本发明涉及射频等离子体分子束外延生长ＧａＮ的双缓冲层工艺，属于晶体外延生长领域。其特征在于：（１）经Ｇａ原子清洗及氮化处理的蓝宝石衬底温度降低至４５０℃～５５０℃范围；（２）开启Ｇａ束源炉快门，进行较低温度的缓冲层结晶成核生长，时间２分...

本发明涉及一种异质外延生长的氮化镓晶体的位错密度的测定方法，特征在于用光辅助湿法刻蚀结合原子力显微镜对刻蚀的表面位错腐蚀坑密度统计，测出ＧａＮ外延层的位错密度；其具体测定步骤是：（１）先按照异丙醇、丙酮、乙醇的顺序对ＧａＮ样品进行化学清...

一种剂量－能量优化注氧隔离技术制备图形化绝缘体上的硅材料的方法，依次包括在半导体衬底上生成掩模、离子注入和高温退火，其特征在于（１）在离子注入前在硅片上形成掩模以在体硅区域完全阻挡离子的注入；（２）图形化ＳＯＩ材料体硅区域的掩模为ＳｉＯ...

本发明涉及一种源漏在绝缘体上的场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）的制造方法，属于微电子技术领域。本发明的特征在于采用选择外延法在常规ＳＯＩＭＯＳＴＥＴ器件的沟道下方埋氧中开一个窗口，使器件的沟道和硅衬底相连接，达到电耦合与热耦合的目的。具体而...

本发明提出了一种准绝缘体上的硅（ＳＯＩ）金属－氧化物－半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）器件的新结构及实现方法。其特征在于源漏区下方埋氧是连续的；而沟道区下方的埋氧是非连续的。采用注氧隔离技术来实现的工艺过程是：（１）在半导体衬底中注入...

本发明提出了一种降低全耗尽绝缘体上的硅（ＳＯＩ）金属－氧化物－半导体场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）源漏串联电阻的新结构，其特征在于源漏区的顶层硅比沟道区的顶层硅厚，从而有效地降低了源漏串联电阻；同时，源漏区和沟道区的表面在同一平面上。这种...

本发明提出了一种同时形成图形化埋氧和器件浅沟槽隔离的方法。其特征在于将图形化绝缘体上的硅（ＳＯＩ）材料的制备工艺和半导体器件的浅沟槽隔离（ＳＴＩ）工艺结合起来；在形成ＳＴＩ的过程中完成图形化ＳＯＩ材料的制备。主要工艺步骤包括依次包括在半...

本发明公开了一种注氧隔离（ＳＩＭＯＸ）技术制备全介质隔离的硅量子线的方法。本发明的特征是将ＳＯＩ衬底材料的制备工艺与其后形成硅量子线的牺牲热氧化工艺结合在一起；在制备ＳＯＩ衬底材料的过程中完成硅量子线的制备，具体包括三个步骤：（ａ）确定...

本发明涉及制备厚膜ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎｏｎｉｎｓｕｌａｔｏｒ）材料的方法，其特征在于利用ＳＩＭＯＸ技术制备的薄ＳＯＩ材料作为衬底，然后利用气相外延工艺进行外延生长单晶硅层。用该方法制备的ＳＯＩ材料可以用作光波导材料，外延层厚度可以...

本发明涉及一种微机械传感器的气密封装等温凝固方法。其特征在于以一种高熔点的金属和一种低熔点的金属为封装材料，利用它们原子反应扩散为手段，在低熔点金属完全反应生成中间化合物的同时，完成封装的。更确切地说在腔体和ＭＥＭＳ器件周边上，形成焊料...

一种硅纳米线的制作方法，其特征在于利用硅自停止腐蚀工艺，在介质层上的硅材料上加工硅纳米线的方法。

本发明涉及带有微型连接构件的基板及其制作方法，可分为带有导入孔构件的第一基板和带有插入头构件的第二基板。导入孔构件，由第一基板上的至少两个导入孔部和至少两个隔离孔部，以及两者之间的间隔块部组成；导入孔部由垂直于第一基板表面的导入直孔及其...

一种微机电芯片的密封真空腔体制作方法，包括盖板和芯片的对位，其特征在于：　　　　（１）在芯片或盖板上涂覆密封介质，并在芯片和盖板间放置熔点低于或等于密封介质粘接温度的支撑体；　　　（２）支撑体高度高于密封介质，用普通对位设备将上基板对准...

一种制造源漏在自对准绝缘体上的纳米晶体管器件的方法，其特征在于将侧墙技术、ＳＩＭＯＸ技术和ＣＭＯＳ工艺相结合，用侧墙厚度定义晶体管栅的长度，以ＳｉＯ↓［２］掩膜和叠层为掩膜进行自对准的注氧隔离。

一种采用侧墙技术制备有纳米硅通道的埋氧的方法，依次包括离子注入和高温退火步骤，其特征在于包括以下工艺步骤：　　　　（ａ）在半导体衬底上生长ＳｉＯ↓［２］薄膜（２）；　　　　（ｂ）用ＬＰＣＶＤ在ＳｉＯ↓［２］薄膜上沉积Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４...

一种相变薄膜材料纳米线制备方法，其特征在于包括：　　　　（１）在（１００）取向的Ｓｉ衬底上先后沉积ＴｉＯ↓［２］或Ｔｉ过渡层和Ｗ电极层；　　　　（２）在衬底冷却条件下真空溅射相变薄膜材料；　　　　（３）在气压为０．５－２Ｐａ的氮气或氩气...

一种相变存储器纳米量级单元器件的制备方法，包括基底的选择和清洗，其特征在于清洗后的基底上先后制备过渡层和下电极，再在下电极上利用掩膜板相继制备相变合金层和上电极，接着取下掩膜板，对合金层进行腐蚀，形成中间细两头粗的形状，然后填充绝缘填充...

一种最小尺寸为纳米量级的图形的印刻法制备工艺，其特征在于　　　　（１）先在清洗后硬度较高的固体材料上制备出“印”，“印”上刻有所需的凸起或凹进的图形；　　　　（２）接着利用所得的“印”压在硬度较低的柔软材料上，印上突出的部分就在该材料上...

本发明涉及一种相变存储器单元器件的制备方法，属于微电子技术领域。其特征在于，首先在衬底材料上沉积底电极材料，再沉积电介质材料，然后通过机械方法，用三棱锥，圆锥等多种形状和钻石，金刚石等不同材料的压头在薄膜上打出小孔，使小孔穿透电介质层，...

一种用于半导体材料测量表征的方法，其特征在于：　　　　１）采用两个或多个不同波长的单色激光器作为测量光源；　　　　２）用材料的光电导、光伏或光电容信号作为响应信号；　　　　３）对测量光源进行变频调制，采用锁相放大技术测量光源调制频率与响...