本发明提供一种多子带滤波器组的频分多址系统的发射、接收机及其方法，所述发射机包括：数据块分割装置，用于将已调制串行符号数据序列，分割为多个串行符号数据块序列；实部多子带滤波器组，用于对数据块分割装置输出的数据块的实部进行多子带滤波；虚部...

一种优化吞吐量的多天线多速率发射机及其发射方法，包括调制器模块、模式切换处理器、和空时／空频处理器，所述调制器模块输出符号序列Ｓ，所述模式切换处理器用于计算编码系统在某一接收方法对应的接收机下采用备选的各种速率对应的发送矩阵时的系统吞吐...

本发明涉及一种利用光子晶体实现无时间－空间展宽的光子弹传播的方法，包括下列步骤：（１）确定孔径大小：根据光子晶体的色散关系等频图和群速度色散关系图，能使等频图上的自准直区域与群速度色散图上零群速度色散区域重合的孔径为所需孔径；（２）打孔...

本发明涉及一种利用光致短路产生亚载流子寿命导波电脉冲的器件结构，属于太赫兹脉冲产生技术领域。所采取的方案是：在光电导材料衬底上利用标准光刻技术制作共面波导传输线电路，其中外加偏置电压的线上制作一个光电导缝隙，把一直角三角棱镜在此缝隙处跨...

本发明提供一种可以抑制输出电平漂移的放大电路，其包括一输入端、一运算放大器、一第一数字电位器、一模数转换模块、一运算控制逻辑、一反馈电路和第一输入电阻。运算控制逻辑通过模数转换模块监控运算放大器的输出电平，运算控制逻辑按照一定规则对模数...

本发明涉及一种自适应检波电路，其特征在于它由峰峰值到有效值变换电路、系数产生电路、反向电路、单刀双掷开关和比较器构成的方波输出电路组成，其中峰峰值到有效值变换电路，把输入的交流信号变换成直流信号，作为门限值的基值；系数产生电路使门限值的...

本发明涉及一种固定频率脉宽调制电路的噪声抑制技术，采用积分器，比较器和负载发生器电路组成的监测脉宽调制器的占空比电路，其特点是：通过该电路监测脉宽调制器的占空比，当占空比降低到临界值（Ｄｂ）时，自动导入一个负载，使得调制器一直工作在连续...

本发明涉及一种用于短脉冲大电流激光器驱动的一体化电源，由脉冲发生器、脉冲电平转换器、脉冲驱动输出单元、低频直流控制单元以及电流监测输出端和触发电压输出端、激光器波长调谐的低频直流偏置输入端和偏置监控输出端构成。脉冲重复频率１０－１００Ｋ...

本发明涉及一种束源炉断电或误操作用的保护系统、构建方法及应用，包括在多种可能的断电或误操作状态下对各种型号规格的束源炉及其坩埚进行有效保护的系统以及相关部件的参数确定的规则。本发明提供的保护系统包括三个子系统，分别是用于断电或误操作状态...

本发明涉及一种单片双芯或多芯半导体激光气体传感器，其特征在于它由封装于同一管壳热沉上的制作于同一单片衬底上的激光器芯组成的单片双芯或多芯激光器、用于热沉温度控制的热电控温电路、时分驱动电路、用于吸收和参比光信号探测的光电探测器、放大及时...

本发明提供一种实现半导体激光器后腔面高反射涂层的膜系结构，目的是提高激光器输出功率，减小阈值电流，改善激光器各方面性能。其特征在于本发明采用既廉价又容易蒸发的金属银（Ａｇ）做为高反射镀膜材料，以其它折射率接近１．８的氧化物介质膜，如Ｚｒ...

本发明涉及一种用于半导体激光器腔面蒸镀的非接触固定方式的夹具，其特征在于采用了非接触固定方式，避免产生机械损伤。该夹具由一个不锈钢板上开有宽度为０．１５－０．２５ｍｍ，间距为２－３ｍｍ的多条狭缝而制成。使用时只要把解理条放进狭缝里即可固...

一种用于半导体激光器后腔面的高反射膜系结构，其特征在於高反射膜系依次由（１－φ／π）×λ／４ｎ厚相位匹配的氧化物介质薄膜、８０－１５０ｎｍ厚金属膜、５０ｎｍ厚的氧化物介质保护膜组成，式中λ为激光器激射波长，φ为金属膜反射激光时的绝对相移...

本发明涉及一种ＩｎＰ和ＧａＡｓ的直接键合方法，包括表面清洁、叠片和高温退火三个工艺过程，其特征在于直接键合的工艺是在键合前ＩｎＰ和ＧａＡｓ表面两次去氧化物层，然后不经高纯氮吹干而直接放入还原性氮水中浸泡，浸泡后直接放入防氧化的甲醇溶液中...

本发明涉及一种采用离子交换工艺在玻璃基片上制作的半导体激光器阵列的光纤耦合器件，特征在于横截面上沿平行于玻璃基片平面的方向形成周期性的若干个高折射率区域；以一个高折射率区域为中心的一个周期构成一个耦合单元，在每个耦合单元内部折射率分布具...

本发明涉及一种新型ＩｎＰ基量子级联激光器异质结构多功能缓冲层及制作方法。其特征在于（ａ）所述的一种结构是在１０↑［１８］ｃｍ↑［－３］高施主掺杂ＩｎＰ衬底上外延生长１－５×１０↑［１７］ｃｍ↑［－３］电子浓度的ＩｎＰ缓冲层；（ｂ）所述的...

本发明涉及用气态源分子束外延技术生长含砷含磷量子级联激光器结构原子层尺度外延材料质量控制方法。包括：（１）外延层原子层界面砷／磷原子混凝控制方法；（２）外延层的组份均匀性的控制；（３）外延层厚度的控制以及（４）外延层施主掺杂的控制方法。...

本发明涉及中红外低阈值电流密度ＩｎＰ基含砷含磷量子级联激光器结构及其不间断连续生长制备方法。其特征是：（１）四种中红外ＩｎＰ基含砷含磷量子级联激光器结构。这四种ＱＣＬ结构的特点是：（ａ）都包括了ＩｎＰ基含砷含磷ＧａＩｎＡｓ／ＡｌＩｎＡｓ...

本发明涉及用于制备中红外量子级联激光器光栅的全息光栅刻蚀方法。包括基于用全息技术制备一级光栅，通过精确控制两束相干光束的夹角得到高精度的光栅周期，建立和优化适用于中红外量子级联激光器的全息光栅曝光系统、光栅刻蚀清洗工艺、适合光栅曝光的特...

本发明涉及由直接带隙二元系和间接带隙二元系组成的三元系Ⅲ－Ⅴ族含铝砷化物和锑化物的掺杂及方法，具体涉及ＡｌＩｎＡｓ、ＡｌＧａＡｓ和ＡｌＧａＡｓＳｂ多元系外延材料及其在全铝组份变化范围的施主掺杂及方法。其特征包括了在磷化铟、砷化镓衬底上用...