本发明提供一种提高印刷法制备的碳纳米管（ＣＮＴ）薄膜阴极的场致电子发射性能的处理方法，通过二次热处理工艺与表面提拉工艺，除去ＣＮＴ薄膜中所含的杂质，在ＣＮＴ与衬底间形成良好的机械接触和电接触，并使表面ＣＮＴ垂直于衬底表面，从而使ＣＮＴ薄...

本发明涉及硅微机械压力开关、制作方法及其应用。其特征在于所述的压力开关包括上下两个电极，两电极间有二氧化硅作为绝缘层进行隔离，上电极包括空气腔，硅弹性薄膜，节流孔，框架；下电极包括导流孔。其特征在于湿法腐蚀硅可同时形成空气腔和硅弹性薄膜...

本发明涉及一种磁性微结构的制作方法，其特征在于包括多层模具的制作和磁性微结构制作两部分。前者包括用标准ＲＣＡ清洗工艺清洗硅片，在硅片表面甩涂多层ＳＵ－８光刻胶，前烘，光刻，后烘显影得到多层ＳＵ－８模具；然后本发明通过在多层模具中直接填充...

本发明是一种提升相变存储器编程速度的方法及实现方法。其特征在于在存储器编程空闲时间对无数据或未存储数据部分的存储单元或者存储单元块进行全局性的ＳＥＴ编程操作；所述的空闲时间为存储器单元处于待机状态，没有编程的任务状态；所述的全局性的ＳＥ...

本发明涉及一种基于ＳｉＳｂ复合材料的相变存储器单元。ＳｉＳｂ是一种复合材料，它既具备半导体特性，又具有相变特性，在电信号作用下材料具备在高、低电阻间的可逆转换能力。当ＳｉＳｂ中的硅含量较高（Ｓｉ含量大于百分之五十原子比）时，ＳｉＳｂ材料...

本发明涉及一种电阻转换存储单元及其方法，其结构包括：阈值电压可调的场效应晶体管及其阈值电压调节电路；以及至少一个与上述每个场效应晶体管对应连接的电阻转换存储单元。在存储器写、擦编程需要大电流时，通过晶体管体端电压的调整将晶体管的阈值电压...

本发明涉及一种可用于相变存储器多级存储的相变材料。其特征在于所述的相变材料为掺杂氮或硼的Ｇｅ↓［２］Ｓｂ↓［２］Ｔｅ↓［５］存储材料，其掺杂量为０．０１－１０原子百分比的氮或０．０１－５原子百分比的硼。相变材料结构状态的改变将伴随着电阻...

本发明涉及一种电学测量过程中实现探针针尖与相变存储器器件单元纳米电极可靠接触的方法，其特征在于将测试探针和待测样品串联到一外围直流电路中，缓慢调节探针升降旋钮，先粗调后细调，当探针针尖和样品表面接触时，外围直流电路导通，串接在直流回路中...

本发明涉及相变存储器器件单元阵列演示系统及可视化演示的方法，其特征在于所述的演示系统由控制计算机、脉冲信号发生器、控制电路板、相变存储器存储阵列芯片及转换连接部件构成，其中所述的电路板是由控制电路、选址电路、切换电路、读出电路、显示电路...

本发明涉及一种相变存储器器件单元的测试系统及测试方法，其特征在于所述的测试系统是由控制计算机、脉冲信号发生器、数字信号源、微控探针台和转换连接部件组成；其中，通过通用接口总线使主控计算机与脉冲信号发生器和数字信号源相连；通过控制卡的控制...

本发明涉及一种相变存储器读、写操作可调脉宽控制电路的设计方法，属于微电子学领域。特征在于利用环形振荡器输出周期信号控制计数器，通过计数的方式获得脉冲宽度或调节脉冲宽度。本发明能够在不耗费芯片面积的前提下大幅度提升脉宽调节范围及精度，同时...

本发明涉及一种相变存储器驱动电路，其特征在于采用两级电流镜结构，第一级为由ＮＭＯＳ管形成的电流镜电路，第二级为由ＰＭＯＳ管形成的电流镜电路，第一级与第二级电流镜电路相互连接，并且第二级的输出信号最终耦合至位线。在第一级与第二级电流镜电路...

本发明涉及一种相变存储器１Ｒ１Ｔ结构和所使用的驱动电路的设计方法，其特征在于采用将一相变电阻ＧＳＴ与一ＮＭＯＳ选通管按一定方式相互连接的ＩＲＩＴ结构，并基于此提出了驱动电路的设计方法，其特征在于选通管的源端接驱动电路的一端，漏端接相变电...

本发明揭示了一种动态相变存储器，所述存储器的存储介质采用具有较低熔点和较低结晶温度的相变材料；所述相变材料的熔点在２００℃到６４０℃之间，且其结晶温度在４０℃到１２０℃之间。所述存储器还包括定期刷新模块，用以定期地对存储有高电阻态的存储...

本发明涉及一种新型存储系统，它充分发挥相变存储器的优点，结合当今与未来擦、写速度更快与循环次数更高的存储器来实现低压、低功耗、高速与长寿命的功效。这种新型存储系统，对相变存储块进行实时的探测，以读写频率为依据，对不同的相变存储块采用不同...

本发明揭示了一种非易失顺序模块式存储器，所述存储器被分割为若干存储块，每个存储块的数据信息分配一个统一的地址，各存储块之间采用随机读写方式，存储块内部采用顺序存储方式。本发明针对大量数据存储，改善ＲＡＭ式存储方式的缺点，提出一套新型的非...

本发明涉及一种降低相变存储器编程功耗的系统及方法，在进行当前编程操作的同时，预读下一位或多位待编程的地址位，将其数据与待编程数据相比较：如果待写入数据与存储器原始存入数据相同，则不进行编程操作；如果待写入数据与存储器原始存入数据不同，则...

本发明揭示了一种高速互补单元相变存储器，所述存储器中每个存储单元有两个用于存储信息的元器件，且该元器件具有被编写能力；通过这两个元器件的电阻大小相互比较，作为划分不同存储状态的依据。本发明的高速互补单元相变存储器可以加快存储器读出速度，...

本发明涉及一种提高相变存储器编程速度的系统及方法，对存储单元进行编程操作的同时，对上一个或多个已经过编程操作的单元进行读反馈。如果读反馈结果与上一个或多个写入数据相同则进行下一个存储单元的编程操作；如果不相同则在本存储单元完成编程操作后...

本发明揭示了一种相变存储器，包括若干存储单元、列选通电路与译码器、读比较电阻、灵敏放大器、读写驱动电路、行译码器；所述各存储单元的位线接入所述列选通电路与译码器，各存储单元的字线接入所述行译码器；所述列选通电路与译码器连接所述读写驱动电...