本发明涉及纳米复合相变材料以及其制备方法。其特征在于：（１）纳米复合相变材料中具有相变能力的区域被不具备相变能力的稳定功能材料分散成尺寸为纳米量级的微小区域。（２）纳米复合相变材料中功能材料和相变材料层交替生长，功能材料层将各层相变材料...

本发明涉及一种纳米复合相变材料的制备方法。特征在于利用相变材料中各个原素之间不同的化学性能，在相变材料制备过程中通入适量反应气体，使相变材料中的一种或者多种元素在材料生长过程中优先与反应气氛反应并形成固体化合物，与反应剩余相变材料形成复...

本发明涉及一种发光二极管的制作方法，包括下步骤：采用具有六方晶格的外延衬底；在外延衬底表面生长发光层；采用导电支撑衬底；将导电支撑衬底同外延衬底表面的发光层键合；除去外延衬底。本发明的优点在于，采用具有六方晶像的外延衬底生长发光层，可以...

本发明涉及一种存储介质材料，所述存储介质材料包括单质锑及锑材料经适当掺杂后得到的组份，掺杂的杂质含量原子比少于百分之二十。该存储介质材料的特点在于基于该材料的存储器能够在电信号的编程下实现高电阻和低电阻之间的高速的可逆转换，从而实现数据...

本发明涉及一种氢化物气相外延生长氮化镓膜中采用二氧化硅纳米粒子点阵掩膜及其制备方法，其特征在于采用了ＳｉＯ↓［２］纳米粒子点阵作为ＧａＮ横向外延过生长的掩膜。先在ＧａＮ模板上电子束蒸发一层金属Ａｌ，再采用电化学的方法生成多孔状阳极氧化铝...

本发明涉及一种混合图形化单晶硅的绝缘层上锗结构及其制作方法，特征在于有源层由单晶锗和单晶硅构成，且单晶硅的晶向由衬底硅决定。制备该结构的关键是能够制作出绝缘层上锗单晶薄膜，本发明利用等离子体低温键合和低温剥离的工艺，将单晶锗薄膜转移到绝...

本发明涉及一种控制相变材料或相变存储单元体积变化的方法及相应结构，其特征在于在２５℃～４００℃的温度区间通过退火改善相变存储单元中的相变材料自身结构变化引起的体积变化；在４００℃～６５０℃温度区间通过相变存储单元的结构的改进，在相变材料...

本发明涉及一种相变存储器器件单元结构及其制作方法，其特征在于将器件单元中的相变材料和加热电极的横向尺度控制在同一纳米区域范围，构成小加热电极操作小相变材料的结构。其制作方法是首先在衬底上制备介质材料层，然后通过标准的深亚微米工艺或ＦＩＢ...

本发明涉及一种提高相变存储器存储单元可靠性的结构及其制作方法，其特征在于在纳米加热电极和同一直径的柱状相变材料之间增加一薄层缓冲材料，以增强相变材料和加热电极之间的黏附性和界面匹配，同时可改善相变材料和加热电极之间的电学匹配，形成良好的...

一种用于集成电路器件的可再编程激光熔丝器件和连续调整熔丝电阻的方法，其特征在于通过非破坏性改变熔丝的电阻实现对集成电路的调节：采用相变材料替代传统金属线作为熔丝，利用激光实现对相变材料的可逆相变操作，实现被编程熔丝的电阻在高阻和低阻之间...

本发明涉及双浅沟道隔离（ｄｕａｌ－ＳＴＩ）的双极型晶体管阵列的制造方法，其特征在于制造方法中，避免了选择性外延法，在第一导电类型的衬底上制造形成较深的ＳＴＩ，在ＳＴＩ的侧壁和底部均匀沉积含有易扩散的第二导电类型原子材料；去除沉积在ＳＴＩ...

本发明涉及一种利用均匀纳米粒子点阵提高厚膜ＧａＮ质量的方法，其特征在于采用了纳米量级的ＳｉＯ↓［２］、ＳｉＯ或Ｓｉ↓［ｘ］Ｎ↓［ｙ］等点阵作为ＧａＮ外延掩模。在氢化物气相外延之前，先在ＧａＮ模板上电子束蒸发一层金属Ａｌ，再采用电化学的方...

本发明提供了一种三维堆叠非相变所致电阻转换存储装置及其制造方法，所述三维堆叠非相变所致电阻转换存储装置包括如下结构：衬底、逻辑电路、底层字线阵列、至少一层存储层、位线阵列；所述衬底的一侧依次设有逻辑电路、底层字线阵列，所述至少一层存储层...

一种绝缘体上锗硅衬底的制备方法，包括如下步骤：（ａ）提供单晶硅衬底；（ｂ）在单晶硅衬底表面生长锗硅层；（ｃ）将起泡离子注入单晶硅衬底中；（ｄ）退火，从而形成气孔层；（ｅ）将氧离子注入至气孔层中；（ｆ）退火，从而形成绝缘埋层。本发明的优点...

本发明涉及一种电可再编程熔丝器件，用于集成电路器件，其采用Ｓｉ↓［ｘ］Ｓｂ↓［１００－ｘ］（０≤ｘ＜９０）合金作为熔丝材料，利用电信号对熔丝进行可逆的编程操作，熔丝器件单元的电阻可在高、低电阻之间实现转换，从而实现对电路的修复操作。基于...

本发明提供一种提高碳纳米管薄膜的场致电子发射性能的方法，属于场发射显示器领域。其特点是移植法制备的ＣＮＴ薄膜阴极采用热处理工艺与等离子体积表面处理工艺；而直接生长法制备的ＣＮＴ薄膜阴极仅采用等离子体表面处理工艺，等离子体表面处理的工艺参...

一种晶体管控制的碳纳米管场发射显示阵列结构，包括作为器件载体的基板、在基板上的场效应晶体管，以及位于晶体管漏上的碳纳米管场发射显示阵列，其特征在于晶体管的漏同时作为碳纳米管场发射显示阵列的阴极，将晶体管与碳纳米管发射阵列结合起来，由晶体...

一种场发射显示器件的高真空封装方法，其特征在于采用真空热熔密封一次完成。

本发明涉及一种离子注入提高碳纳米管薄膜电子场发射的方法。特征在于通过对碳纳米管薄膜的衬底进行离子束处理，在衬底表面形成微米级的坑洞，经过后续处理，生长出具有微孔或微束特征的碳纳米管膜。通过增加碳纳米管膜中边缘比例和降低碳纳米管膜整体密度...

本发明提供一种简单而有效的方法来实现印刷法制备的ＣＮＴ薄膜阴极的图形化场致发射显示，其特征在于首先将直接印刷整片的碳纳米管薄膜，通过热处理工艺去除印刷过程中的有机添加物得到整片的碳纳米管薄膜阴极，然后通过机械的表面图形转移法使需要显示的...