本发明涉及一种用于氮化镓外延生长的衬底材料，其特征在于（１）所述的材料为绝缘体上的硅材料或具有单晶硅－绝缘埋层－单晶硅的三层复合结构的衬底材料；（２）顶层的硅被刻蚀成独立的硅岛且硅岛下面保留一部分的绝缘埋层；硅岛各平行边之间的垂直距离小...

本发明涉及一种氢化物气相外延（ＨＶＰＥ）氮化镓（ＧａＮ）材料中采用多孔ＧａＮ作为衬底的生长方法，其特征在于首先制作多孔ＧａＮ衬底的掩膜，然后将掩膜板放入感应耦合等离子中进行刻蚀，接着用酸或碱溶液去除阳极氧化铝，得到多孔ＧａＮ衬底；其次是...

本发明涉及一种改变氢化物气相外延（ＨＶＰＥ）生长的氮化镓（ＧａＮ）外延层极性的方法，其特征在于采用了中断ＨＣｌ生长的方法。在ＨＶＰＥ制备ＧａＮ膜的过程中，先在高温下通ＮＨ↓［３］氮化蓝宝石（Ｓａｐｐｈｉｒｅ），再通ＨＣｌ生长ＧａＮ，此时...

本发明涉及一种氮化镓（ＧａＮ）基材料在干法刻蚀中而受损伤的修复方法，其特征在于在是将刻蚀受损的ＧａＮ基材料在高真空设备中热退火的同时通入等离子态氮处理，退火温度为用ＭＢＥ（分子束外延）法生长氮化物外延层的典型生长温度（６５０～８００℃）...

本发明涉及提高ＭＯＳ晶体管场区抗总剂量辐射的加固方法，属于微电子与固体电子学中、半导体集成电路加工技术领域。本发明的特征在于在金属氧化物半导体器件制备工艺流程的刻蚀硅岛、场注入、去胶清洗、场氧化之后，以及预栅氧之前，在场区氧化层中室温下...

本发明是一种相变薄膜场效应晶体管单元器件及其制作方法。其特征在于用相变材料替代场效应晶体管中的半导体材料硅，利用相变材料的电致相变特性和半导体特性，同时在一个器件中实现场效应晶体管特性和存储功能。同时，本发明还包括该种新型器件的制作方法...

本发明涉及一种与互补金属氧化物半导体（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ　　Ｍｅｔａｌ－Ｏｘｉｄｅ　　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ，ＣＭＯＳ）兼容的微机械热电堆红外探测器结构及其制作方法，其特征为利用（１００）单晶硅各向异性腐蚀特性采用正面特定的...

本发明涉及一种利用电子束曝光和化学机械抛光的工艺制作纳电子存储器的方法。工艺步骤是：（１）在清洗干净的衬底上热氧化一层氧化层；（２）沉积过渡层与底电极薄膜；（３）再次沉积过渡层与介质绝缘绝热层；（４）通过电子束曝光在绝缘绝热介质上形成纳...

本发明涉及一种减小相变存储器加热电极的方法，首先通过微纳加工技术或亚微米ＣＭＯＳ标准工艺，在ＳｉＯ２衬底上制备出较大直径的２００－５００ｎｍ的孔洞，接着利用ＣＶＤ或ＰＶＤ技术在该孔洞中填充Ｗ、ＴｉＮ等加热材料，然后进行化学机械抛光，形成...

本发明涉及一种与ＣＭＯＳ工艺兼容的嵌入悬浮螺管结构电感或互感的制作方法，其特征在于首先在硅片的表面电镀出电感或互感的上导线，再利用各向异性腐蚀形成“Ｖ”字形或倒梯形的沟槽，在沟槽里面制作电感或互感的下导线，并使下导线与上导线在硅片表面处...

本发明涉及一种相变存储单元及其制备方法，其特征在于：在衬底上覆盖有下电极层；在下电极上覆盖有绝热材料层，绝热材料层中存在孔洞；孔洞中包含与下电极相通的空心柱状加热电极材料结构；柱状加热电极上覆盖有绝热材料层，绝热材料层中包含与柱状加热电...

本发明涉及一种用于相变存储器的锗钛基存储材料及制备方法。本发明锗钛基存储材料组成式为Ｇｅ↓［ｘ］Ｔｉ↓［ｙ］，式中ｘ、ｙ为元素的原子百分比，且０＜ｘ＜１；０＜ｙ＜１。所述的Ｇｅ↓［ｘ］Ｔｉ↓［ｙ］基存储材料，在施加电脉冲信号的情况下，发...

本发明涉及微机械红外热电堆探测器结构及其制作方法，其特征在于作为红外吸收层的悬浮膜结构具有多种形状的腐蚀开口，使用各向同性的干法刻蚀从正面腐蚀衬底形成悬浮膜结构释放器件。探测器的衬底和悬浮于框架中间的红外吸收层分别构成热电堆的冷结区和热...

本发明涉及一种用于药物传输的微针阵列，其特征在于阵列中的微针由针尖、针体和基底组成，微针阵列中的微针属于异平面实心微针，针尖用于刺破活体动物皮肤、针体增加刺入量，基底用于稳定微针阵列和防止微针在皮肤中断裂或残留；微针基底面积、微针数目、...

本发明涉及一种采用金属键合工艺实现氮化镓发光二极管垂直结构的方法。本发明采用扩散键合形式的金属键合工艺使在蓝宝石上生长制作的氮化镓发光二极管键合到低阻硅片上并实现欧姆接触。本发明通过采用扩散键合形式的金属键合工艺实现硅基氮化镓发光二极管...

本发明涉及一种基于硫系化合物相变材料的限流器及制作方法。本发明基于硫系化合物相变材料在脉冲电流或电压等的作用下能够发生结构变化，从而引起其电阻性能产生巨大的变化，多晶状态时处于低阻态，非晶状态时处于高阻态，两种状态下的电阻相差可达五个数...

本发明公开了一种三维管道微流体芯片的制作方法。其特征在于首先以金属丝弯曲成三维的空间结构，作为三维管道模具，然后浇注液态聚合物，并以适当条件使之固化，聚合物固化后，再利用电化学的方法腐蚀掉包埋在固化聚合物中的金属丝，最终得到具有三维管道...

本发明涉及一种电阻存储器的器件单元结构及制作方法，其特征在于所述的器件单元结构由顶电极、存储介质层、底电极接触，底电极、绝缘介质薄膜、金属导电层和衬底组成，其中：①制作在绝缘介质薄膜上的底电极接触是采用空心或实心的管状结构；②底电极接触...

本发明涉及相变存储器器件单元的结构及其制备方法，其主要特征在于采用与加热电极和上电极相连的环形相变材料作为存储信息的载体。通过采用合适的薄膜制备技术和纳米加工技术，制备出环形相变材料，通过上下电极引出，并与开关和外围电路集成，制备出纳米...

本发明涉及一种应用于ＭＥＭＳ领域的多层ＳＯＩ材料及制备方法，其特征在于采用ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ－Ｏｎ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ绝缘体上的硅）材料或者具有类ＳＯＩ的多层复合结构衬底，采用硅硅直接键合或熔融键合、结合研磨和抛光或者智能剥离的方法...