本发明涉及一种与ＣＭＯＳ工艺兼容的悬浮式可变电容的制作方法，其特征在于利用电镀工艺形成器件结构并通过ＸｅＦ↓［２］气体各向同性腐蚀，部分移除衬底的硅材料释放可变电容结构，降低衬底损耗。悬浮的电容结构由两边的氧化硅层支撑。本发明采用不超过...

本发明涉及一种降低相变存储器器件单元功耗的加热层及器件的制作方法，属微电子领域。其特征在于：在底加热Ｗ电极与硫系化合物薄膜层之间加入一加热层，加热层厚度控制在２～３ｎｍ，可选择的加热层用的材料包括ＺｒＯ↓［２］、ＨｆＯ↓［２］或Ｔａ↓［...

本发明涉及一种抗辐照高可靠的相变存储器器件单元及其制作方法。该相变存储器的外围电路制作在抗辐照加固的衬底上。存储单元由一个可逆相变电阻和一个ｐｎ结二极管构成，形成１Ｄ１Ｒ结构。利用ＳｉＯ↓［２］等介质材料把１Ｄ１Ｒ封装起来，加上１Ｄ１Ｒ...

本发明涉及一种旋转式悬浮微机械可变电容及制作方法，其特征在于旋转式可变电容结构能够抵抗环境冲击或加速度的影响，可变电容的驱动电极沿着中心轴旋转方向运动，旋转角度为０－１０度，可变电容的可动电极通过周围的连接梁支撑，在器件的周围和中心处有...

本发明提出了一种基于印制电路板实现三维立体高密度封装的多芯片模块结构（３Ｄ－ＭＣＭ）。在封装基板上加工制作出独特的腔体结构，用于放置芯片和分布电路连接走线，从而形成立体封装结构。回型球栅阵列（ＢＧＡ）的引脚输出形式的设计，既满足了对模块...

本发明提供一种以低介电常数材料为绝缘埋层的绝缘层上半导体结构及其制备方法，属于微电子学半导体材料及其制备工艺。本发明的特征在于此结构由三层构成：顶层半导体层、中间为相对介电常数小于４．２的绝缘埋层和下层硅衬底。其制备特征在于利用化学气相...

本发明涉及一种采用钨辅助热退火制备氮化镓（ＧａＮ）纳米线的方法，其特征在于采用了金属钨（Ｗ）作为催化剂。在热退火制备ＧａＮ纳米线的过程中，先在ＧａＮ模板上电子束蒸发一层Ｗ薄层，然后在Ｎ↓［２］气氛下经热退火后就形成了ＧａＮ纳米线。金属钨...

本发明涉及一种氧化物隔热层可被用于降低相变存储器功耗的材料上的发现与单元器件结构上的改进及其实现方法，属微电子领域。其特征在于：在底加热Ｗ电极与硫系化合物薄膜层之间加入一氧化物隔热层，隔热层厚度控制在１０ｎｍ以下。可选择的氧化物隔热层用...

本发明涉及一种用于相变存储器的过渡层，其特征在于所述的过渡层位于相变材料和电极材料之间；过渡层材料的电阻率在１０↑［－６］欧姆米和１０↑［１６］欧姆米之间，过渡层材料的热导率在０．０１Ｗ／ｍ.ｋ到３０Ｗ／ｍ.ｋ之间。过渡层的厚度＜１０ｎ...

本发明涉及多层次相变存储阵列与下层外围电路互连的方法，通过一定的互连方式实现上层相变存储阵列与下层外围电路互连。其特征在于本发明提出边缘互连、交错互连、共用字线互连和综合上述三种方式的互连等四种互连方式。并对每一种互连方式进行分析，指明...

本发明涉及到相变存储芯片（ＰＣＲＡＭ）的高密度相变存储单元结构、三维电路设计布局与制造工艺流程。本发明为了实现ＰＣＲＡＭ芯片存储阵列的高密度，通过三维立体布局设计，把基于ＣＭＯＳ（互补金属氧化物半导体）工艺的外围电路放在存储阵列的下面，...

本发明针对三维立体结构相变存储器芯片的电路设计准则及实现方法。为了最大限度的利用存储器面积，本发明要求存储阵列布满整个存储芯片。提出的电路结构是针对存储阵列布满整个存储芯片这一特点的优化方案。存储阵列能够布满整个存储芯片是本发明最大的优...

一种用于相变存储器的粘附层材料及制备方法，其特征在于所述的粘附层材料为至少含Ｗ元素的粘附层材料。具体地说为Ｗ↓［ｘ］Ｔｉ↓［１－ｘ］或Ｗ↓［ｘ］Ｓｉ↓［１－ｘ］，式中ｘ为元素的原子百分比，满足０＜ｘ＜１；所述的制备方法为采用双靶磁控共溅...

本发明涉及一种基板可重复使用的制备微小焊球的方法。其特征在于首先采用ＩＣ制作工艺，制备了可重复使用的基板：以硅片为基底，热氧化处理后正面溅射金属导电层，沉积阻挡层并光刻出阻挡层开口露出导电层金属；其次，在可重复使用的基板上制备微小焊球：...

一种工作在太赫兹波段的光伏型量子阱探测器有源区结构的形成方法。其首先在单个周期内形成ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ多量子阱结构，所述多量子阱结构依次包括：宽势垒区、第一掺杂量子阱层、多组分势垒区、第二量子阱层、低势垒区、及第三量子阱层，并使宽势...

本发明提供了一种双浅沟道隔离的双极型晶体管选通的相变存储单元结构及其制造方法。在ｐ型或ｎ型导电的第一导电类型的基底上，利用低电阻的第二导电类型位线作为双极型晶体管的集电极，位线相互之间用较深的浅沟道隔离（ＳＴＩ）隔开；在位线上方制备基极...

本发明属于微电子技术领域，本发明公开了一种具有肖特基二极管的相变存储器件及其制备方法。其基本特征在于：该结构单元由肖特基二极管与相变存储器构成，肖特基二极管作为相变存储器的选通管，肖特基二极管通过固相外延技术生长Ｎ型或者Ｐ型Ｓｉ单晶薄膜...

本发明涉及一种相变存储器单元器件结构的改进，其特征在于在圆形的下电极上方，通过一定厚度同心圆柱的介质层，实现加热相变材料的热能向下输运的有效控制，一方面很好地保护了构成ＰＣＲＡＭ芯片下面的ＣＭＯＳ电路不受较大热能与载流子的冲击，另一方面...

本发明涉及一种管状相变存储器单元结构及制作方法，所述的相变存储器单元结构包括上电极、下电极以及存储部分。单元结构的基本特征是：相变材料分布在孔的侧壁，利用孔中相变材料的截面积小电阻大，在读写操作中通过自身发热完成相变，同时在环形相变材料...

本发明提供了一种用于Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体光电器件结构制作的低温Ａｕ－Ｉｎ－Ａｕ金属键合方法。其特征在于所述的金属键合过程包括：蒸镀金属膜、低温键合将器件结构金属键合到Ｓｉ衬底上、腐蚀去除外延片衬底。所述的方法的关键是：蒸镀合适的金属膜以...