延氮...

本发明提供一种垂直腔面发射光子晶体表面波激光器及其设计方法，所述的设计方法，包括如下步骤：步骤１．选定发光材料，确定材料折射率，选择光子晶体结构类型，确定结构参数；步骤２．利用超原胞技术和平面波展开法计算该结构的色散关系，得到表面模式；...

本发明提供了两种光子晶体自准直激光器及其设计方法，所述的设计方法包括如下步骤：步骤１．选定发光材料，确定材料折射率，选择光子晶体结构类型，确定结构参数；步骤２．利用平面波展开法计算该结构的色散关系得到自准直模式，即自准直激光器的工作频率...

一种单面金属波导太赫兹量子级联激光器及制作方法，其首先利用气态源分子束外延设备在半绝缘的ＧａＡｓ衬底依次生长ＧａＡｓ缓冲层、Ｎ型ＧａＡｓ下波导层、多量子阱级联有源区、加强辅助注入层、Ｎ型ＧａＡｓ上接触层，然后采用光刻显影以及热蒸发的方法...

一种太赫兹量子级联激光器脊形结构湿法腐蚀的方法，首先采用光刻显影制作腐蚀掩膜、坚膜，然后用稀盐酸去除器件材料表面的氧化膜，再将器件材料用相应的夹具固定放入盛有稀释的硫酸腐蚀液的器皿中，并采用磁力搅拌器进行湿法腐蚀，当腐蚀结束后，迅速将器...

一种与植入式器件柔性互连的方法，首先在具有牺牲层的基片上制作一聚合物基底层，并根据待连接的植入式器件的需要在所述聚合物基底层相应位置制作通孔，接着在所述聚合物基底层上制作一金属层，并使金属层不覆盖通孔，接着在金属层上形成一隔离绝缘层，并...

本发明涉及一种手机用的具有高谐波抑制的内置式手机双频贴片天线，其特征在于采用二次谐波特性实现的单一天线的双频频率为９００兆赫兹和１８００兆赫兹，介质层是按周期排列的带隙结构材料，光子晶体的单元间距为二分之一波长，或四分之一波长、八分之一...

本发明提供一种双频宽带电磁带隙（ＥＢＧ）结构及制作方法。其特征在于提供的结构是一种穿孔结构和高阻表面结构相结合的混合结构，电磁带隙结构中介质基片呈矩形，介质基片表面上紧附着穿孔结构和高阻表面结构；其阻带中心频率分别为１．６ＧＨＺ和２．４...

本发明涉及一种高介电常数圆极化小型超高频天线（ＵＨＦ）及其制作方法。ＵＨＦ天线特征在于（１）所述的超高频天线是由辐射贴片、馈电点和介质基片组成；（２）辐射贴片紧贴在介质基片的上表面，介质基片的下表面为金属接地面；介质基片和辐射贴片呈矩形...

本发明涉及一种用于雷达、通信系统单天线方案中进行收发隔离的环行器，具体地说是一种适用于各种频段的微波通信系统中的新型高收发隔离的混合环行器。包括复合在介质衬底上的三个功分器和一个混合环，所述功分器和混合环的等分端依次串联呈环型，所述混合...

本实用新型公开了一种平衡混频器用混合环的等效分析电路，包括六节环型臂，环型臂的长度为中心频率的１／４波长，环型臂的角度为６０度，还包括六节微带线，所述六节环形臂依次相连，所述微带线从两相邻环型臂的交点引出，所述微带线与环型臂正交重叠合并...

一种微型扭转式单刀双置射频开关，包括驱动电报，质量块和ＲＦ传输线，其特征在于１）ＭＥＭＳ部件和ＲＦ传输部分有共同的衬底；（２）射频传输线分别位于驱动电极的两侧；（３）可动部分悬空在射频信号线和驱动电极的正上方，可动部分是由扭转质量块和两...

本发明涉及一种翘曲膜结构的单刀双掷射频和微波微机械开关及其制作方法。由第一基板上的第一凹部、位于第一凹部底部以及第一基板表面上的第一波导线、第一凹部底部的第一吸引电极、第一基板表面上的转换导体、第二基板上的第二凹部、位于第二凹部底部以及...

本发明公开了一种小型化螺旋微带平行线耦合滤波器，包括输入端和输出端，输入输出耦合线分别与输入输出端相连接，输入输出耦合线终端均为开路，所述输入输出耦合线分别折叠后，相互螺旋耦合，形成耦合线单元。本发明通过将传统的平行耦合线滤波器耦合线折...

本发明公开了一种补偿型微带谐振器以及具有谐波抑制功能的微带开路环耦合带通滤波器。所述滤波器包括输入馈线和输出馈线、开路环耦合器，其特征在于，还包括补偿型微带谐振器，所述输入馈线和输出馈线分别与补偿型微带谐振器串联后再与开路环耦合器相连。...

本发明涉及一种补偿型微带谐振单元及其构成的环行耦合器，其特征在于所述的补偿型微带谐振单元由四个螺旋形微带开路线组成，在螺旋带谐振单元的中心各有一个长环带状和短环带状的微带开路线补偿结构，所述的环行耦合器是由六个补偿型螺旋微带谐振单元替代...